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[发明专利]一种相变材料抛光后清洗液-CN201010189161.1有效
发明人：王良咏;宋志棠;刘波;刘卫丽;钟旻;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-06-01 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C11D1/86 文献下载
摘要：本发明提供一种相变材料抛光后清洗液，此抛光后清洗液包含氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂及酸性介质。通过本发明提供的抛光后清洗液，对相变存储器件做抛光后处理，可大大减少相变存储器件在化学机械抛光工艺后产生的缺陷(微划痕、残留等)，从而改善化学机械抛光工艺控制和提高相变存储器件性能。
一种相变材料抛光清洗

[发明专利]可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液-CN201010189145.2有效
发明人：王良咏;宋志棠;刘波;刘卫丽;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-06-01 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氧化硅介电材料的化学机械抛光液，此化学机械抛光液以抛光液总重量为基准，包含下列重量百分比的原料组分：氧化硅抛光颗粒0.2-30wt％；表面活性剂0.01-4wt％；有机添加剂0.01-5wt％；pH调节剂和水性介质为余量；所述化学机械抛光液的pH值范围为9-12。本发明的化学机械抛光液氧化硅薄膜去除速率可控，可满足半导体应用中氧化硅介电材料在CMP工艺中的要求。
可控氧化去除速率化学机械抛光

[发明专利]一种Sb-Te-Ti相变存储材料-CN201110196219.X无效
发明人：吴良才;朱敏;宋志棠;饶峰;宋三年;彭程;刘波;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及相变材料及其制备方法，尤其是可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为SbxTeyTi100-x-y，其中0＜x＜80，0＜y＜100-x。现有的Sb-Te相变材料结晶过程以晶粒生长占主导，因此相变速率快，然而保持力不能满足工业要求。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料的结晶温度得到大幅度地升高，保持力提升，热稳定性增强；同时，非晶态电阻降低，晶态电阻升高；可广泛应用于相变存储器。
一种 sb te ti 相变存储材料

[发明专利]多层堆叠电阻转换存储器的制造方法-CN201010186449.3有效
发明人：张挺;马小波;宋志棠;刘旭焱;刘波;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过键合法实现的多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造含有外围电路和电阻转换存储器的第一圆晶；制造表面有低电阻率重掺杂半导体层的第二圆晶；键合第一圆晶和第二圆晶，通过后续的工艺去除第二圆晶多余部分半导体，可采用背面腐蚀、抛光、或者退火剥离等工艺；继续在键合圆晶上制造选通单元和电阻转换存储单元，获得的多层堆叠电阻转换存储器中的重掺杂半导体为字/位线。本发明采用重掺杂的半导体字/位线取代金属字/位线，能够使工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性。
多层堆叠电阻转换存储器制造方法

[发明专利]移动通信的数据传输加密方法-CN201110186645.5无效
发明人：夏海波;封松林;倪凯;魏建明;程嘉昇;李焱 -专利权人：上海市安全生产科学研究所
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H04W12/02 文献下载
摘要：一种移动通信的数据传输加密方法，涉及数据通信技术领域，所解决的是提高数据传输安全性的技术问题。该方法的具体步骤如下：移动终端采用AES算法将发送文本加密成密文后发送给服务器；服务器采用AES算法将收到的密文解密后再进行处理；服务器对接收文本处理完毕后即生成待返回文本，并采用AES算法将待返回文本加密成密文后发送给移动终端；移动终端先采用AES算法将收到的密文解密成明文，再输出至显示屏显示。本发明提供的方法，能提高数据传输安全性。
移动通信数据传输加密方法

