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[发明专利]化合物半导体晶片的加工方法-CN201810900611.X有效
发明人： 山田浩 -专利权人：株式会社合斯科
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种不会发生加工变形且可以进行薄板化的化合物半导体晶片的加工方法。该方法为将由半导体元素即第1原子以及与该第1原子不同的元素即第2原子离子结合的化合物半导体构成的晶片11进行加工的化合物半导体晶片的加工方法，该方法包括：通过由与第1原子反应的蚀刻气体产生的高密度等离子体，蚀刻晶片11的表面；使用机械研磨除去该蚀刻后的晶片11的表面的含有第2原子的残余粒子层12。
化合物半导体晶片加工方法

[外观设计]磁控溅射仪的水冷面槽（型材）-CN202230599455.5有效
发明人：大岩一彦;姚科科;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：磁控溅射仪的水冷面槽（型材）。2.本外观设计产品的用途：用于磁控溅射仪靶材散热的水冷面槽。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.产品侧面结构可以通过提交的视图毫无疑义的确定，省略俯视图、仰视图、左视图。
磁控溅射水冷型材

[外观设计]磁控溅射仪的水冷面槽(雪花)-CN202230599464.4有效
发明人：大岩一彦;姚科科;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：磁控溅射仪的水冷面槽(雪花)。2.本外观设计产品的用途：用于磁控溅射仪靶材散热的水冷面槽。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.产品侧面结构可以通过提交的视图毫无疑义的确定，省略俯视图、仰视图、左视图。
磁控溅射水冷雪花

[外观设计]磁控溅射仪的水冷面槽(摩天轮)-CN202230599481.8有效
发明人：大岩一彦;姚科科;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：磁控溅射仪的水冷面槽(摩天轮)。2.本外观设计产品的用途：用于磁控溅射仪靶材散热的水冷面槽。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.产品侧面结构可以通过提交的视图毫无疑义的确定，省略俯视图、仰视图、左视图。
磁控溅射水冷摩天轮

[外观设计]磁控溅射仪的水冷面槽(蚊香)-CN202230600039.2有效
发明人：大岩一彦;姚科科;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：磁控溅射仪的水冷面槽(蚊香)。2.本外观设计产品的用途：用于磁控溅射仪靶材散热的水冷面槽。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.产品侧面结构可以通过提交的视图毫无疑义的确定，省略左视图、俯视图、仰视图。
磁控溅射水冷蚊香

[外观设计]磁控溅射仪的水冷面槽(水坑)-CN202230600040.5有效
发明人：大岩一彦;姚科科;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：磁控溅射仪的水冷面槽(水坑)。2.本外观设计产品的用途：用于磁控溅射仪靶材散热的水冷面槽。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.产品侧面结构可以通过提交的视图毫无疑义的确定，省略俯视图、仰视图、左视图。
磁控溅射水冷水坑

[发明专利]溅射靶材组合体及装配方法-CN202211240110.6在审
发明人：大岩一彦;姚科科;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B23K33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种溅射靶材组合体和装配方法，该溅射靶材组合体包括溅射靶材和背板，溅射靶材包括第一安装部，背板包括槽体。其中，第一安装部靠近槽体底部的一侧设有第一端面，第一端面包括凹陷部，预装配状态下，第一安装部至少部分位于槽体中，凹陷部与槽体底部保持预设间距，凹陷部设置为在装配过程中由压紧力作用向槽体底部靠近并且产生朝向槽体侧向的压延变形，第一端面在压延变形中形成压延部，压延部在装配状态下与槽体在侧向上咬合。该申请通过优化靶材与背板之间结构，显著提高了靶材与背板之间的咬合强度，增加了溅射靶材组合体结构的稳定性，并且可降低压紧过程所需压紧力。
溅射组合装配方法

[发明专利]一种铬硅化物靶材及其制备方法-CN202010959472.5有效
发明人：大岩一彦;姚科科;廣田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种铬硅化物靶材及其制备方法，特点是该CrSi靶材相对密度在99％以上，氧含量小于500ppm，其制备方法包括以下步骤：将纯度99.9％以上的铬和硅混合后粉碎成平均粒径10‑100μm的粉末；2)将混合后的粉末置于真空热处理炉中反应生成二硅化铬化合物粉末，用此方式产生的粉末作为原材料的一部分；3)然后将步骤1)和步骤2)的混合原料粉末通过真空热压，在惰性气体气氛10‑1000Pa下，于1200‑1350℃和加压力400‑600kg/cm2下处理60‑480分钟，得到密度97％以上的烧结体；4)再通过热等静压技术得到密度99％以上的烧结体；5)烧结体通过真空热处理炉进行退火后，通过机械加工除去表层的氧化及变质层得到铬硅化物靶材，优点是高纯度、高密度化。
一种铬硅化物靶材及其制备方法

[实用新型]溅射靶材、靶材组件-CN202220233923.1有效
发明人：大岩一彦;姚科科;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种溅射靶材，包括靶材本体；靶材本体侧面外凸形成环形凸部；靶材本体的正面相对于环形凸部的正面凸出，靶材本体的背面相对于环形凸部的背面凸出。本实用新型还公开了一种靶材组件，包括所述的溅射靶材和设置在环形凸部背面的背板环，以及可选择性的设置在环形凸部正面的正面环。
溅射组件

