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[发明专利]电子结构体和电子结构体的制造方法-CN202310121302.3在审
发明人：松尾元一郎;小酒达;铃木贵人;古田裕典;十文字伸哉;川田宽人;篠原悠贵;饭野皓宏 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：电子结构体和电子结构体的制造方法，能够提高复合膜从基板的剥离性。电子结构体(1)构成为在形成基板(10)层叠支承层(11)，进而重叠复合膜(2)，使该支承层(11)的面积比该复合膜(2)的面积小，进而设置有多个微间隔件(12)。因此，电子结构体(1)能够适当地调整作用于复合膜(2)和支承层(11)之间的吸附力，以在保管时、搬送时不剥离，且在安装前能够使用压印器(81)容易地剥离，并且，还能够防止复合膜背面(2B)粘贴于形成基板(10)。由此，电子结构体(1)能够在维持复合膜背面(2B)的平滑性的状态下容易地进行保管、搬送，并且，还能够容易地进行复合膜(2)从支承层(11)的剥离、向布线基板(90)的安装。
电子结构制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210950578.8在审
发明人：中井佑亮;石川琢磨;谷川兼一;川田宽人 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10K59/50 文献下载
摘要：半导体装置。在层叠有光学元件膜的半导体装置中，通过在其表面配置微透镜，能够实现更高性能化，但由于距透镜的距离因层叠的光学元件膜而不同，因此透镜的聚光率因光学元件膜而出现差异，因此，难以通过一个透镜高效地实现期望的颜色特性。半导体装置具有：G层(12G)，其包含绿色发光元件(14G)；R层(12R)，其包含转换效率比绿色发光元件(14G)低的红色发光元件(14R)；微透镜(115)。绿色发光元件(14G)和红色发光元件(14R)在微透镜(115)的光轴方向上位于微透镜(115)与其焦点(115a)之间，从光轴方向观察至少一部分重叠，配置成红色发光元件(14R)比绿色发光元件(14G)更靠近焦点。
半导体装置

[发明专利]发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法-CN202210942482.7在审
发明人：石川琢磨;铃木贵人;谷川兼一;古田裕典;小酒达;中井佑亮;十文字伸哉;松尾元一郎;高桥千优;川田宽人;篠原悠贵;饭野皓宏 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法。实现高画质化。LED显示器装置设置：第1薄膜层(20R)，其配置有薄膜LED(30R)；第2薄膜层(20G)，其层叠于第1薄膜层，包含被配置成在从与薄膜LED(30R)的发光面垂直的发光方向(De)观察时与薄膜LED(30R)的至少一部分重叠的薄膜LED(30G)；以及电路基板(10)，其层叠有第1薄膜层，对薄膜LED(30R)和薄膜LED(30G)的发光进行控制，第1薄膜层在发光方向上从与第2薄膜层对置的第1薄膜层上表面到与电路基板对置的第1薄膜层下表面形成有第1薄膜层开口，薄膜LED(30G)和电路基板经由第1薄膜层开口电导通。
发光装置半导体结构薄膜制造方法

[发明专利]半导体元件单元、供给基板、半导体安装电路以及制造方法-CN202111486438.1在审
发明人：篠原悠贵;铃木贵人;谷川兼一;古田裕典;小酒达;中井佑亮;十文字伸哉;松尾元一郎;石川琢磨;高桥千优;川田宽人 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：半导体元件单元、供给基板、半导体安装电路以及制造方法，能够在小型地构成的同时实现半导体与电路的良好电连接。半导体元件单元(1)通过在将第1电极(3)和半导体元件(2)重叠地载置在形成牺牲层(42)上的状态下进行退火处理，使半导体元件(2)和第1电极(3)共晶键合，并且将第1电极安装面(3B)维持在极平坦的状态。由此，半导体元件单元(1)在被安装于基板表面(51A)极平坦地形成的电路基板(51)时，仅通过以使第1电极安装面(3B)与第1盘表面(61A)抵接的方式进行转印，就能够使分子间力作用于两者之间来进行物理连接和电连接，不需要在安装后进行退火处理。
半导体元件单元供给安装电路以及制造方法

[发明专利]复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置-CN202111208125.X在审
发明人：石川琢磨;铃木贵人;谷川兼一;古田裕典;小酒达;中井佑亮;十文字伸哉;松尾元一郎;高桥千优;川田宽人;篠原悠贵 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置，能够容易地消除不良，并且能够提高安装密度。复合集成膜(1)极平坦地形成有由基材反面(2B)和电极反面(20B)构成的膜反面(1B)。另外，电路基板(70)极平坦地形成有由绝缘正面(73A)和盘正面(80A)构成的基板正面(70A)。因此，LED显示器显示部(61)通过分子间力使复合集成膜(1)的电极反面(20B)与电路基板(70)的盘正面(80A)结合，从而能够在物理连接且电连接的状态下，使该复合集成膜(1)动作来检查特性，另外，能够在异常部位容易地替换该复合集成膜(1)。由此，LED显示器显示部(61)能够在提高安装密度的同时显著提高成品率。
复合集成供给晶片以及半导体装置

[发明专利]发光晶闸管、发光元件芯片、光学打印头和图像形成装置-CN201910992624.9在审
发明人： 川田宽人;谷川兼一;十文字伸哉;石川琢磨;高桥千优 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及发光晶闸管、发光元件芯片、光学打印头和图像形成装置。发光晶闸管包括：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，与第一半导体层相邻布置；第一导电类型的第三半导体层，与第二半导体层相邻布置；和第二导电类型的第四半导体层，与第三半导体层相邻布置。第一半导体层包括与第二半导体层相邻的活性层，第二半导体层包括与活性层相邻的第一层和布置在第一层和第三半导体层之间的第二层，并且第一层具有比活性层的带隙和第二层的带隙宽的带隙。
发光晶闸管元件芯片光学打印头图像形成装置

[发明专利]半导体器件、发光器件芯片、光学打印头和图像形成设备-CN201811558002.7在审
发明人：谷川兼一;川田宽人 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件、发光器件芯片、光学打印头和图像形成设备。半导体器件1000包括：发光晶闸管10，其包括第一导电类型的第一半导体层1040、第二导电类型的第二半导体层1030、第一导电类型的第三半导体层1020和第二导电类型的第四半导体层1010；以及第一至第三电极61A、51G和41K。第一半导体层1040包括第一层1043、具有比第二半导体层1030和第三半导体层1020的带隙BGng和BGpg宽的带隙BGcl1的第二层1042、以及具有比第二半导体层1030和第三半导体层1020的杂质浓度IMng和IMpg高的杂质浓度IMac1并且具有比第二半导体层1030和第三半导体层1020的带隙BGng和BGpg窄或与其相等的带隙BGac1的第三层1041。
半导体层带隙半导体器件第一导电类型发光器件芯片图像形成设备光学打印头导电类型发光晶闸管第三电极第三层第一层相等

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