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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电子装置及其控制方法和计算机可读存储介质-CN201911367630.1有效
  • 小山润;北矢光辉;村上新 - 佳能株式会社
  • 2019-12-26 - 2023-08-01 - G06F3/0484
  • 本发明涉及一种电子装置及其控制方法和计算机可读存储介质。所述电子装置包括：控制单元，用于进行控制，使得在第二画面上进行同一内容的循环滚动显示，所述循环滚动显示涉及：根据第一操作，在不使指示符滚动的情况下使通过平板显示正显示的VR内容在第一方向上滚动，并且使VR内容中的与第一方向上的滚动量相对应的图像区域从矩形区域中的第二方向的端部起在第一方向上顺次显示，以及使得即使在进行第一操作的情况下，也不在第一画面上进行循环滚动显示；以及生成单元，用于基于由指示符表示的区域，来生成VR内容中的包括比第一视频范围窄的第二视频范围的已编辑VR内容。
  • 电子装置及其控制方法计算机可读存储介质
  • [发明专利]逻辑电路和半导体器件-CN202110982134.8在审
  • 山崎舜平;小山润;津吹将志;野田耕生 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2010-09-24 - 2022-01-07 - H01L29/423
  • 逻辑电路包括：薄膜晶体管，具有使用氧化物半导体所形成的沟道形成区；以及具有端子的电容器，通过使薄膜晶体管截止来使端子之一进入浮动状态。氧化物半导体具有5×1019(原子/cm3)或更小的氢浓度，并且因此在没有生成电场的状态中实质上用作绝缘体。因此，薄膜晶体管的截止状态电流能够降低，从而引起抑制通过薄膜晶体管的电容器中存储的电荷的泄漏。相应地，能够防止逻辑电路的故障。此外，能够通过薄膜晶体管的截止状态电流的降低，来降低逻辑电路中流动的过量电流，从而导致逻辑电路的低功率消耗。
  • 逻辑电路半导体器件
  • [发明专利]半导体集成电路-CN201711425966.X有效
  • 小山润 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2011-07-15 - 2021-12-28 - H03K3/012
  • 本申请涉及半导体集成电路。降低半导体集成电路的耗电量，并降低半导体集成电路中的工作延迟。包括在存储电路中的多个时序电路分别包括：晶体管，该晶体管的沟道形成区使用氧化物半导体形成；以及电容器，该电容器的一个电极电连接到当所述晶体管截止时成为浮动状态的节点。通过将氧化物半导体用于晶体管的沟道形成区，可以实现断态电流(泄漏电流)极小的晶体管。因此，通过在不向存储电路供应电源电压的期间中使该晶体管截止，可以将该期间中的与电容器的一个电极电连接的节点的电位保持为恒定或大致恒定。结果，可以实现上述目的。
  • 半导体集成电路
  • [发明专利]显示设备及其控制方法-CN201710886201.X有效
  • 宫川惠介;小山润 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2003-10-21 - 2021-12-07 - G09G3/3233
  • 本发明是一种显示设备及其控制方法。一个传统的设定电压是带有一个发光元件的特征变化的估计容限的值。因此在驱动晶体管的源极和漏极间的电压Vds必须要设定得较高(Vds＞Vgs‑VTh+a)。这就造成了由施加给发光元件的电压所产生的高发热和高能耗。本发明的特点是，根据由于发光元件的老化，反馈一个电流值的变化，并且有一个电源压控器，它可以改变设定电压。即，根据本发明，可以将设定电压设定在饱和区域和线性区域的边界(临界部分)附近，而针对初始设定电压不再需要对老化的电压容限。
  • 显示设备及其控制方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201610148642.5有效
  • 山崎舜平;小山润;加藤清 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2010-12-01 - 2021-11-02 - H01L27/108
  • 本发明的目的之一是提供一种具有新的结构的半导体装置，其中，在数据存储时间中即使没有电力供给也能够存储存储内容并且对写入次数也没有限制。该半导体装置包括：包括第一源电极以及第一漏电极、与第一源电极以及第一漏电极电连接且使用氧化物半导体材料的第一沟道形成区域、第一沟道形成区域上的第一栅极绝缘层以及第一栅极绝缘层上的第一栅电极的第一晶体管。第一晶体管的第一源电极和第一漏电极之一与电容器的一个电极彼此电连接。
