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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]内窥镜保持器-CN201780033141.5有效
发明人：矢作直久;和田则仁;小川逸郎;小川晓;井上让;依田满 -专利权人：学校法人庆应义塾;株式会社和幸制作所;埼玉商工会议所
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： A61B1/00 文献下载
摘要：提供一种能够使插入到体内的内窥镜在固定到预定的插入位置上的状态下旋转或摆动的内窥镜保持器。内窥镜保持器(1)具备：保持器主体(3)，其具备插通孔(2)；握持构件(7a、7b)，其夹持插通于插通孔(2)的内窥镜(E)；第一弹性构件(12a、12b)，其向使握持构件(7a、7b)相互远离的方向施力；按压构件(13)，其向握持构件(7b)的方向按压握持构件(7a)；切换机构(17)，其保持或解除按压状态；辊子(10)，其设置在握持构件(7a、7b)上；以及第二弹性构件(15)，其可自由摆动地支撑握持构件(7b)。
内窥镜保持

[发明专利]内部电源电压产生电路、半导体存储装置及半导体装置-CN201510314289.9有效
发明人： 小川晓 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明为内部电源电压产生电路、半导体存储装置及半导体装置。其以内部电源电压成为基准电压的方式进行调整。所述内部电源电压产生电路包括：电荷共享电路，包含充电电容器、初始电压调整电路及电荷重置电路，所述充电电容器经由开关电路而连接于差分放大器，且以控制电压的电荷进行充电，所述初始电压调整电路对充电电容器调整并施加初始电压，所述电荷重置电路对充电电容器进行放电，当内部电源电压较基准电压而下降时，将具有初始电压的充电电容器连接至差分放大器，在传输期间内将控制电压的电荷传输至充电电容器。
内部电源电压产生电路半导体存储装置

[发明专利]晶体管测试电路及方法、半导体记忆装置以及半导体装置-CN201510518235.4有效
发明人： 小川晓 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：晶体管测试电路及方法、半导体记忆装置以及半导体装置。本发明提供可对每个芯片高准确度地测定半导体装置中所含的晶体管的击穿电压的晶体管测试电路等。晶体管测试电路，其设置于半导体芯片，测定MOS晶体管的击穿电压，该晶体管测试电路包括：电压施加装置，对所述MOS晶体管的漏极、源极及栅极中的至少其中之一施加预定的测试电压；电流检测电路，当施加所述测试电压时，对从所述MOS晶体管流至负载电路的电流进行检测；电流镜电压输出电路，产生与检测出的所述电流对应的镜像电流并输出；以及比较器电路，将所述镜像电流与预定的基准电流进行比较并输出比较结果信号。
晶体管测试电路方法半导体记忆装置以及

[发明专利]内部电源电压辅助电路、半导体存储装置及半导体装置-CN201510360047.3有效
发明人： 小川晓;伊藤伸彦 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明提供一种内部电源电压辅助电路，用于内部电源电压产生电路，内部电源电压产生电路包括：差动放大器，将供给至负载电路的内部电源电压与规定的基准电压进行比较，并从输出端子输出控制电压；及驱动晶体管，根据控制电压来驱动外部电源电压。内部电源电压辅助电路包括：时序检测电路，检测数据信号的变化，产生并输出检测信号；及内部电源电压辅助供给电路，基于检测信号，辅助性地供给针对负载电路的电流。因此，可稳定地输出内部电源电压，而消耗电力不会大幅增大。本发明亦提供一种半导体存储装置及半导体装置。
内部电源电压辅助电路半导体存储装置

[发明专利]用于非易失性存储装置的感测电路以及非易失性存储装置-CN201610033453.3有效
发明人： 小川晓 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于非易失性存储装置的感测电路以及非易失性存储装置。该感测电路，被设置于包含锁存器的页面缓冲器中，并且感测数据，所述锁存器是在对非易失性存储装置的存储单元写入或读出数据时暂时保存数据，该感测电路包括：第1开关组件及叠栅型控制组件，串联连接于第1讯号线与锁存器的第1端子之间；以及第2开关组件，连接于第1开关组件与叠栅型控制组件之间，在经由感测致能讯号来使第1开关组件导通的感测开始前，叠栅型控制组件的浮动栅极的电压设定为将从叠栅型控制组件的浮动栅极所见的临限值电压加上规定电压所得的电压值，之后感测存储单元的数据。
用于非易失性存储装置电路以及

