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[发明专利]溅射靶材、靶材组件及靶材组件的制作方法-CN202210091744.3在审
发明人：大岩一彦;姚科科;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种溅射靶材，包括靶材本体；靶材本体侧面外凸形成环形凸部；靶材本体的正面相对于环形凸部的正面凸出，靶材本体的背面相对于环形凸部的背面凸出。本发明还公开了一种靶材组件，包括所述的溅射靶材和设置在环形凸部背面的背板环，以及可选择性的设置在环形凸部正面的正面环。本发明还公开了所述靶材组件的制作方法，将环形凸部与背板环，或背板环、正面环，进行焊接接合，焊接头自背板环背面靠近外侧面插入直至接触或伸入环形凸部或正面环，焊接过程中焊接头逐渐向背板环内侧面移动。
溅射组件制作方法

[实用新型]靶材组件-CN202121968838.1有效
发明人： 山田浩;林智行;广田二郎;中村晃;大岩一彦;姚科科 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种靶材组件，包括：靶材和背板，背板设置于靶材的外围，靶材的溅射面相对于背板的前端表面凸出。本实用新型中的靶材组件及其制作方法，通过将背板设置于靶材的外围，由于背板没有在靶材的背面进行占位，溅射范围的厚度全部由靶材构成，所以间接使得靶材自身可以设置更厚的厚度，延长了靶材自身的使用寿命，因此与以往产品相比，能够将综合功率延长至寿命末期，实现靶材组件的长寿命化。
组件

[发明专利]溅射靶材扩散焊接组合体及方法-CN202111582072.8在审
发明人：高超;林智行;大岩一彦;山田浩;姚科科 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本发明公开了溅射靶材扩散焊接组合体及方法，该扩散焊接组合体包括靶材组件和盖板，靶材组件包括靶材和背板，背板的上、下表面中的至少一面开设内凹的槽，靶材嵌入槽后与背板齐平；背板开设槽的表面覆盖盖板，背板与盖板接触面或外周密封，从而将靶材组件与盖板密封为一个整体，靶材密封于背板与盖板组成的密闭容纳腔内。溅射靶材扩散焊接方法包括：背板开设槽的表面铺设盖板，将盖板与背板接触面或外周密封；将至少两个扩散焊接组合体层叠放置于热等静压炉内，进行热等静压扩散焊接。该发明的溅射靶材扩散焊接组合体及方法，省略了包套和抽真空等工序，结构简单，加工制造成本低。
溅射扩散焊接组合方法

[发明专利]高纯度铝纯化方法以及装置-CN202011316884.3有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C22B9/02 文献下载
摘要：本申请涉及金属铝提纯领域，具体而言，涉及一种高纯度铝纯化方法以及装置。该纯化方法包括以下步骤：对铝原料熔炼；在熔炼结束后向熔融铝中插入析晶冷却管以及分离部件；并使析晶冷却管旋转，分离部件环绕析晶冷却管旋转，且二者旋转方向相反。通过在熔炼结束后向熔融铝中插入析晶冷却管以及分离部件；并使析晶冷却管和分离部件反向旋转，能够有效地防止熔融铝随着析晶冷却管一起旋转，这样就加快了相对旋转速度，熔融铝往反方向旋转，从而能够使得浓化层变薄，纯化效率提高，进而能够使得析晶量增加。
纯度纯化方法以及装置

[实用新型]一种用于熔融铝析晶纯化的冷却管组件及铝纯化装置-CN202121738744.5有效
发明人：广田二郎;大岩一彦;林智行;山田浩;中村晃;姚科科 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： F27D9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于熔融铝析晶纯化的冷却管组件，包括冷却管，冷却管内穿设内管，内管底端开口靠近冷却管底部，冷却管的底面为扩径的球形面。本实用新型还公开了一种铝纯化装置，包括：用于盛装熔融铝的坩埚；用于熔融铝析晶纯化的冷却管组件，用于插入坩埚内析出铝晶。内管内的冷却气体可直达冷却管底部，从而提高冷却管底部的热交换速率，加快熔融铝体相在冷却管表面的析晶速率，达到冷却管整体均匀析晶的目的。扩径球形面的设计增大了换热面积，同样提高了熔融铝体相在冷却管底部的析晶速率，达到冷却管整体均匀析晶的目的。
一种用于熔融铝析晶纯化冷却管组件装置