[发明专利]网页上播放移动通信视频的方法-CN201110186643.6无效
发明人：夏海波;封松林;倪凯;魏建明;程嘉昇;李焱 -专利权人：上海市安全生产科学研究所
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H04N7/30 文献下载
摘要：一种网页上播放移动通信视频的方法，涉及通信视频技术领域，所解决的是移动设备摄录的视频文件在网页上播放的技术问题。该方法的具体步骤如下：移动通信终端通过无线通信网络将视频文件上传给网页服务器；在网页服务器中内置一个视频转码器，网页服务器收到移动通信终端上传的视频文件后，先通过内置的视频转码器判断该视频文件的格式，如果该视频文件的格式非FLV格式，则先将该视频文件的格式转换为FLV格式的视频文件，再将转换后的FLV格式视频文件插入到网页中播放，反之则直接将上传的视频文件插入到网页中播放。本发明提供的方法，利于移动设备摄录的视频文件以网络视频方式播放。
网页播放移动通信视频方法

[发明专利]移动通信的底层多线程数据传输方法-CN201110186714.2无效
发明人：夏海波;封松林;倪凯;魏建明;程嘉昇;李焱 -专利权人：上海市安全生产科学研究所
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H04W24/00 文献下载
摘要：一种移动通信的底层多线程数据传输方法，涉及数据传输技术领域，所解决的是提高系统效率及可靠性的技术问题。该方法的具体步骤如下：每个移动终端需要与服务器进行数据通信时，先与服务器建立通信连接，然后再与服务器进行数据通信；服务器启动后创建一个主线程监听本地网络端口，并在监听到有移动终端发送来的建立连接请求后，创建一个对应该移动终端的子线程；每个子线程创建后，先与对应移动终端建立通信连接，然后独立地和与对应移动终端进行数据通信，并在通信完毕后关闭通信连接；主线程对每个子线程进行监控，对没有运行的子线程实行销毁。本发明提供的方法，能有效保证数据通信的实时性和并发性，且能提高系统可靠性。
移动通信底层多线程数据传输方法

[发明专利]多层堆叠电阻转换存储器结构-CN201110091476.7无效
发明人：张挺;陈婉;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层堆叠电阻转换存储器结构，具有以下的特征：电阻转换存储器结构包括至少两层电阻转换存储层；每层的电阻转换存储层中含有选通管和对应的电阻转换存储单元，单个选通管选通至少两个电阻转换存储单元；选通管为双极型晶体管、肖特基二极管、PN二极管或者为氧化物二极管；多层堆叠电阻转换存储器结构还包含外围电路，各层电阻转换存储层共享外围电路。该器件结构能大幅提高存储器的密度，而且通过共享外围电路节省了外围电路的面积，并且多个存储单元共用选通管就有效地增大了选通二极管的面积，也就增大了选通管的驱动电流，给电阻转换存储器的编程操作留出了更多的空间。
多层堆叠电阻转换存储器结构

[发明专利]一种电阻转换存储器结构及其制造方法-CN201110026033.X有效
发明人：张挺;朱南飞;宋志棠;刘波;吴关平;张超;谢志峰;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料；所述存储材料与上、下电极的接触面积不等；所述下电极周围包覆有绝缘材料，下电极形成于该绝缘材料的夹缝中，其在垂直下电极表面方向的投影为条形，条形的长宽比大于3∶1；并且所述存储材料部分或者全部嵌在所述绝缘材料之中。本发明的存储器结构具有较高的密度、较低的功耗以及较为简单的工艺，因此在器件的性能和成本上都具有明显的优势。
一种电阻转换存储器结构及其制造方法

[发明专利]电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法-CN201010532660.6有效
发明人：张挺;张兵;宋志棠;顾怡峰;刘波;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明揭示了一种电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法，该纳米结构是柱状的，柱状结构中包含具有开关特性的选通管和电阻转换存储单元，此外还可包含电极。本发明提出的自带选通管的电阻转换存储纳米结构及其制造方法.解决超小尺寸电阻转换纳米线与大尺寸选通管的矛盾，避开低效率、高难度集成问题，实现电阻转换纳米线与选通管的无缝对接，最终通过低成本的方法实现超高密度、高性能的电阻转换存储器阵列的高效制造。
电阻转换存储纳米结构及其对准制造方法

