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- [发明专利]一种应力可控的应力硅及其制备方法-CN202110494400.2有效
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崔积适
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三明学院
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2021-05-07
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2023-07-28
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H01L21/8238
- 一种应力可控的应力硅及其制备方法，涉及应力硅技术领域。制备方法包括：在硅波导区蚀刻形成非晶硅生长窗口，非晶硅生长窗口由硅波导区的上表面蚀刻形成；非晶硅生长窗口均呈矩形，且非晶硅生长窗口在硅波导区呈矩形阵列分布；在非晶硅生长窗口中沉积非晶硅，并在沉积的非晶硅表面覆盖二氧化硅层；以波长为488nm的光辐照非晶硅生长窗口使非晶硅生长窗口中的非晶硅的至少一部分转变为单晶硅。这样使制备得到的应力可控的应力硅提高了应力硅的载流子迁移率，提升了器件的工作频率，具有一阶电光效应，在硅中产生拉应力使硅的带隙减小，能够对C通信波段的信号光产生吸收。
- 一种应力可控及其制备方法
- [发明专利]一种分段吸收式光电探测器-CN202310075082.5在审
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崔积适
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三明学院
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2023-01-31
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2023-05-02
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H01L31/0352
- 本发明公开了一种分段吸收式光电探测器，包括硅基底，所述硅基底上设置有二氧化硅保护层，所述二氧化硅保护层内嵌有p型硅掺杂区，所述p型硅掺杂区分有重掺杂p型硅以及轻掺杂p型硅，所述重掺杂p型硅直接连接至金属电极，所述轻掺杂p型硅与金属电极之间还设置有重掺杂n型锗，所述金属电极阵列分布于所述二氧化硅保护层上方并嵌入其内与重掺杂p型硅或重掺杂n型锗相连接。本发明不同于现有技术中在硅基底上直接设置整片的吸收区，二是将锗吸收区分段生长在硅波导上，在相应的锗吸收区制备电极，外部将不同部分锗吸收区的电极相连，从而不需要大的吸收区面积就能保证器件带宽并且保证了电光速度的匹配。
- 一种分段吸收光电探测器
- [发明专利]一种交叉指形电极有源器件及其光器件-CN202210639857.2在审
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崔积适;肖洪地
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三明学院
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2022-06-08
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2022-09-06
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G02F1/01
- 本发明提供了一种交叉指形电极有源器件及其光器件，包括：衬底层；配置在所述衬底层上的硅波导层，以及配置在所述硅波导层上的硅脊波导层，其中，所述硅波导层和硅脊波导层配置为定向引导电磁波且能够对光进行分束；设置在所述硅波导层第一侧的多个第一电极，设置在所述波导层第二侧且与多个所述第一电极相匹配的多个第二电极，其中，所述第一侧和第二侧相对，其中，所述第一电极和所述第二电极交错设置。基于本发明，通过对硅波导层两侧位置相对的电极进行交错设置，进一步的减小电极之间的寄生电容效应，从而减小高频信号的损耗，提高有源器件的带宽，有效提高光电芯片的带宽和信息传输速率。
- 一种交叉电极有源器件及其
- [发明专利]一种增强光定向射出的LED微纳光栅结构-CN202210236533.4在审
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崔积适
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三明学院
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2022-03-10
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2022-09-02
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H01L33/06
- 本发明涉及一种增强光定向射出的LED微纳光栅结构，包括由下至上的衬底、缓冲层、n掺杂GaN层、MQW发光层、AlGaN层、p掺杂GaN层和孔洞结构层。孔洞结构层包括多个平行排列的GaN纳米柱，相邻两个GaN纳米柱之间形成孔洞，形成了微纳光栅结构。GaN纳米柱垂直于p掺杂GaN层。孔洞中充斥着空气，由于空气和GaN的折射率的差异较大，光传输至孔洞结构层时，部分传输方向与GaN/空气结构成一定角度的光子会在GaN柱和空气的界面形成衍射和全反射，当衍射满足光栅结构的布拉格条件时，水平方向的光矢量几乎为零，因此光主要沿GaN柱方向垂直出射，从而增强了LED微纳光栅结构对光的定向发射效率。本发明的LED微纳光栅结构在室内照明灯、手电筒等领域具有重要的应用价值。
- 一种增强定向射出led光栅结构
