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[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统-CN202211357542.5在审
发明人：崔茂林;崔峻荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。该半导体装置包括：第一衬底；电路装置，其设置在第一衬底上；下互连结构，其电连接到电路装置；下接合结构，其连接到下互连结构；上接合结构，其接合到下接合结构；上互连结构，其连接到上接合结构；第二衬底，其设置在上互连结构上；导电板，其设置在第二衬底下方；栅电极，其设置在上互连结构与导电板之间，并且在竖直方向上堆叠；沟道结构，其穿透栅电极；多个导电图案，其分别设置在穿透第二衬底的多个开口中；以及外围接触插塞，其在从导电板起的外部区域中在竖直方向上延伸，并且连接到多个导电图案中的一个。
半导体装置包括数据存储系统

[发明专利]用于处理基板的装置和用于处理基板的方法-CN202211387473.2在审
发明人：朴贵秀;崔峻荣;张瑛珍;高镛璿;张奎焕;林俊铉 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明构思提供了一种基板处理装置和基板处理的方法。该基板处理装置包括：第一工艺处理单元，该第一工艺处理单元配置为以单一式方法对基板进行处理；第二工艺处理单元，该第二工艺处理单元配置为以批量式方法对基板进行处理；以及姿态改变单元，该姿态改变单元设置在第一工艺处理单元与第二工艺处理单元之间，并且配置为在竖直姿态和水平姿态之间改变基板的姿态，并且其中基板被装载到第一工艺处理单元并从第一工艺处理单元卸载。
用于处理装置方法

[发明专利]处理基板的装置和方法-CN202211236298.7在审
发明人： 崔峻荣;高镛璿;林俊铉;朴贵秀;张瑛珍 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供一种处理基板的装置和方法，该装置包括：加工罐，该加工罐具有容纳空间，在容纳空间中容纳加工液体；以及支承构件，该支承构件用于支承接收空间中竖直姿态的至少一个基板；以及姿态改变机械手，该姿态改变机械手用于将处于浸入液体状态中的状态的基板的姿态从竖直姿态改变为水平姿态；其中姿态改变机械手包括：手部，该手部配置为抓握基板；以及臂，该臂用于移动手部。
处理装置方法

[发明专利]用于处理基板的设备和方法-CN202211193995.9在审
发明人： 崔峻荣;朴贵秀;张瑛珍;林俊铉 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明构思提供一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：处理槽，所述处理槽具有用于容纳处理液的容纳空间；支撑构件，所述支撑构件被配置为在所述容纳空间处以竖直姿势支撑至少一个基板；以及姿势改变机器人，所述姿势改变机器人被配置为将浸渍在所述处理液中的基板的姿势从所述竖直姿势改变为水平姿势，并且其中所述姿势改变机器人包括：主体，所述主体被配置为在其上保持所述基板；以及液体供应构件，所述液体供应构件被配置为将润湿液供应到放置在所述主体上的所述基板。
用于处理设备方法

[发明专利]制造三维半导体存储器装置的方法-CN202211113052.0在审
发明人：金志泳;崔茂林;崔峻荣;成政泰;尹尚希;全祐用 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种制造三维半导体存储器装置的方法包括在第一基板的第一表面上形成外围电路结构，在第二基板的第一表面上形成单元阵列结构，以及将单元阵列结构附接到外围电路结构，使得第一基板的第一表面和第二基板的第一表面彼此面对。单元阵列结构可以通过在第二基板上形成背侧通路和初步接触焊盘并形成半导体层来形成。孔可以形成为穿透半导体层并暴露初步接触焊盘，并且可以通过去除初步接触焊盘的上部而形成，从而形成与半导体层分离的接触焊盘。该方法可以进一步包括在半导体层上形成堆叠、在堆叠上形成绝缘层、以及形成穿透绝缘层并连接到接触焊盘的接触插塞。
制造三维半导体存储器装置方法

[发明专利]沉积设备-CN202210841861.7在审
发明人：黄炳㯙;李尚昱;金圣协;金建佑;崔峻荣;郑相勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种沉积设备包括其中具有至少一个第一进气口的腔室。固定卡盘安装在腔室中，并且静电卡盘安装在固定卡盘上。边缘环设置在静电卡盘的边缘上。喷头设置在边缘环上方。挡板设置在喷头上方，并且上电极设置在挡板上方。气体引导构件设置在上电极上方，使得设置在上电极中的流动路径与第一进气口连接。气体引导构件具有在朝上方向和朝下方向上穿透的流动路径孔，并且多个引导孔设置在气体引导构件的内表面上。
沉积设备

[发明专利]用于处理衬底的装置-CN202210907365.7在审
发明人： 崔峻荣;张奎焕;金喆求;崔重奉;李映一 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明构思提供一种衬底处理装置。衬底处理装置包括：处理槽，其用于对多个衬底进行液体处理并且具有用于容纳处理液的容纳空间；和姿势改变构件，其用于将浸没在处理液中的衬底的姿势从竖直姿势改变为水平姿势。
用于处理衬底装置