[实用新型]一种均匀析晶的铝纯化装置-CN202121738769.5有效
发明人：广田二郎;大岩一彦;林智行;山田浩;中村晃;姚科科 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C22B9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种均匀析晶的铝纯化装置，包括：用于盛装熔融铝的坩埚；用于插入坩埚内析出铝晶的冷却管，其侧壁设有隔热层；冷却管插入坩埚内析出铝晶时，熔融铝靠近液面区域对应于隔热层所在位置。本实用新型通过在冷却管侧壁设置隔热层，并将隔热层位置与熔融铝靠近液面区域相对应，降低熔融铝靠近液面区域的热传递，进而减缓该区域的析晶速率，使之与熔融铝体相在冷却管表面的析晶速率接近，使铝晶在冷却管表面整体生长速率一致，实现均匀析晶。
一种均匀纯化装置

[发明专利]靶材组件及其制作方法-CN202110962008.6在审
发明人： 山田浩;林智行;广田二郎;中村晃;大岩一彦;姚科科 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种靶材组件及其制作方法，该靶材组件包括：靶材和背板，背板设置于靶材的外围，靶材的溅射面相对于背板的前端表面凸出。本发明中的靶材组件及其制作方法，通过将背板设置于靶材的外围，由于背板没有在靶材的背面进行占位，溅射范围的厚度全部由靶材构成，所以间接使得靶材自身可以设置更厚的厚度，延长了靶材自身的使用寿命，因此与以往产品相比，能够将综合功率延长至寿命末期，实现靶材组件的长寿命化。
组件及其制作方法

[实用新型]一种焊接夹具-CN202023255996.0有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种焊接夹具，属于压力容器焊接设备领域，包括焊接机主体和焊接枪，所述焊接枪包括所述焊接枪包括用于向其供给保护气体氩气的氩气供给装置；在所述焊接枪上设置有接头座，所述接头座通过和一氦气供给装置连接以用于向焊接枪提供保护气体氦气。本实用新型通过使用氩+氦混合气体的保护气体来提高电弧电流密度，结果，可以减少焊接热输入(焊接电流值)，减少工件由于焊接收缩引起的变形，将热影响部分显著减少，并防止应力腐蚀开裂。
一种焊接夹具

[实用新型]一种靶材和背板的扩散接合装置-CN202023288854.4有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种靶材和背板的扩散接合装置，涉及半导体技术领域，包括：排气容器、设置在排气容器内的金属包套、液压装置、以及进气装置和排气装置；金属包套内由下至上依次设有背板、靶材和压块，液压装置的压力作用于压块上使得背板与靶材结合；进气装置和排气装置可用于排气容器的抽真空或在排气容器内充入惰性气体或充入氢气；本实用新型通过将金属包套置于真空或惰性气体或氢气中的设置，来防止由于氧化引起的背板与靶材接合率降低的问题，并且通过实现重复使用能够起到降低成本的效果，实现多品种批量生产；对排气容器的抽真空或在排气容器内充入惰性气体或充入氢气，可使得接合率达99％以上；同时结合的背板与靶材具有金属光泽，外观上没有出现氧化的情况。
一种背板扩散接合装置

[实用新型]一种用于粉末烧结的振动填充夹具-CN202023262456.5有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： F27B21/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于粉末烧结的振动填充夹具，涉及半导体靶材粉末烧结技术领域，包括：烧结夹具、以及用于放置烧结夹具的振动台；烧结夹具内部填充有烧结粉末；振动台可将烧结粉末均匀填充在烧结夹具内，烧结夹具包括夹具本体、以及用于压紧夹具本体内烧结粉末的上夹板；本实用新型的用于粉末烧结的振动填充夹具通过振动台的设置，能够在短时间内均匀地实现烧结粉末的填充工作，烧结粉末填充工作时间从原来的人工工作1小时减少到现在的15分钟，并且填充的更加均匀，有效的降低了烧结体出现破裂的情况；并且，还能根据烧结粉末的类型和粉末颗粒大小，调节合适的振动频率和振动时间，具有更好的通用性。
一种用于粉末烧结振动填充夹具

