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[发明专利]用于显示设备的氢陷阱层及显示设备-CN202010681668.2在审
发明人：李制勋;庄景桑;山形裕和;张钧杰;K·金;叶柏均;张世昌;常鼎国 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开涉及用于显示设备的氢陷阱层及显示设备。本发明描述了具有氢陷阱层的显示面板。该氢陷阱层可结合到多种位置中以吸除或阻挡进入氧化物晶体管的半导体氧化物层中的氢扩散。
用于显示设备陷阱

[发明专利]用于有机发光二极管显示器的电力和数据路由结构-CN201910460227.7在审
发明人： T·T·莫伊;Y·车;S·将;W·S·瑞都特-路易斯;B·L·维斯韦沃兰;崔宰源;A·J·罗德巴里;M-K·柳;山形裕和;大津圭介 -专利权人：苹果公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明题为“用于有机发光二极管显示器的电力和数据路由结构”。有机发光二极管显示器可以具有圆角。负电源路径可用于将负电压分配至阴极层，而正电源路径可用于将正电源电压分配至显示器中的每个像素。正电源路径可以具有被负电源路径占据的切口，以降低位于显示器的圆角中的负电源路径的电阻。为了减轻由形成于紧密间隔的数据线之上的正电源路径引起的反射，可以在显示器的圆角中省略正电源路径，可以在圆角中的正电源路径之上形成屏蔽层，或者可以在正电源路径之上形成非直线栅极线。
正电源圆角负电源有机发光二极管显示器显示器路径可用正电源电压数据路由非直线负电压屏蔽层数据线阴极层栅极线省略电阻分配像素反射占据

[实用新型]有机发光二极管显示器-CN201920796171.8有效
发明人： T·T·莫伊;Y·车;S·将;W·S·瑞都特-路易斯;B·L·维斯韦沃兰;崔宰源;A·J·罗德巴里;M-K·柳;山形裕和;大津圭介 -专利权人：苹果公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开涉及有机发光二极管显示器。更具体而言，有机发光二极管显示器可以具有圆角。负电源路径可用于将负电压分配至阴极层，而正电源路径可用于将正电源电压分配至显示器中的每个像素。正电源路径可以具有被负电源路径占据的切口，以降低位于显示器的圆角中的负电源路径的电阻。为了减轻由形成于紧密间隔的数据线之上的正电源路径引起的反射，可以在显示器的圆角中省略正电源路径，可以在圆角中的正电源路径之上形成屏蔽层，或者可以在正电源路径之上形成非直线栅极线。
正电源圆角负电源有机发光二极管显示器显示器路径可用正电源电压非直线负电压屏蔽层数据线阴极层栅极线省略电阻分配像素反射占据

[发明专利]具有提高的透射比和降低的耦合电容的显示电路-CN201510015322.8有效
发明人：野津大辅;山形裕和;大泽裕史;林上智;张世昌;陈右铮 -专利权人：苹果公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及具有提高的透射比和降低的耦合电容的显示电路。一种显示器可以具有滤色镜层和薄膜晶体管层。一层液晶材料可以位于该滤色镜层和薄膜晶体管(TFT)层之间。该TFT层可以包括形成于玻璃衬底顶部的薄膜晶体管。钝化层可以形成于该薄膜晶体管层上。第一低k介电层可以形成于该钝化层之上。数据线布线结构可以形成于该第一低k介电层之上。第二低k介电层可以形成于该第一低k介电层之上。共用电压电极和相关联的存储电容可以形成于该第二低k介电层之上。该第一低k介电层和第二低k介电层可以由具有基本上相似折射率的材料形成，以使得背光透射比最大化并且可以具有适当厚度从而使得寄生电容负载最小化。
低k介电层透射比薄膜晶体管层薄膜晶体管滤色镜层显示电路耦合电容钝化层寄生电容负载背光布线结构材料形成存储电容共用电压液晶材料数据线折射率最大化最小化电极衬底显示器玻璃关联

[实用新型]显示像素电路和显示像素结构-CN201520020553.3有效
发明人：野津大辅;山形裕和;大泽裕史;林上智;张世昌;陈右铮 -专利权人：苹果公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本实用新型的实施方式涉及一种显示像素电路和显示像素结构。一种显示器可以具有滤色镜层和薄膜晶体管层。一层液晶材料可以位于该滤色镜层和薄膜晶体管(TFT)层之间。该TFT层可以包括形成于玻璃衬底顶部的薄膜晶体管。钝化层可以形成于该薄膜晶体管层上。第一低k介电层可以形成于该钝化层之上。数据线布线结构可以形成于该第一低k介电层之上。第二低k介电层可以形成于该第一低k介电层之上。共用电压电极和相关联的存储电容可以形成于该第二低k介电层之上。该第一低k介电层和第二低k介电层可以由具有基本上相似折射率的材料形成，以使得背光透射比最大化并且可以具有适当厚度从而使得寄生电容负载最小化。
显示像素电路结构

