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[发明专利]AMOLED像素亮度的补偿方法及补偿系统-CN201310208246.3有效
发明人：丁毅岭;叶汇贤;方娜;章琦;汪辉;封松林 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供一种AMOLED像素亮度的补偿方法及补偿系统，所述补偿方法包括步骤：1）关闭像素，检测环境光的光强，获得第一光强值L1；2）将所述像素的亮度信号设定为一个参考信号Dref，使该像素在该参考信号Dref下发光，检测并获得第二光强值L2，则该像素的实际光强值L3=L2-L1；3）将实际光强值L3与参考光强值Lref相比较，产生相应的补偿信号Dcom，并对所述像素的亮度信号进行补偿。所述补偿系统包括检测模块、比较模块及补偿模块。本发明通过光学反馈以及信号补偿的方法来提高AMOLED显示的亮度均匀性，从而提高图像显示的质量。本发明方法和系统简单，容易实现产业化。
amoled 像素亮度补偿方法系统

[发明专利]AMOLED阈值电压的补偿方法及补偿电路-CN201310208288.7有效
发明人：黄成强;章琦;妙维;汪宁;汪辉;封松林 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供一种AMOLED阈值电压的补偿方法及补偿电路，该电路包括：扫描晶体管控制图像数据是否输入像素单元中，其栅极接扫描信号，漏极接图像数据；驱动晶体管根据图像数据驱动OLED发光，其栅极与扫描晶体管的源极相连；发光控制晶体管控制驱动晶体管与OLED的通断，其栅极接发光控制信号，漏极接驱动晶体管的源极，源极接OLED的阳极；初始化晶体管控制OLED的阳极的初始化电压，其漏极接初始化电压，源极接OLED的阳极，栅极接初始化控制信号；清零晶体管将驱动晶体管的栅极和源极之间的电荷清零，其漏极接驱动晶体管的栅极，源极接驱动晶体管的源极，栅极接初始化控制信号。本发明实现了驱动管阈值电压补偿，减小了寄生电容引起的反冲电压对驱动电流的不良影响。
amoled 阈值电压补偿方法电路

[发明专利]基于主动式有机发光二极管的显示电路及驱动方法-CN201310203042.0有效
发明人：陈志卿;章琦;方娜;汪宁;汪辉;封松林 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基于主动式有机发光二极管的显示电路及驱动方法。所述显示电路至少包括：由多个发光单元构成的发光阵列；用于分别采集与各发光单元各自相关的第一电压的电压采集单元；用于基于与各发光单元各自的图像数据相关的第二电压以及与各发光单元各自相关的第一电压来形成各发光单元的矫正电压的矫正单元；用于控制电压采集单元的运行的时序控制单元；分别与时序控制单元及发光阵列相连接的行控制单元及列控制单元，所述列控制单元在时序控制单元控制下将各发光单元各自的矫正电压提供给各发光单元。本发明电路结构简单，且能有效解决阈值电压非一致性和电源电压非一致性所导致的亮度不均和图像质量下降的问题。
基于主动有机发光二极管显示电路驱动方法

[发明专利]主动式有机发光阵列驱动系统及驱动方法-CN201310205239.8有效
发明人：强文华;汪宁;妙维;汪辉;封松林 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供一种主动式有机发光阵列驱动系统及驱动方法。所述主动式有机发光阵列驱动系统至少包括：与多个发光二极管连接形成主动式有机发光阵列的驱动单元；用于多次向驱动单元提供不同的参考信号的参考信号提供单元；用于基于各发光二极管的位置相关信息来采集各发光二极管的相关电信号的采样单元；用于基于多次的采样结果来确定各发光单元的调制参数的调制参数确定单元；用于基于各发光单元各自的调制参数及调制规则对各发光单元各自与图像数据相关的电信号进行调制的调制单元；用于将参考信号或调制后的信号送入驱动单元的控制单元。本发明能抑制由于驱动管的阈值电压，载流子迁移率等参数不匹配以及电源电压IR-drop等引起的像素单元间的不一致性。
主动有机发光阵列驱动系统方法

