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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有硅顶栅薄膜晶体管和半导体氧化物顶栅薄膜晶体管的显示器-CN202310927832.7在审
发明人：小野晋也;林敬伟;庄景桑;张钧杰;尾本启介;林上智;常鼎国;石井孝英 -专利权人：苹果公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本文涉及具有硅顶栅薄膜晶体管和半导体氧化物顶栅薄膜晶体管的显示器。更具体而言，公开了一种电子设备，该电子设备可包括具有处于基板上的显示器像素阵列的显示器。该显示器像素可为有机发光二极管显示器像素，其包括使用半导体氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管和电容器结构形成的混合薄膜晶体管结构。该显示器像素中的驱动晶体管可为顶栅半导体氧化物薄膜晶体管，并且显示器像素中的开关晶体管可为顶栅硅薄膜晶体管。显示器中的存储电容器可以包括导电半导体氧化物电极。
具有硅顶栅薄膜晶体管半导体氧化物显示器

[发明专利]具有半导体氧化物晶体管的显示器电路-CN202180082102.0在审
发明人：黄戎岩;小野晋也;林敬伟;A·马祖泰拉;胡晟民;张志榜;庄景桑;周智薰;张钧杰;叶博纯;张世昌;刘豫文;李志瑙 -专利权人：苹果公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种显示器可包括像素阵列。该阵列中的每个像素包括耦接到相关联半导体氧化物晶体管的有机发光二极管。这些半导体氧化物晶体管可表现出不同的设备特性。这些半导体氧化物晶体管中的一些半导体氧化物晶体管可使用利用第一加工步骤由第一半导体氧化物材料形成的第一氧化物层形成，而其他半导体氧化物晶体管使用利用与该第一加工步骤不同的第二加工步骤由第二半导体氧化物材料形成的第二氧化物层形成。该显示器可包括在不同加工步骤期间形成的三个或更多个不同的半导体氧化物层。
具有半导体氧化物晶体管显示器电路

[发明专利]具有硅顶栅薄膜晶体管和半导体氧化物顶栅薄膜晶体管的显示器-CN202010341664.X有效
发明人：小野晋也;林敬伟;庄景桑;张钧杰;尾本启介;林上智;常鼎国;石井孝英 -专利权人：苹果公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本文涉及具有硅顶栅薄膜晶体管和半导体氧化物顶栅薄膜晶体管的显示器。更具体而言，公开了一种电子设备，该电子设备可包括具有处于基板上的显示器像素阵列的显示器。该显示器像素可为有机发光二极管显示器像素，其包括使用半导体氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管和电容器结构形成的混合薄膜晶体管结构。该显示器像素中的驱动晶体管可为顶栅半导体氧化物薄膜晶体管，并且显示器像素中的开关晶体管可为顶栅硅薄膜晶体管。显示器中的存储电容器可以包括导电半导体氧化物电极。
具有硅顶栅薄膜晶体管半导体氧化物显示器

[实用新型]光学感测系统和电子设备-CN202120662240.3有效
发明人：叶博纯;翟宇佳;陈远;M·Y·亚兹丹杜斯特;G·戈齐尼;C·H·泰;张钧杰;庄景桑 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本实用新型涉光学感测系统和电子设备。本文公开了用于透过显示器成像的系统和方法。光学成像传感器至少部分地定位在显示器后面，并且被配置为发射至少部分地穿过所述显示器的可见波长光以照亮与所述显示器的外表面接触或邻近的对象，诸如指纹或视网膜。来自所述对象的表面反射横穿所述显示叠层并被接收，并且所述对象的图像可被组合。
光学系统电子设备

[实用新型]光学感测系统和电子设备-CN202021839969.5有效
发明人：叶博纯;翟宇佳;陈远;M·Y·亚兹丹杜斯特;G·戈齐尼;C·H·泰;张钧杰;庄景桑 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本实用新型涉光学感测系统和电子设备。本文公开了用于透过显示器成像的系统和方法。光学成像传感器至少部分地定位在显示器后面，并且被配置为发射至少部分地穿过所述显示器的可见波长光以照亮与所述显示器的外表面接触或邻近的对象，诸如指纹或视网膜。来自所述对象的表面反射横穿所述显示叠层并被接收，并且所述对象的图像可被组合。
光学系统电子设备

[发明专利]用于显示设备的氢陷阱层及显示设备-CN202010681668.2在审
发明人：李制勋;庄景桑;山形裕和;张钧杰;K·金;叶柏均;张世昌;常鼎国 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开涉及用于显示设备的氢陷阱层及显示设备。本发明描述了具有氢陷阱层的显示面板。该氢陷阱层可结合到多种位置中以吸除或阻挡进入氧化物晶体管的半导体氧化物层中的氢扩散。
用于显示设备陷阱