[实用新型]显示器和电子设备-CN201420567410.X有效
发明人：梁丙悳;野津大辅;山形裕和;大沢裕史;金景旭;张世昌 -专利权人：苹果公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本实用新型涉及显示器和电子设备。一种显示器可具有薄膜晶体管层和滤色器层。该显示器可具有有效区域和无效边界区域。该无效边界区域中的阻光结构可防止来自背光源导光板的杂散背光泄露出显示器。该薄膜晶体管层可具有透光基板、位于该透光基板上的图案化的黑色掩膜层、位于该黑色掩膜层上的透光平面化层、以及位于该透光平面化层上的薄膜晶体管电路层。该黑色掩膜层可由黑色可光成像的聚酰亚胺形成。该透光平面化层可由旋涂式玻璃形成。该阻光结构可包括由该黑色掩膜层的一部分形成的第一层和诸如位于该滤色器层的下侧的黑色带材层之类的第二层。
显示器电子设备

[发明专利]用于液晶显示器的边界掩膜结构-CN201410522299.7在审
发明人：梁丙悳;野津大辅;山形裕和;大沢裕史;金景旭;张世昌 -专利权人：苹果公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本公开涉及用于液晶显示器的边界掩膜结构。一种显示器可具有薄膜晶体管层和滤色器层。该显示器可具有有效区域和无效边界区域。该无效边界区域中的阻光结构可防止来自背光源导光板的杂散背光泄露出显示器。该薄膜晶体管层可具有透光基板、位于该透光基板上的图案化的黑色掩膜层、位于该黑色掩膜层上的透光平面化层、以及位于该透光平面化层上的薄膜晶体管电路层。该黑色掩膜层可由黑色可光成像的聚酰亚胺形成。该透光平面化层可由旋涂式玻璃形成。该阻光结构可包括由该黑色掩膜层的一部分形成的第一层和诸如位于该滤色器层的下侧的黑色带材层之类的第二层。
用于液晶显示器边界膜结构

[发明专利]发光器件及其制造方法-CN200810003745.8有效
发明人： 山形裕和;山崎舜平;高山彻 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-02-09 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种高质量的发光器件，其具有长耐久的发光元件，该发光器件没有由于允许较小退化的结构造成的常规元件的问题，并提供制造发光器件的方法。形成堤之后，用PVA(聚乙烯醇)基多孔物质等擦洗暴露的阳极表面，以便整平该表面并从该表面去除灰尘。在TFT上的层间绝缘膜和阳极之间形成绝缘膜。或者，在TFT上的层间绝缘膜表面上进行等离子体处理，用于表面修正。
发光器件及其制造方法

[发明专利]发光器件的制造方法-CN200510008322.1有效
发明人： 山形裕和;高桥正弘 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2001-05-14 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：提供了一种获得具有包含掺杂剂的发光层的EL元件的优异发光性能的方法，从而提供了一种制造含有此具有优异发光性能的EL元件的发光器件的方法，其中用蒸发方法制作由发光材料和掺杂剂构成的第一发光层，并借助于继续蒸发发光材料，同时停止蒸发掺杂剂，而制作由发光材料构成的第二发光层。结果，提高了各个发光层的连续性，从而能够得到优异的发光性能。
发光器件制造方法

[发明专利]发光器件及其制造方法-CN02127550.5有效
发明人：高山彻;山形裕和;高良昭彦;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-06-18 - 公布日： 2003-03-05 - 主分类号： H05B33/12 文献下载
摘要：传输水汽并容易吸收湿气是适合于层间绝缘膜的有机材料的特性，材料具有一个缺点即无论它是低分子还是高分子非常容易受到氧和湿气影响而退化。此外，采用碱金属或碱土金属用于发光元件的正电极或负电极，这些容易受到氧的氧化。因此湿气是造成发光元件的退化和造成黑点等缺陷的原因。提供一种发光器件，包括层间绝缘膜、发光元件和无机绝缘膜或碳膜，该层间绝缘膜包括高分子化合物并在绝缘表面上形成的TFT上形成，在层间绝缘膜上设置该发光元件，其中在一对电极之间形成包括有机化合物的发光层，该无机绝缘膜包含硅和氮作为它的主要成分，碳膜有SP3键合并包含氢并在该层间绝缘膜和该发光元件之间形成。
发光器件及其制造方法

[发明专利]发光器件及其制造方法-CN02104596.8有效
发明人： 山形裕和;山崎舜平;高山彻 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2002-02-09 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提供一种高质量的发光器件,其具有长耐久的发光元件,该发光器件没有由于允许较小退化的结构造成的常规元件的问题,并提供制造发光器件的方法。形成堤之后,用PVA(聚乙烯醇)基多孔物质等擦洗暴露的阳极表面,以便整平该表面并从该表面去除灰尘。在TFT上的层间绝缘膜和阳极之间形成绝缘膜。或者,在TFT上的层间绝缘膜表面上进行等离子体处理,用于表面修正。
发光器件及其制造方法

[发明专利]发光器件的制造方法-CN01119049.3有效
发明人： 山形裕和;高桥正弘 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2001-05-14 - 公布日： 2002-01-30 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：提供了一种获得具有包含掺杂剂的发光层的EL元件的优异发光性能的方法,从而提供了一种制造含有此具有优异发光性能的EL元件的发光器件的方法,其中用蒸发方法制作由发光材料和掺杂剂构成的第一发光层,并借助于继续蒸发发光材料,同时停止蒸发掺杂剂,而制作由发光材料构成的第二发光层。结果,提高了各个发光层的连续性,从而能够得到优异的发光性能。
发光器件制造方法

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