- [发明专利]一种应力硅及其制备方法与半导体元件-CN202210360983.4在审
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崔积适
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三明学院
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2022-04-07
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2022-08-09
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H01L21/306
- 本发明提供一种应力硅及其制备方法，涉及光电材料领域，其方法包含以下步骤：准备一块硅衬底，在硅衬底上刻蚀出V型狭缝凹槽，通过施加的应力使刻蚀后的硅衬底弯曲，至V型狭缝凹槽两侧贴在一起；再对V型狭缝凹槽贴在一起的狭缝进行退火处理，至狭缝处硅为熔融状态，V型狭缝凹槽两侧的硅融化后重新结晶，并形成共价键，再缓慢冷却；冷却到室温后，去除施加的应力，硅衬底恢复成平整状态，V型狭缝凹槽两侧因硅重新结晶形成共价键而连在一起，并在V型狭缝凹槽附近形成拉应力，该拉应力，可减小硅的吸收带隙，且如果在硅中产生的应力不对称，则可以打破硅的中心对称结构，使硅产生一阶电光效应，提高硅的调制效率。本申请另提供一种半导体元件。
- 一种应力及其制备方法半导体元件
- [发明专利]一种设置电容结构的光电器件-CN202210549849.9在审
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崔积适
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三明学院
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2022-05-20
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2022-08-02
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H01L27/144
- 本发明公开一种设置电容结构的光电器件，包括衬底层、外延层、光电转换单元、第一电极、第二电极和第三电极。外延层设置于衬底层上。光电转换单元设置于外延层之中，能接收光信号产生电信号，或者根据接收的电信号对光信号进行调制。第一电极、第二电极和第三电极均设置于外延层之中。第一电极和第二电极分别连接于光电转换单元的两极。第三电极与第二电极平行以构造成平行板电容器；第一电极还接地。对第一电极和第二电极端加直流偏置电压。通过射入光使第一电极和第二电极之间产生高频电信号，或者通过第一电极和第三电极施加高频电信号。由于平行板电容器的通高频阻低频的作用，可以减小低频段电信号，保持高频段电信号，从而提高频带宽度。
- 一种设置电容结构光电器件
- [发明专利]一种侧向耦合的光电探测器-CN202210236473.6在审
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崔积适
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三明学院
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2022-03-10
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2022-07-29
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H01L31/0216
- 本发明公开一种侧向耦合的光电探测器，包括衬底层、波导层、吸收层和电极层。波导层设置在衬底层之上，波导层的上表面设置多条平行且等距的方形沟槽，每两条沟槽之间形成方形凸起的波导柱，沟槽的宽度等于波导柱的宽度，波导柱的宽度匹配一个或多个耦合周期。重复的沟槽和波导柱形成楔形结构。吸收层设置在波导层之上，临近于楔形结构的一侧。吸收层和波导层之间形成异质结。吸收层构造成在光入射时产生载流子。本发明的光电探测器，光入射方向垂直于波导柱方向，光在波导柱侧面耦合，侧向耦合避免了光场在传输方向上锗吸收层周期性分布的问题，有效减弱了载流子浓度强弱的交替分布，进而减弱了载流子屏蔽效应，提升了器件的带宽和响应度。
- 一种侧向耦合光电探测器
- [发明专利]一种双臂反向电压调制的电光调制器和光信号调制方法-CN202210407551.4在审
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崔积适
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三明学院
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2022-04-19
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2022-07-29
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G02F1/025
- 本发明涉及一种双臂反向电压调制的电光调制器，包括波导结构和能改变光相位的移相器。波导结构包括由下而上的硅基层、外延层和两条均具有PN结的光支路。两条光支路间隔嵌设在外延层中。每条光支路均包括两个电极、P区和N区，P区邻接于N区，其中一个电极连接于P区，另一个电极连接于N区，P区和N区嵌设于外延层中，两个电极和P区和N区连接的一端嵌入外延层中，另一端裸露在外延层之外。移相器连接于其中一条光支路。该电光调制器设置了两条均具有PN结的光支路，可以向两条光支路同时施加反向的电压信号，以反向调节两条光支路上的光相位，提高了调制效率，在维持相同的光相位调制效果下，可以缩短光支路的长度，降低传输损耗。
- 一种双臂反向电压调制电光调制器信号方法
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