[发明专利]AMOLED电压外部补偿方法及系统-CN201310208297.6有效
发明人：黄成强;汪宁;章琦;妙维;汪辉;封松林 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供一种AMOLED电压外部补偿方法及电路，该方法包括：比较器比较OLED的驱动电压和预设的参考电压的大小，若小于预设的参考电压，则开始电压补偿；电压补偿包括：减法器得出驱动电压和预设的参考电压的电压差，输出比较器的位置信号；根据电压差，查找需要补偿的数字量、比较器的输出信号和位置信号；电压控制器控制校正单元根据数字量对输入OLED的图像信号进行校正；数模转换模块对校正后的图像信号进行转换，获得校正图像电压信号输入到OLED中；重复电压补偿过程，直至驱动电压等于预设的参考电压，停止电压补偿。本发明提高了像素单元的占空比，减小了显示图像所需的时间，且使OLED的亮度只与Vdata_n的大小有关，与驱动TFT的阈值电压和电子迁移率无关。
amoled 电压外部补偿方法系统

[发明专利]上升下降时间控制电路及AMOLED驱动控制信号产生电路-CN201310205000.0无效
发明人：丁毅岭;方娜;章琦;汪辉;封松林 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供一种上升下降时间控制电路及AMOLED驱动控制信号产生电路，所述上升下降时间控制电路包括：一个电容可编程模块以及至少一个电阻可编程模块；所述电阻可编程模块的第一端为信号输入端，第二端与所述电容可编程模块的第一端电性连接作为信号输出端，所述电容可编程模块的第二端接地。所述AMOLED驱动控制信号产生电路包括数据信号驱动电路、扫描信号驱动电路、开关信号驱动电路以及上述的上升下降时间控制电路。本发明可以通过调节电容可编程模块及电阻可编程模块，达到同步或异步调节上升下降时间的目的，从而解决OLED电流突变过快，频繁开关后OLED老化加速的问题，延长OLED的寿命。本发明结构简单，容易实现产业化。
上升下降时间控制电路 amoled 驱动控制信号产生电路

[发明专利]扫描线共用的AMOLED驱动电路及其驱动方法-CN201310204677.2无效
发明人：汪辉;聂广震;汪宁;章琦;封松林 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供一种扫描线共用的AMOLED驱动电路及其驱动方法，所述驱动电路至少包括：二维像素矩阵，由M×N个像素单元构成；扫描驱动器，输出至少一条扫描线，所述二维像素矩阵中每两行像素单元共用一条扫描线；数据驱动器，输出至少一条数据线，每条数据线与对应的一列像素单元连接；选择驱动器，输出第一选择线和第二选择线，所述第一选择线与所述二维像素矩阵中奇数行像素单元连接，所述第二选择线与所述二维像素矩阵中偶数行像素单元连接；控制单元，与所述扫描驱动器、数据驱动器及选择驱动器分别相连。本发明的驱动电路中每两行像素单元共用一条扫描线，使得扫描线的规模变为原来的一半，且驱动IC的数量也明显减少。
扫描共用 amoled 驱动电路及其方法

[发明专利]用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法-CN201210575643.X有效
发明人：纪兴龙;吴良才;宋志棠;朱敏;饶峰;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法，所述Ti-Ge-Te系列材料的化学式为：Ti1-x-yGexTey，其中0
用于相变存储器 ti ge te 系列材料及其制备方法

[发明专利]一种TiSbTe相变存储材料、制备方法及其应用-CN201210537556.5无效
发明人：吴良才;朱敏;纪兴龙;宋志棠;饶峰;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种TiSbTe相变存储材料、制备方法及其应用，按照化学通式Ti1-x-ySbxTey中Sb和Te的配比采用SbxTey合金靶以及Ti靶共溅射，其中，共溅射时，通入惰性气体和掺杂源，获得经掺杂的TiSbTe相变存储材料；所述Ti1-x-ySbxTey中，0
一种 tisbte 相变存储材料制备方法及其应用

