“小山田成圣”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件-CN201910753596.5在审
发明人： 小山田成圣 -专利权人：野田士克林股份有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。这样一种半导体器件的电源布线结构，其包括以倒装芯片方式安装在衬底上的半导体芯片，其降低了内部布线的特性阻抗且由此提高了噪声降低效果，同时实现了在高频电源操作期间的低阻抗。在从平面图观察时的半导体芯片的安装面上的多个周边电极焊盘的内侧区域中，在半导体芯片的保护膜上的第一绝缘膜上，半导体器件具有用于将电力提供至半导体芯片的内侧电源板结构。内侧电源板结构包括在第一绝缘膜上的第一电源板、在第一电源板上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二电源板。
电源板半导体芯片绝缘膜半导体器件电源布线结构噪声降低效果周边电极焊盘操作期间倒装芯片电力提供高频电源内部布线内侧区域特性阻抗保护膜低阻抗衬底观察

[发明专利]薄膜电容器构造及具备该薄膜电容器构造的半导体装置-CN201780089382.1在审
发明人： 小山田成圣 -专利权人：野田士克林股份有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：薄膜电容器构造(50)与在电极垫面(2S)呈面阵状地配置有多个电极垫(3G、3P、3S)的面阵式集成电路(2)的电极垫面(2S)接合。薄膜电容器构造(50)具备薄膜电容器(10)、第一绝缘膜(21)、第二绝缘膜(22)及多个贯通孔(30P、30G、30S)，薄膜电容器(10)包括第一薄板电极(11)、第二薄板电极(13)及形成于第一薄板电极(11)与第二薄板电极(12)之间的薄膜电介质层(12)。多个贯通孔(30P、30G、30S)从第一绝缘膜(21)经由薄膜电容器(10)贯通到第二绝缘膜(22)，形成于与多个电极垫(3G、3P、3S)对应的位置。
薄膜电容器薄板电极电极垫绝缘膜贯通孔薄膜电介质层接合面阵式面阵状集成电路贯通配置

[发明专利]中间连接器、包括中间连接器的半导体装置和制造中间连接器的方法-CN201680084548.6有效
发明人： 小山田成圣 -专利权人：野田士克林股份有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：中间连接器(1)包括：呈细长薄板的形式的电源汇流条(11)，连接到半导体集成电路(2)的每一个电源焊盘；呈细长薄板的形式的接地汇流条(12)，连接到半导体集成电路的每一个接地焊盘；薄膜绝缘体层(13)，形成在电源汇流条(11)与接地汇流条(12)之间；以及呈细长薄板的形式的导电路径部分(14)，包括待连接到半导体集成电路的每一个信号焊盘的多个导电路径(15)。与半导体集成电路的电源焊盘行、接地焊盘行和信号焊盘行的并联布置对应地，并联布置每一个均在直立状态下的电源汇流条(11)、接地汇流条(12)和导电路径部分(14)，使得薄板的纵向方向平行于半导体集成电路的凸块安装面(2S)。
半导体集成电路中间连接器电源汇流条接地汇流条导电路径并联布置电源焊盘接地焊盘信号焊盘薄膜绝缘体层半导体装置直立状态安装面凸块平行制造

[发明专利]半导体存储装置-CN201580078238.9有效
发明人： 小山田成圣 -专利权人：野田士克林股份有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G11C5/00 文献下载
摘要：一种半导体存储装置(1)，其配备有在面向存储器芯片(10)的电路表面(11)的除中心焊盘区(14)以外的位置处布置的薄膜电容器(30)。所述薄膜电容器(30)包括第一平面电极(31)、顺电材料或铁电材料的薄膜介电层(33)和第二平面电极(32)。第一平面电极包括被提供有针对存储器芯片的一个极性的电源电压的第一电源输入部(31Gin)、以及被布置在中心焊盘区附近以将一个极性的电源电压输出给中心焊盘(13)的第一电源输出部(31Gout)。第二平面电极被形成在薄膜介电层上，并且包括被提供有针对存储器芯片的另一极性的电源电压的第二电源输入部(32Vin)、以及被布置在中心焊盘区附近以将另一极性的电源电压施加给中心焊盘的第二电源输出部(32Vout)。
半导体存储装置

[发明专利]半导体器件-CN201580016424.X有效
发明人： 小山田成圣 -专利权人：野田士克林股份有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种半导体器件(100)，其配置有：半导体集成电路(2)，其具有凸块安装面(2S)；和薄膜电容器部(1)，其经由凸块(22)连接至凸块安装面。半导体集成电路(2)包括施加有一个极性(Vdd)的电源电压的第一电源焊盘(21V)和施加有另一极性(Gnd)的电源电压的第二电源焊盘(21G)。薄膜电容器部(1)包括连接至第一电源焊盘的第一电极层(11)，连接至第二电源焊盘的第二电极层(12)，和形成在第一电极层与第二电极层之间的介电层(13)。半导体器件设置有：电力供应路径(30)，其被配置为向半导体集成电路供应电力；和薄板状金属电阻器部(17)，其被设置在电力供应路径中并且由具有高于第一电极层和第二电极层的体积电阻率的体积电阻率的金属基高电阻材料制成。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201380000972.4有效
发明人： 小山田成圣;吉泽正充;小川裕誉 -专利权人：野田士克林股份有限公司
申请日： 2013-02-12 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体芯片、内插板、表面电路图案以及接线柱阵列。表面电路图案形成在内插板的一个表面上并包括连接至半导体芯片的外部连接焊盘的芯片侧焊盘、接合焊盘以及具有连接至芯片侧焊盘的一端且连接至连接焊盘的另一端的互连线。互连线从芯片侧焊盘朝向内插板的外边缘延伸。接线柱阵列包括导电路径以及将导电路径彼此隔离的绝缘树脂。接线柱阵列布置为导电路径在与内插板的表面交叉的方向上延伸。导电路径各具有连接至连接焊盘的一端以及要连接至印刷线路板的另一端。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201510626947.8在审
发明人： 小山田成圣 -专利权人：野田士克林股份有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。这样一种半导体器件的电源布线结构，其包括以倒装芯片方式安装在衬底上的半导体芯片，其降低了内部布线的特性阻抗且由此提高了噪声降低效果，同时实现了在高频电源操作期间的低阻抗。在从平面图观察时的半导体芯片的安装面上的多个周边电极焊盘的内侧区域中，在半导体芯片的保护膜上的第一绝缘膜上，半导体器件具有用于将电力提供至半导体芯片的内侧电源板结构。内侧电源板结构包括在第一绝缘膜上的第一电源板、在第一电源板上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二电源板。
半导体器件