[发明专利]非易失性存储装置与用于其的写入电路及方法-CN201510624731.8有效
发明人： 小川晓 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明披露了非易失性存储装置与用于其的写入电路及方法。该用于非易失性存储装置的写入电路，所述非易失性存储装置具备控制电路，该控制电路在进行数据的写入时，判断每个存储单元的编程结束，该写入电路包括：第1开关元件，基于由保存对应的存储单元的编程校验状态的存储元件所保存的数据而受到通断控制；判断控制用MOS晶体管，进行编程校验的判断控制；以及第2开关元件，基于判断控制信号，将控制判断控制用MOS晶体管的电压施加至其栅极，在进行编程校验之前，将判断控制用MOS晶体管的栅极电压设定成为将判断控制用MOS晶体管的阈值电压加上预设控制电压值所得的电压值。
非易失性存储装置用于写入电路方法

[发明专利]电平移位电路以及利用电平移位电路的半导体装置-CN201210482802.1有效
发明人： 小川晓 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： G11C19/00 文献下载
摘要：一种电平移位电路以及利用电平移位电路的半导体装置。该电平移位电路用以当具有一第一电平的一数据输入信号存储于一锁存器后，通过一输出反相器输出具有一第二电平的一数据输出信号，其中上述电平移位电路包括，一电平设定电路，当上述输出数据信号具有一低电压电平时，根据上述输入数据信号的变化将上述输出数据信号设定为一低电压电平。上述电压电平电路耦接至一输出反相器的一输出端，且具有一漏极以及一源极耦接至接地端的一NMOS晶体管，且其中当上述输入数据信号为一高电压位时，上述NMOS晶体管导通。
电平移位电路以及利用半导体装置

[发明专利]内部电压调整电路、内部电压调整方法以及半导体装置-CN201310047176.8有效
发明人： 小川晓 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：一种内部电压调整电路，包括：一控制装置，利用一时钟的计数值的变化调整一内部电压，其中一半导体装置的一内部电压产生器产生该内部电压，一时钟产生器根据流过该时钟产生器的一电源电流源的一晶体管的电流产生该时钟；其中当一预定参考电压施加至该晶体管的控制端时，该控制装置计数该时钟产生器所产生的该时钟的第一计数值，当该内部电压施加至该晶体管的该控制端时，该控制装置计数该时钟产生器所产生的该时钟的第二计数值，且该控制装置控制该内部电压产生器所产生的该内部电压以使该第二计数值实质上与该第一计数值一致。
内部电压调整电路方法以及半导体装置

[发明专利]半导体存储装置及其ID 码及上位地址写入方法-CN201210285411.0有效
发明人： 小川晓;仲家睦哉 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明披露了半导体存储装置及其ID码及上位地址写入方法。快闪存储器的半导体芯片D1～DN层迭而呈多芯片封装（MCP），每个半导体芯片D1～DN包括用以储存ID码与上位地址的快闪存储器的存储单元阵列。ID码于组装处理前写入存储单元阵列20的熔丝数据区20F。根据本发明，ID码与上位地址可以被分配且简单地写入多芯片封装中的每个半导体芯片，而相比于现有技术不增加半导体芯片尺寸。
半导体存储装置及其 id 上位地址写入方法

[发明专利]半导体器件及其控制方法-CN200580050283.X有效
发明人： 小川晓;矢野胜 -专利权人：斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： G11C16/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其控制方法，该半导体具备：第一电流电压转换电路(16)，连接于非易失性存储器单元阵列(10)内设置的核心单元(12)；第二电流电压转换电路(26)，通过参考单元数据线(24)连接参考单元(22)；感测放大器(18)，感测第一电流电压转换电路的输出与第二电流电压转换电路的输出；比较电路(28)，比较参考单元数据线的电压值与既定电压值；以及充电电路(30)，在参考单元数据线的预充电时，当参考单元数据线的电压值比既定电压值还低时，对参考单元数据线进行充电。依据本发明，能够缩短参考单元数据线的预充电时间，而能够缩短数据读取时间。
半导体器件及其控制方法

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