[发明专利]一种溅射靶材焊接方法-CN202010573673.1有效
发明人：姚科科;大岩一彦;廣田二郎;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： B23K20/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种溅射靶材焊接方法，涉及靶材焊接技术领域，溅射靶材焊接方法通过下述装置实施，包括：溅射靶材、背板和搅拌摩擦焊机；溅射靶材焊接方法包括如下步骤：首先将溅射靶材和背板的焊接结合部的间距设置为小于等于1mm；然后通过搅拌摩擦焊接机进行焊接，将搅拌摩擦焊机上的旋转刀具插入焊接结合部，旋转刀具的插入深度为3～20mm，在旋转刀具进行旋转焊接时，溅射靶材和背板同步旋转；本发明通过将背板采用铝合金或铜合金，节省了制作溅射靶材的原材料的成本，并且保证了高的焊接率，采用本发明焊接方法在规模化生产时成本也会降低，从而能够规模化生产出低成本的溅射靶材，再将该靶材用于芯片制造时，就大大降低了芯片制造的成本。
一种溅射焊接方法

[实用新型]一种溅射靶材检测装置-CN202023255979.7有效
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G01M3/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种溅射靶材检测装置，属于检测装置领域，包括夹具、间隔夹具设置的圆顶夹具和推动所述圆顶夹具的驱动部，其中在夹具的第一通孔上连通有氦气供给装置，其用于向所述靶材的内部容腔内供给氦气；在所述圆顶夹具上开设的第二通孔上连通有氦气检测装置，其用于抽取圆顶夹具和靶材之间形成的空间内的空气，并检测上述空间内的氦气有无。本实用新型的测试装置通过不使用用于固定靶材和夹具的螺钉，可以防止由于螺钉固定而引起的刮擦；另外，通过用液压缸上下移动圆顶夹具，可以容易且均匀地紧固圆顶夹具，并且通过调节液压压力每次可以容易地获得相同的紧固力。
一种溅射检测装置

[发明专利]一种Al-Cu溅射靶材及其制备方法-CN202110237906.5在审
发明人：大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请涉及材料领域，具体而言，涉及一种Al‑Cu溅射靶材及其制备方法。所述溅射靶材的纯度为99.999％以上；所述溅射靶材的粗糙度Ra≦0.4μm，且所述溅射靶材的外周部的粗糙度Ra和所述溅射靶材的中心部的粗糙度Ra的差异在±40％以内。外周部和中心部的粗糙度差异较小；能够有效抑制由于靶材表面的颗粒或凹凸造成的异常放电。
一种 al cu 溅射及其制备方法

[发明专利]一种半导体用高纯钨靶材及其制备方法-CN202010959080.9在审
发明人：大岩一彦;姚科科;廣田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体用高纯钨靶材及其制备方法，特点是该钨靶材纯度为99.999％以上，相对密度为99％以上，含杂质氧、碳、氮和硫总量为50ppm及以下，其制备方法包括将纯度达到99.999％以上、粒度为3.2‑4.2μm的钨粉进行均匀混合后，置于真空热处理炉中进行预脱气，然后导入氢气，继续加热进行脱气的步骤；将脱气后的钨粉通过真空热压完成一次烧结的步骤；将一次烧结后的钨板通过热等静压机完成二次烧结的步骤；将二次烧结后的钨板通过机械加工将整个表面进行磨削处理，得到纯度为99.999％及以上且密度为99％及以上的半导体用高纯钨靶材，优点是高纯度、高密度且低电阻。
一种半导体高纯钨靶材及其制备方法

[发明专利]一种钨烧结靶材的制造方法-CN202010959121.4在审
发明人：大岩一彦;姚科科;廣田二郎;中村晃;林智行;山田浩 -专利权人：浙江最成半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨烧结靶材的制造方法，特点是包括取已溅射使用的高纯度钨粉末烧结靶材，在烧结靶材消耗的部分填充纯度99.999％、粒径3‑5μm的钨原料粉末的步骤；将填充有钨原料粉末的烧结靶材置于真空热处理炉中，在真空5×10‑2Pa以下的压力下，于700‑1400℃保持2小时进行脱气，然后导入氢气，在真空10‑1000Pa的压力下，继续加热1‑5小时，进行脱气的步骤；将脱气后的烧结靶材通过真空热压，完成一次烧结的步骤；将一次烧结后的烧结靶材通过热等静压技术完成二次烧结的步骤；最后将二次烧结后的钨板通过机械加工将整个表面进行磨削处理得到钨烧结靶材的步骤；优点是有效提高靶材利用率，降低环境污染。
一种烧结制造方法