[发明专利]半导体器件-CN202210812817.3在审
发明人：姜钟仁;崔峻荣;洪润基;金台勋;吕晟溱;韩相然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和核心区；边界元件分隔膜，设置在衬底内部并将单元区和核心区分开；以及位线，设置在单元区和边界元件分隔膜上并沿第一方向延伸，其中边界元件分隔膜包括第一区域和第二区域，以边界元件分隔膜的下侧为基准，边界元件分隔膜的第一区域的上侧的高度与边界元件分隔膜的第二区域的上侧的高度不同，位线设置在边界元件分隔膜的第一区域和第二区域上方。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202210485599.7在审
发明人： 崔峻荣;金荣祐;金台勳;韩相然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元区域和外围电路区域；导电结构，在单元区域和外围电路区域上，导电结构在与基底的上表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，在外围电路区域上，栅极结构在第一方向上与导电结构间隔开；间隔件，接触栅极结构的侧壁；以及第一覆盖图案，接触导电结构的在第一方向上的端部的侧壁以及间隔件的侧壁，其中，间隔件和第一覆盖图案包括不同的绝缘材料。
半导体装置

[发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统-CN202210194758.8在审
发明人：崔茂林;成政泰;崔峻荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：提供半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。所述半导体器件包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一衬底、位于所述第一衬底上的电路器件、位于所述电路器件上的下互连结构和电连接到所述下互连结构的下接合结构；以及第二半导体结构，所述第二半导体结构设置在所述第一半导体结构上，并且包括第二衬底、在与所述第二衬底的下表面垂直的第一方向上堆叠并彼此间隔开的栅电极、穿过所述栅电极并在所述第一方向上延伸的沟道结构以及电连接到所述栅电极和所述沟道结构并接合到所述下接合结构的上接合结构。所述第二半导体结构还包括连接到所述第二衬底的上部的第一通路、与所述第一通路和所述第二衬底间隔开的第二通路以及接触插塞。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]非易失性存储器装置和包括其的存储器系统-CN202111305802.X在审
发明人：崔茂林;成政泰;尹尚希;全祐用;崔峻荣;黄允照 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：一种非易失性存储器装置包括第一结构和键合到第一结构的第二结构。第二结构包括：低电阻导电层；公共源极线层，其位于低电阻导电层上；堆叠结构，其位于公共源极线层上方；多个沟道结构，其穿过堆叠结构的单元区域，并且接触公共源极线层；虚设沟道结构，其穿过堆叠结构的台阶区域，并且接触公共源极线层；第二绝缘结构，其位于堆叠结构上；多个第二键合焊盘，其位于第二绝缘结构上；以及第二互连结构，其位于第二绝缘结构中。
非易失性存储器装置包括存储器系统

[发明专利]用于处理基板的装置-CN202111442461.0在审
发明人： 崔峻荣;张奎焕 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明构思提供一种基板处理装置。所述基板处理装置包括第一处理部，其以批量式处理法对多个基板执行液体处理；及第二处理部，其处理在所述第一处理部处已处理的基板，并以单一式处理法对单个基板执行液体处理或干燥处理。
用于处理装置

[发明专利]半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统-CN202111260065.6在审
发明人：黄允照;金志泳;成政泰;崔峻荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括第一基底结构和第二基底结构，第一基底结构包括第一基底、电路器件、第一互连线、位于第一互连线的上表面上的接合金属层以及位于第一互连线的上表面上且位于接合金属层的横向表面上的第一接合绝缘层，第二基底结构位于第一基底结构上并且包括第二基底、栅电极、沟道结构、第二互连线、接合过孔和第二接合绝缘层，接合过孔连接到第二互连线和接合金属层、并且具有倾斜为使得接合过孔的宽度随着接近第一基底结构而增大的横向表面，第二接合绝缘层与接合过孔的至少下部接触。接合金属层包括虚设接合金属层，虚设接合金属层不连接到接合过孔并且与第二接合绝缘层接触。
半导体装置包括数据存储系统

[发明专利]用于处理基板的装置和方法-CN202111073573.3在审
发明人： 崔峻荣 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及用于处理基板的装置和方法。用于处理基板的方法包括：通过在旋转基板的情况下将化学溶液分配到基板上来处理基板，其中，与基板或化学溶液直接接触的接地导电构件包括在支承和旋转基板的支承单元中，在接地导电构件与地之间的接地路径上设置有电流检测器，并且基于由电流检测器检测的电流值控制基板的处理条件。
用于处理装置方法

[发明专利]用于处理基板的装置和方法-CN202111026037.8在审
发明人：尹堵铉;崔龙贤;林义相;崔峻荣 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于处理基板的装置，包括主体，其具有内部空间，在所述内部空间中通过处于超临界状态的干燥流体来干燥基板；流体供应单元，其将干燥流体供应到内部空间中；流体排放单元，其从内部空间释放干燥流体；和控制器。控制器控制流体供应单元和流体排放单元以执行：升压步骤：将内部空间中的压力升高至设定压力，和流动步骤：通过在流体供应单元将干燥流体供应到内部空间中的同时由流体排放单元从内部空间释放干燥流体，从而在内部空间中产生干燥气体的流动。
用于处理装置方法

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