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[发明专利]电路特性测定系统及电路特性测定方法-CN202080067185.1在审
发明人：名仓彻;鸙野俊寿;山下宗寛;吉泽正充 -专利权人：学校法人福冈大学;日本电产理德股份有限公司;野田网印株式会社
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01R27/28 文献下载
摘要：本发明的电路特性测定系统1包括：信号电压发生电路2，对测定对象的被测定电路51依序施加多个周期电压信号，所述多个周期电压信号分别具有规定的基准频率以及基准频率的整数倍的频率；测定电路3，依序测定因对被测定电路51依序施加所述周期电压信号而在被测定电路51中产生的信号的功率；以及传递函数算出部42，使用预先设定的数式、根据由测定电路3测定出的多个功率来算出被测定电路51的传递函数H、H2，所述周期电压信号包含高阶频率分量。
电路特性测定系统方法

[发明专利]LC谐振元件和谐振元件阵列-CN201780023338.0在审
发明人： 吉泽正充 -专利权人：野田士克林股份有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01F27/00 文献下载
摘要：LC谐振元件(10)包括：介电膜(12)；在介电膜的下表面(12D)上由薄膜导体形成的公共电极(11)；经由公共电极(11)串联连接且构成薄膜电容器(TC)的第一电容器(C1)和第二电容器(C2)；在介电膜的上表面(12U)上形成的第一和第二外部连接端子(14A；14B)；构成薄膜电感器(TL)的薄膜导线(16)；在上表面(12U)上形成的第一电容器的第一上部电极(13A)；和在上表面(12U)上形成的第二电容器的第二上部电极(13B)。在位于介电膜的上表面(12U)上且在平面视图中在公共电极(11)的外侧的区域(R2)中形成薄膜导线(16)。
介电膜上表面公共电极电容器第一电容器薄膜导线上部电极外部连接端子薄膜电感器薄膜电容器薄膜导体平面视图元件阵列下表面

[发明专利]薄膜电容器和半导体器件-CN201680021116.0在审
发明人： 吉泽正充;服部笃典;波多野弘孝;楠本和贵 -专利权人：野田士克林股份有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种在包括半导体芯片(50)的半导体器件(100)的重新分布层(10)中的薄膜电容器(20)。该薄膜电容器(20)包括电容器本体(21)，该电容器本体(21)包括第一电极(21A)、在所述第一电极上的电介质(21B)和在所述电介质上的第二电极(21C)；以及粘合部(22)，该粘合部被设置在所述第一电极(21A)的下表面上，并且用于将所述薄膜电容器(20)附接到所述半导体芯片(50)的保护膜(52)上。所述电容器本体(21)的厚度和所述粘合部(22)的厚度的总和为20μm或更小。
薄膜电容器电容器本体第一电极粘合部电介质半导体器件半导体芯片重新分布层第二电极保护膜下表面

[发明专利]半导体器件-CN201380000972.4有效
发明人：小山田成圣;吉泽正充;小川裕誉 -专利权人：野田士克林股份有限公司
申请日： 2013-02-12 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体芯片、内插板、表面电路图案以及接线柱阵列。表面电路图案形成在内插板的一个表面上并包括连接至半导体芯片的外部连接焊盘的芯片侧焊盘、接合焊盘以及具有连接至芯片侧焊盘的一端且连接至连接焊盘的另一端的互连线。互连线从芯片侧焊盘朝向内插板的外边缘延伸。接线柱阵列包括导电路径以及将导电路径彼此隔离的绝缘树脂。接线柱阵列布置为导电路径在与内插板的表面交叉的方向上延伸。导电路径各具有连接至连接焊盘的一端以及要连接至印刷线路板的另一端。
半导体器件