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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种新型笔记本皮套-CN202223090534.7有效
发明人： 崔正敏 -专利权人：绿景国际贸易（苏州）有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B42D3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型笔记本皮套，涉及笔记本外壳领域，其技术要点是：包括主外壳、设置在主外壳上的袋体、标记带、提拉带，所述袋体与主外壳内面连接，用于装载容纳笔记本，所述提拉带缝合连接在主外壳的外面上，且靠近主外壳的竖边线设置，所述标记带缝合连接在主外壳内面的底部中间处，用于隔开笔记本和标记使用进度。本实用新型相较于现有的用于放置笔记本的外壳，具有更多的容纳空间，能够同时装载笔记本和其他物品，操作方便，成本低，便于推广。
一种新型笔记本皮套

[发明专利]形成图案的方法-CN202211535262.9在审
发明人：文炯朗;金荣权;许伦旼;李旻映;金旼秀;李圭原;崔正敏;朴哲弘;高武铉;裴相元;金贞儿 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成图案的方法。该方法包括：在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘顺序地涂覆两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，以及对该含金属的抗蚀剂膜进行曝光和显影以形成抗蚀剂图案；或在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘涂覆用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，曝光含金属的抗蚀剂膜，以及用显影液组合物显影以形成抗蚀剂图案，其中，两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物和显影液组合物的细节如说明书中所述。
形成图案方法

[发明专利]数据处理系统及其操作方法-CN202211015751.1在审
发明人： 崔正敏;金善雄 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：一种数据处理系统可以包括：多个数据处理装置，每个包括计算存储器并且执行从一个或多个主机装置下发的任务；一个或多个主机装置，连接到多个数据处理装置，并且每个主机装置基于元信息和各个数据处理装置的计算存储器的大小选择数据处理装置中的一个或多个并请求所选择的一个或多个数据处理装置执行第一任务，其中元信息包括待由所选择的一个或多个数据处理装置执行的第一任务所需的存储器的大小；网络交换机，将一个或多个主机装置连接到多个数据处理装置；以及网络管理器，被包括在网络交换机中，并且基于元信息和各个数据处理装置的计算存储器的大小收集各个数据处理装置的空闲存储器，并且控制一个或多个主机装置使用空闲存储器中的至少一些。
数据处理系统及其操作方法

[发明专利]用于氮化硅层的蚀刻组合物以及使用该组合物蚀刻氮化硅层的方法-CN202210954854.8在审
发明人：李智惠;尹志贤;李圭原;赵娟振;文炯朗;黄基煜;崔正敏 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物以及使用该组合物蚀刻氮化硅层的方法。该组合物包含无机酸或其盐；以及双硅烷化合物与氨基硅烷化合物的聚合物、该聚合物的反应产物或它们的组合。
用于氮化蚀刻组合以及使用方法

[发明专利]用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法-CN202211018998.9在审
发明人：文炯朗;崔正敏;李圭原;张俊英;尹志贤;李智惠;李在珉;赵娟振;韩美莲;金贤贞 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；以及硅烷化合物，其中，该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。
用于氮化蚀刻组合使用方法

[外观设计]笔记本皮套-CN202230765874.1有效
发明人： 崔正敏 -专利权人：绿景国际贸易(苏州)有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： 03-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：笔记本皮套。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品是用于包覆笔记本或其他物品的笔记本外套。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.右视图已在立体图1中体现，省略右视图;无设计要点，省略左视图、俯视图、仰视图。6.视图中的本子不属于本外观设计产品的保护范围。
笔记本皮套

[发明专利]从含金属抗蚀剂去除边缘珠的组合物及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法-CN202210794402.8在审
发明人：李旻映;文炯朗;许伦旼;金旼秀;金荣权;金宰贤;禹昌秀;崔正敏;高武铉;金贞儿;都星安;裵相元;韩勋;洪锡九 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物，及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法。该从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物包含有机溶剂、以及被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中该七角环化合物在该环中具有至少两个双键。
金属抗蚀剂去除边缘组合包括使用步骤形成图案方法