[发明专利]具有硅顶栅薄膜晶体管和半导体氧化物顶栅薄膜晶体管的显示器-CN201880014884.2在审
发明人：小野晋也;林敬伟;庄景桑;张钧杰;尾本启介;林上智;常鼎国;石井孝英 -专利权人：苹果公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本文公开了一种电子设备，该电子设备可包括具有处于基板上的显示器像素阵列的显示器。该显示器像素可为有机发光二极管显示器像素，其包括使用半导体氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管和电容器结构形成的混合薄膜晶体管结构。该显示器像素中的驱动晶体管可为顶栅半导体氧化物薄膜晶体管，并且显示器像素中的开关晶体管可为顶栅硅薄膜晶体管。显示器中的存储电容器可以包括导电半导体氧化物电极。
显示器像素半导体氧化物显示器顶栅薄膜晶体管硅薄膜晶体管薄膜晶体管电子设备顶栅有机发光二极管显示器存储电容器导电半导体电容器结构晶体管结构开关晶体管驱动晶体管氧化物电极混合薄膜基板像素

[发明专利]电激发光显示器-CN201110343223.4有效
发明人：张志榜;谢信弘;庄景桑;林裕新 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开一种电激发光显示器，其包含一第一显示装置、一第二显示装置，以及一可调控式光开关单元。第一显示装置包含一第一发光元件及一第一薄膜晶体管，第二显示装置包含一第二发光元件及一第二薄膜晶体管。可调控式光开关单元设置于第一显示装置与第二显示装置之间，且可调控式光开关单元具有一透光状态与一不透光状态。
激发显示器

[发明专利]具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法-CN201010274529.4有效
发明人：胡晋玮;庄景桑;陈佳榆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法。本发明的晶体管结构，至少由基板、结晶半导体层、蚀刻停止结构、欧姆接触层、源极、漏极、栅极绝缘层以与栅极所构成。本发明的制作方法可通过相同的光掩模同时图案化欧姆接触层及结晶半导体层，或通过相同的另一光掩模同时图案化欧姆接触层及电极层。
具有蚀刻停止晶体管结构及其制作方法

[发明专利]主动元件阵列基板的制造方法-CN200910137354.X有效
发明人：陈昱丞;李振岳;庄景桑;石靖节;卓恩宗 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种主动元件阵列基板的制造方法。首先，提供一基板，其包括一显示区与一感测区。接着，于基板的显示区上形成一第一图案化导体层。于基板上形成一栅极介电层。于栅极介电层上形成一图案化半导体层、一第二图案化导体层以及一图案化光敏介电层，其中第二图案化导体层包括一源极、一漏极以及一下电极，图案化光敏介电层覆盖第二图案化导体层，图案化光敏介电层包括一位于源极与漏极上的接口保护层以及一位于下电极上的光感测层。之后，于基板上形成一覆盖保护层。继之，于覆盖保护层上形成一第三图案化导体层，其包括一像素电极以及一上电极。
主动元件阵列制造方法

[发明专利]X射线感测器及其制作方法-CN200910118511.2有效
发明人：陈昱丞;卓恩宗;庄景桑;彭佳添 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-02-26 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种X射线感测器及其制作方法，所述感测器包括：具有光感应区域的基板；图案化第一导电层，其至少包括设于光感应区域内的栅极；栅极介电层；图案化半导体层；图案化第二导电层，至少包括一源极与一漏极；介电层，所述介电层具有第一过孔，其暴露出部分漏极；图案化第三导电层，包括设于光感应区域内的感应下电极，并通过第一过孔而电连接于漏极；图案化富硅介电层；图案化透明导电层；覆盖图案化透明导电层的保护层；以及设于保护层上的闪烁发光层，其对准于图案化富硅介电层。所述感测器是以富硅介电材料作为感光层，增进感光灵敏度。此发明可使用较少的光刻暨刻蚀工艺，并降低薄膜层的总厚度，达到简化工艺与降低成本的目的。
射线感测器及其制作方法

[发明专利]半穿反液晶显示装置的像素结构的制作方法-CN200810181331.4有效
发明人：陈昱丞;李振岳;庄景桑;林昆志 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-11-19 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明关于一种半穿反液晶显示装置的像素结构的制作方法。本发明的制作方法包括于基板上形成由透明导电层与金属层堆迭而成的图案化第一导电层，作为栅极线、栅极、共用电极线以及设于穿透区域的预定穿透像素电极结构；以及于基板上形成图案化的第二导电层，以形成数据线以及反射像素电极，并且直接连接源极/漏极等离子掺杂区。根据本发明的制作方法，本发明可利用五道掩膜制作出半穿反液晶显示装置的像素结构，大幅简化半穿反液晶显示装置的制造过程，进而增加产能并且降低制造成本。
半穿反液晶显示装置像素结构制作方法

[发明专利]垂直式静电放电保护的元件结构-CN200610106158.2有效
发明人：张钧杰;庄景桑;王治平 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2006-07-20 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直式静电放电保护的元件结构，至少包括第一金属层、介电层及第二金属层。第一金属层设置于基板上，第一金属层具有多个第一金属缺口。且这些第一金属缺口中至少包括金属尖角。介电层设置于第一金属层上，第二金属层设置于介电层上。第一金属层的金属尖角和第二金属层之间，形成静电放电的垂直路径。
垂直静电放电保护元件结构

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