  • 半导体装置
  • [发明专利]液晶显示装置、EL显示装置以及其制造方法-CN201710232434.8有效
  • 山崎舜平;小山润 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2012-11-07 - 2021-08-24 - H01L27/12
  • 本发明涉及液晶显示装置、EL显示装置以及其制造方法。本发明的课题是不增加在具有晶体管的显示装置的制造工序中使用的光掩模个数而提高晶体管的可靠性。在该晶体管中，省略用来形成岛状半导体层的光刻工序及蚀刻工序，不增加光掩模个数而制造岛状半导体层。具体地说，通过形成栅电极的工序、形成用来减少蚀刻工序等所造成的损伤的保护层的工序、形成源电极及漏电极的工序、形成接触孔的工序、形成像素电极的工序的五个光刻工序制造液晶显示装置。并且本发明的一个方式的液晶显示装置具有在形成接触孔的工序同时形成且用来断开半导体层的沟槽部分。
  • 液晶显示装置el及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件-CN202110517345.4在审
  • 山崎舜平;坂田淳一郎;小山润 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2009-12-25 - 2021-08-13 - H01L27/12
  • 本发明涉及一种半导体器件。提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710266365.2有效
  • 山崎舜平;坂田淳一郎;小山润 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2009-12-25 - 2021-06-08 - H01L27/12
  • 半导体器件及其制造方法。提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]显示装置和包括显示装置的电子设备-CN201710967394.1有效
  • 山崎舜平;小山润;三宅博之 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2010-09-24 - 2021-03-23 - H01L29/786
  • 本发明涉及显示装置和包括显示装置的电子设备。本发明的一个目的在于提供具有减少的功耗的显示装置以及提供具有减少的功耗且在暗处能够长时间地使用的自发光型显示装置。利用薄膜晶体管形成电路，在该薄膜晶体管中使用了高度纯净化的氧化物半导体，并且像素能够保持一定的状态(视频信号已被写入的状态)。因此，即使在显示静止图像的情况下，也能容易地执行稳定的操作。此外，可以延长驱动器电路的操作间隔，这使得显示装置的功耗降低。而且，在自发光型显示装置的像素部分中使用蓄光材料以存储光，由此能够在暗处较长时间地使用该显示装置。
  • 显示装置包括电子设备
  • [发明专利]显示装置和包括显示装置的电子设备-CN202011381869.7在审
  • 山崎舜平;小山润;三宅博之 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2010-09-24 - 2021-03-05 - G09G3/30
  • 本发明涉及显示装置和包括显示装置的电子设备。本发明的一个目的在于提供具有减少的功耗的显示装置以及提供具有减少的功耗且在暗处能够长时间地使用的自发光型显示装置。利用薄膜晶体管形成电路，在该薄膜晶体管中使用了高度纯净化的氧化物半导体，并且像素能够保持一定的状态(视频信号已被写入的状态)。因此，即使在显示静止图像的情况下，也能容易地执行稳定的操作。此外，可以延长驱动器电路的操作间隔，这使得显示装置的功耗降低。而且，在自发光型显示装置的像素部分中使用蓄光材料以存储光，由此能够在暗处较长时间地使用该显示装置。
  • 显示装置包括电子设备
  • [发明专利]半导体器件-CN202011122456.7在审
  • 小山润 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2010-09-21 - 2021-01-19 - G11C19/28
  • 本发明涉及半导体器件。移位寄存器或者包含该移位寄存器的显示装置的功率消耗被降低。时钟信号由多条布线，而不是由一条布线来供应给移位寄存器。该多条布线中的任一条仅在移位寄存器的操作时段的部分时间内，而不是在移位寄存器的整个操作时段内供应时钟信号。因此，由供应时钟信号所引起的容量负载能够得以降低，从而使得移位寄存器的功率消耗降低。
  • 半导体器件
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