[发明专利]硅锑碲复合相变材料-CN201010537183.2无效
发明人：张挺;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种硅锑碲复合相变材料Siy(SbxTe1-x)1-y其由功能材料Si和相变材料SbxTe1-x作为两个相互分散的物相复合而成，用于纳米晶电阻转换存储器，其中0.5≤x≤0.9，0＜y≤0.4。硅锑碲复合相变材料S iy(SbxTe1-x)1-y与传统的相变材料的不同在于：在相变的过程以及相变的前后，材料中硅组份的结构和分布均保持不变，硅原子不进入SbxTe1-x的晶格，而是出现在SbxTe1-x颗粒之间。通过这种复合相变材料的应用，能够降低纳米晶电阻转换存储器操作的功耗，提升器件在高温下的数据保持能力，对于非易失性半导体存储器的应用具有重要的意义。
硅锑碲复合相变材料

[发明专利]多层堆叠的存储器及其制造方法-CN201010512040.6有效
发明人：张挺;宋志棠;刘旭焱;刘波;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明揭示了一种多层堆叠的存储器及其制造方法，存储器芯片中包含选通单元、外围电路和至少两层的存储单元层，且存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元。在数据存储过程中，通过外围电路判断所需处理的数据类型，随后发送指令选择特定类型的存储器，使各种存储器单元之间取长补短，实现存储器各方面性能的优化，在实际的应用中，一块存储芯片能够代替多块存储芯片，达到降低成本和提升性能的目的。
多层堆叠存储器及其制造方法

[发明专利]制备纳米晶电阻转换材料的方法-CN201010289914.6有效
发明人：张挺;宋志棠;刘波;吴关平;张超;封松林;陈邦明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法，包括如下步骤：首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜，随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶，再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆；重复上述三步，形成具有功能材料包覆的均匀的纳米晶电阻转换存储材料和单元。本发明提出的制备纳米晶电阻转换存储材料的工艺方法，可用于纳米晶电阻转换存储器，解决无法制备均匀纳米晶存储材料的难题。本发明能够大幅度提升存储器的性能，提升器件的可靠性。
制备纳米电阻转换材料方法

[发明专利]一种具有低k介质绝热材料的相变存储器结构及制备方法-CN201010295914.7无效
发明人：宋志棠;吴良才;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低k介质绝热材料的相变存储器结构及制备方法，其相变存储单元包括：二极管、加热电极、可逆相变电阻、顶电极等；在加热电极和可逆相变电阻周围包裹有低k介质绝热层；在可逆相变电阻与其周围的低k介质绝热层之间设有防扩散介质层。本发明利用低k介质材料作为绝热材料，避免了相变存储单元之间的热串扰及操作时的相互影响，提高了器件可靠性，消除了非晶向多晶转变时温度、压力等对PCRAM数据保持力的影响。此外，在低k介质材料与相变材料之间制备了一层防扩散介质层，可防止相变材料中的元素向低k介质材料的扩散。其制造工艺与CMOS标准工艺兼容，抛光采用了低压力与低腐蚀的CMP工艺。
一种具有介质绝热材料相变存储器结构制备方法

[发明专利]硫系化合物相变材料抛光后清洗液-CN201010281508.5有效
发明人：王良咏;宋志棠;刘卫丽;刘波;钟旻;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： C11D1/86 文献下载
摘要：本发明提供了一种相变材料抛光后清洗液，包括至少两种氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂、酸性介质和去离子水；以清洗液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化剂总量0.01-10wt％，表面活性剂0.01-4wt％，金属防腐抑制剂0.0001-20wt％，酸性介质0.2-30wt％，余量为去离子水。本发明提供的抛光后清洗液，通过采用两种以上氧化剂的协同作用，大大提高了硫系化合物相变材料GexSbyTe(1-x-y)的抛光后清洗效率，其残留去除速率大大提高，可达9-70nm/min。
化合物相变材料抛光清洗