[发明专利]一种靶材、靶材组件及其制作方法-CN202211085271.2在审
发明人：大岩一彦;姚科科;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B23K15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种靶材，由两个或两个以上的部件经过焊接步骤形成，靶材包括靶材部和强化部，强化部的成分与靶材部的成分不同，强化部在靶材的焊接步骤中形成且连接至靶材部以提高了靶材的强度，强化部处于靶材的背面，且强化部覆盖靶材部的背面的至少一部分。靶材的强化部由高纯度金属与该种金属的合金经过焊接而均匀混合形成，具有强化部可以有效加强靶材的强度尤其是水冷面的强度。此外靶材是根据靶材本体在使用过程中正面受到侵蚀后的轮廓线而调整相应的焊接深度，使得在保证靶材本体使用率的情况下尽可能提高靶材的强化部的比例，从而使得靶材在长时间的使用后依然能够保持整体的强度比较稳定。
一种组件及其制作方法

[发明专利]一种高纯铝的纯化方法-CN202110087405.3有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C22B21/06 文献下载
摘要：本申请提供一种高纯铝的纯化方法，属于金属铝的提纯技术领域。纯化方法包括：在坩埚外加热使铝原料熔融成熔融铝液；将冷却管浸入熔融铝液中，向冷却管中通入冷却介质，使得高纯铝在冷却管表面析出，得到析出层；当析出层在冷却管的径向上的厚度达到第一预设厚度时，采用分离件围绕冷却管的轴线转动，以对熔融铝液进行搅拌；当析出层在冷却管的径向上的厚度达到第二预设厚度时，取出冷却管。其能够有效改善纯化率。
一种高纯纯化方法

[发明专利]一种靶材和背板的真空扩散接合方法-CN202011608222.3有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种靶材和背板的真空扩散接合方法，特点是包括以下步骤：1)将内置加热装置的金属包套整体预热到300‑400℃，然后放置在液压机机床上；2)将背板插入到金属包套的凹槽中，将靶材置于背板上表面中央，再在靶材上表面放置压块；3)将安装在液压机的机床上部的排气容器下降直至排气容器底部的橡胶密封圈压到液压机的机床内下部的压台上，将排气容器进行抽真空或充入惰性气体置换空气或者充入氢气置换空气；4)将靶材和背板加热到400‑700℃，在压块上表面施加压力，在该温度和压力下保持一段时间，取出接合率达99％以上的背板和靶材，即完成背板和靶材的真空扩散接合，优点是能避免接合面被氧化，进一步提高接合率。
一种背板真空扩散接合方法

[发明专利]一种溅射靶材及其制备方法-CN202210750088.3在审
发明人：大岩一彦;姚科科;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种溅射靶材及其制备方法，该溅射靶材包括靶材本体和包裹靶材本体底部及外侧的焊接壳。所述焊接壳为通过搅拌摩擦焊或电子束焊接实现与靶材本体间紧密结合。溅射靶材的制备方法包括：步骤一：靶材本体底部贴覆金属板，靶材本体的周向嵌套金属环，使得靶材本体嵌入金属板与金属环所形成的凹槽空间；步骤二：焊接金属环、靶材本体和金属板的边缘，及焊接金属板与靶材本体的底部区域，即形成包裹靶材本体外侧和底部的焊接壳。该发明制备的溅射靶材在具有长寿命的同时，硬度显著提高。
一种溅射及其制备方法

[发明专利]靶材用铝合金铸锭及其制备方法、铝合金靶材-CN202110635037.1有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本申请涉及靶材制造技术领域，具体而言，涉及一种靶材用铝合金铸锭及其制备方法、铝合金靶材。该靶材用铝合金铸锭含有铝和一种添加元素。其中，铝合金铸锭中添加元素满足以下条件：添加元素在铝合金铸锭中的目标含量值为a wt％，在铝合金铸锭的横截面上多点取样检测多个样品中添加元素的含量得到多个添加元素含量值，多个添加元素含量值均在0.9a～1.1a wt％范围内。该靶材用铝合金铸锭的组织均匀，能够达到抑制溅射靶材在溅射工艺中异常放电的目的。
靶材用铝合金铸锭及其制备方法

[实用新型]溅射靶材扩散焊接组合体-CN202123249959.3有效
发明人：高超;林智行;大岩一彦;山田浩;姚科科 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了溅射靶材扩散焊接组合体，该扩散焊接组合体包括靶材组件和盖板，靶材组件包括靶材和背板，背板的上、下表面中的至少一面开设内凹的槽，靶材嵌入槽后与背板齐平；背板开设槽的表面覆盖盖板，背板与盖板接触面或外周密封，从而将靶材组件与盖板密封为一个整体，靶材密封于背板与盖板组成的密闭容纳腔内。该实用新型的溅射靶材扩散焊接组合体，省略了包套和抽真空等工序，结构简单，加工制造成本低。
溅射扩散焊接组合

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