[发明专利]含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法-CN202210793674.6在审
发明人：许伦旼;文炯朗;李旻映;金旼秀;金荣权;金宰贤;禹昌秀;崔正敏;高武铉;金贞儿;都星安;裵相元;韩勋;洪锡九 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物，以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法。该含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含有机溶剂和被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中七角环化合物在环中具有至少两个双键。
金属光致抗蚀剂显影剂组合以及包括使用进行显影步骤形成图案方法

[发明专利]用于氮化硅膜的蚀刻组成物及用于蚀刻半导体装置的方法-CN201980046316.5有效
发明人：黄基煜;赵娟振;崔正敏;韩权愚;高尙兰;金高恩 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：提供了用于氮化硅膜的蚀刻组成物以及用于蚀刻半导体装置的方法。所述蚀刻组成物包含：无机酸或其盐；水；以及以下化合物中的至少一者：式1化合物、式2化合物、以及所述式1化合物的反应产物或所述式2化合物的反应产物。式1或式2的R1、R2、R3、R6、R9至R12的定义与在本说明书中所述的定义相同。所述用于氮化硅层的蚀刻组成物可显著改善氮化硅层相对于氧化硅层的蚀刻选择性以及可防止在蚀刻期间和/或蚀刻之后使氧化硅层的厚度增加或使硅烷化合物通过自发反应沉淀。
用于氮化蚀刻组成半导体装置方法

[发明专利]用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法-CN201980034252.7有效
发明人：黄基煜;高尙兰;赵娟振;崔正敏;韩权愚;张俊英;尹龙云 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2019-04-05 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：揭示一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法，所述用于氮化硅的蚀刻组成物包含：磷酸化合物；水；以及硅烷化合物及其反应产物中的至少一者。该蚀刻组成物执行蚀刻时，可提高相较于氧化硅层对氮化硅层的蚀刻选择率。
用于氮化蚀刻组成使用方法

[发明专利]用于氮化硅的蚀刻组成物与半导体元件的蚀刻方法-CN201980018129.6有效
发明人：黄基煜;高尚兰;赵娟振;崔正敏 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种用于氮化硅的蚀刻组成物与使用其进行的半导体元件的蚀刻方法。所述蚀刻组成物包含：磷酸化合物；多元醇；以及水。所述蚀刻组成物相对于氧化硅层对氮化硅层具有高选择性且能够抑制硅化合物的沉淀。
用于氮化蚀刻组成半导体元件方法

[发明专利]数据处理设备、数据处理系统及数据处理系统的操作方法-CN202110503130.7在审
发明人： 崔正敏 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种数据处理设备，该数据处理设备包括：存储器组合，包括多个存储器模块；以及控制器，通过总线联接到存储器组合。控制器被配置为收集数据处理设备的计算资源的状态，创建指示计算资源的状态的元信息，并且将元信息传输到通过网络联接的主机装置。
数据处理设备数据处理系统操作方法

[发明专利]用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法-CN202011107899.9有效
发明人： 崔正敏;张俊英;金贤贞;文炯朗;李智惠;韩权愚;黄基煜 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本文公开一种用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法。用于氮化硅层的蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；溶剂；选自酸改性二氧化硅及酸改性硅酸的群组中的至少一者；及含有四个或更多个氮原子的环状化合物。本发明当在高温下用于蚀刻时可显著增加氮化硅层对氧化硅层的蚀刻选择性。
用于氮化蚀刻组合使用方法

[发明专利]用于氮化硅的蚀刻组合物和使用其进行蚀刻的方法-CN201910360034.4有效
发明人： 崔正敏;赵娟振;黄基煜;高尚兰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：一种用于氮化硅的蚀刻组合物和使用其进行蚀刻的方法。蚀刻组合物包括：磷酸化合物；取代或未取代的C7至C8环烃；和水。该蚀刻组合物对氮化硅层具有高选择性，并且可以抑制硅化合物的沉淀。
用于氮化蚀刻组合使用进行方法

[发明专利]有机膜CMP浆料组合物和使用其的抛光方法-CN201880072308.3有效
发明人： 崔正敏;郑荣哲;金廷熙;姜东宪 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了包含二氧化铈、含铈的二氧化铈活化剂和无机膜表面保护剂的有机膜CMP浆料组合物，以及使用其的有机膜抛光方法。
有机 cmp 浆料组合使用抛光方法

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