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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]对非易失性存储器编程的方法和操作具有其的系统的方法-CN201710883574.1有效
发明人：林惠镇;朴一汉;朴贤国;尹盛远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：用于对非易失性存储器进行编程的方法包括：对在非易失性存储器中包含的存储单元中的低位进行编程，在对存储单元中的高位进行编程之前读取存储单元中编程的低位，根据读取低位的结果确定存储单元的阈值电压，使用所述阈值电压确定存储单元的类型，并根据所确定的存储单元的类型将多个脉冲之一供应给连接到存储单元的位线。
非易失性存储器编程方法操作具有系统

[发明专利]非易失性存储器设备及对其编程的方法-CN202111304972.6在审
发明人：朴志胤;尹盛远;尹铉竣;郑原宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种操作执行多个存储器单元的多个编程循环的存储器设备的方法包括施加多个编程循环之中的第一编程循环的第一编程脉冲和第一验证脉冲，通过使用基于第一验证脉冲的输出对第一关闭单元计数进行计数，使用第一关闭单元计数确定第一验证跳过时段，响应于第一验证跳过时段的结束施加第N编程脉冲和多个验证脉冲，通过使用基于多个验证脉冲的输出对第二关闭单元计数进行计数，以及使用第二关闭单元计数确定第二验证跳过时段。
非易失性存储器设备编程方法

[发明专利]非易失性存储器设备、编程方法和其编程验证方法-CN201610665846.6有效
发明人：林惠镇;尹盛远;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了非易失性存储器设备和编程方法和其编程验证方法。一种用于非易失性存储器设备的编程验证方法，包括：关于第一级执行第一失败位计数操作以生成第一失败位累积值，并且将第一失败位累积值与第一失败参考值相比较以确定编程失败。当第一失败位累积值小于第一失败参考值时，执行用于第二阶段的第二失败位计数操作以生成第二失败位累积值。将第二失败位累积值与第二参考值相比较以确定编程失败。第二失败参考值不同于第一失败参考值。
非易失性存储器设备编程方法验证

[发明专利]非易失性存储器设备以及对其进行编程的方法-CN201611168375.4有效
发明人：金荣民;朴一汉;尹盛远;林惠镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器设备。存储单元阵列包括多个存储单元。地址译码器在第一编程循环中将第一验证电压提供至多个存储单元当中的所选择的存储单元，并且在第二编程循环中将第二验证电压提供至所选择的存储单元。控制逻辑基于第一编程循环的验证操作的结果，将第二编程循环确定为验证电压偏移点，在验证电压偏移点中将第一验证电压改变为第二验证电压。
非易失性存储器设备以及进行编程方法

[发明专利]包括非易失性存储器和控制器的存储装置及其操作方法-CN201710236665.6有效
发明人：林惠镇;李真烨;姜京花;金珉奭;金敏洙;尹盛远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括非易失性存储器和控制器的存储装置，所述控制器配置为根据外部主机装置的请求生成读取命令并传输读取命令至非易失性存储器。非易失性存储器配置为响应读取命令执行读取操作，输出读取数据至控制器，并储存读取操作的信息在内部寄存器中。
包括非易失性存储器控制器存储装置及其操作方法

[发明专利]非易失性存储设备及其编程方法-CN201811406794.6在审
发明人： 尹盛远;林惠镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：一种非易失性存储设备包含多个存储单元，所述存储单元包含第一存储单元和第二存储单元。一种对非易失性存储设备进行编程的方法，包含：执行第一编程，以将编程强制电压施加到每个第一存储单元的位线；并且在执行第一编程之后基于第二存储单元的阈值电压，将第二存储单元划分为第一单元组、第二单元组和第三单元组。所述方法还包含执行第二编程，以将编程禁止电压施加到每个第一存储单元的位线和第一单元组的每个存储单元的位线。所述编程强制电压的电平低于编程禁止电压的电平。
编程存储单元单元组非易失性存储设备第二存储单元位线电压施加阈值电压

[发明专利]包括质量位计数器的存储器设备及其操作方法-CN201811249889.1在审
发明人： 尹盛远;李汉埈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种操作包括多个级的存储器设备的方法，其中每一级具有多个页面缓冲器。该方法包括：执行多个编程循环当中的第一编程循环的验证操作，第一编程循环的验证操作包括：基于第一采样率对所述多个级的第一级执行第一关闭单元计数操作，以生成第一关闭单元计数结果；基于第一关闭单元计数结果选择性地改变第一采样率以生成改变的第一采样率；以及基于第一采样率和改变的第一采样率中的一个对所述多个级中的第二级执行第二关闭单元计数操作，以生成第二关闭单元计数结果。
关闭单元采样率编程循环计数结果存储器设备计数操作缓冲器验证多个页面位计数器第一级每一级

[发明专利]具有三维存储单元阵列的非易失性存储器件-CN201110227178.6有效
发明人：朴晸壎;姜京花;尹治元;南尚完;尹盛远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：公开了一种非易失性存储器件，其包括：三维存储单元阵列，所述的三维存储单元阵列具有从最靠近衬底的最低存储单元阵列层向最远离衬底的最高存储单元阵列层延伸的字线；电压生成器电路，其产生第一电压信号和第二电压信号；以及行选择电路，其同时施加第一电压信号到被选字线和第二电压信号到未选字线。被选字线和未选字线具有不同电阻；然而在定义的时段内以相同的上升斜率将第一电压信号施加到被选字线以及将第二电压信号施加到未选字线。
具有三维存储单元阵列非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器器件和相关的编程方法-CN201010150541.4有效
发明人： 尹盛远;崔奇焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器器件和相关的编程方法。该非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；电压生成器，所述电压生成器被构造成产生电压，以对多个存储器单元进行编程；以及控制逻辑组件，所述控制逻辑组件被构造成控制电压生成器，以在编程循环的连续迭代期间向选定存储器单元提供多个编程电压。其中，在当前编程循环迭代期间判断与一个逻辑状态相对应的存储器单元被编程通过的情况下，控制逻辑组件控制电压生成器，使得在后续编程循环迭代期间，跳过与一个逻辑状态相对应的编程电压。
非易失性存储器器件相关编程方法

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