[发明专利]分析器件操作窗口与相变材料纳米尺寸效应的实验方法-CN201110103677.4无效
发明人：宋志棠;吴良才;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分析器件操作窗口与相变材料纳米尺寸效应的实验方法。发明人研究发现相变材料的高阻、低阻之间的阻值相差4-5个量级，而利用该相变材料制备的存储单元的高阻态与低阻态的阻值相差2-3个量级。该实验方法通过制备不同尺寸的测试样品，包括不同厚度的相变材料层及不同尺寸的上电极，进行电学与存储性能测试，包括I-V特性，脉冲操作下的可逆转变特性等，从而为研究相变材料的纳米尺寸效应与器件操作窗口之间的规律提供了准确可靠的实验数据，通过实验数据可以进一步研究相变材料与器件操作窗口高低阻值不同的原因所在，进而分析其中的纳米尺寸效应及纳米尺度下的载流子行为。
分析器件操作窗口相变材料纳米尺寸效应实验方法

[发明专利]相变存储单元及其制作方法-CN201110020727.2有效
发明人：刘波;宋志棠;张挺;李莹;钟旻;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储单元及其制作方法，所述相变存储单元除半导体衬底、第一电极层、相变材料层、第二电极层和引出电极之外，还包括用于避免所述相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的高阻材料层，所述高阻材料层的阻值至少为所述相变材料层的阻值的十倍及以上，可以避免相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的现象，提高相变存储单元的存储性能和成品率。
相变存储单元及其制作方法

[发明专利]一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb₂Te相变存储材料-CN201210076528.8有效
发明人：吴良才;朱敏;宋志棠;饶峰;宋三年;刘波;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料及其制备和应用。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为SbxTeyTi100-x-y，其中0＜x＜80，0＜y＜100-x。当为Ti-Sb2Te相变存储材料时，Ti原子替代Sb原子的位置，且没有分相。现有的Sb-Te相变材料结晶过程以晶粒生长占主导，因此相变速率快，然而保持力不能满足工业要求。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料的结晶温度得到大幅度地升高，保持力提升，热稳定性增强；同时，非晶态电阻降低，晶态电阻升高；可广泛应用于相变存储器。
一种 sb te ti 相变存储材料 sub

[发明专利]一种微晶Si-Sb_xTe_1-x复合相变材料及制备方法-CN201010591390.6有效
发明人：宋志棠;夏梦姣;饶峰;刘波;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法，该复合相变材料由微晶态的Si和相变材料SbxTe1-x复合而成，其中0.1≦x≦0.9。可以利用PVD形成非晶Si-SbxTe1-x材料，然后在氢气气氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，最后加热脱氢完成该材料的制备。本发明的微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料中，微晶Si的存在能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。同时微晶态的Si改变了相变中电流的分布，有利于降低功耗提高寿命，改善相变存储器的操作稳定性。
一种 si sb sub te 复合相变材料制备方法

[发明专利]执法文书的蓝牙传输打印方法-CN201110186715.7无效
发明人：夏海波;封松林;倪凯;魏建明;徐正蓺;程嘉昇;李焱 -专利权人：上海市安全生产科学研究所
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H04B5/00 文献下载
摘要：一种执法文书的蓝牙传输打印方法，涉及移动通信技术领域，所解决的是方便执法操作及节约纸件的技术问题。该方法的具体步骤如下：1）利用内置有蓝牙通信模块的移动终端在执法现场直接录入执法信息，生成执法文档，然后将执法文档打包成XML格式；2）移动终端通过无线网络将打包成XML格式的执法文档上传到服务器；3）服务器收到移动终端上传的打包成XML格式的执法文档后向移动终端返回一个确认标签；4）移动终端收到服务器返回的确认标签后，通过其内置的蓝牙通信模块连接到一内置有蓝牙通信模块的打印机，并将执法文档转换为二进制数据后发送到该打印机打印。本发明提供的方法，便于执法操作，且能节约纸件。
执法文书蓝牙传输打印方法

[发明专利]相变材料的制备方法-CN201110376922.9无效
发明人：宋志棠;夏梦姣;饶峰;刘波;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变材料的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料层，其中0.1≤x≤0.9；在所述Si-SbxTe1-x复合材料的结晶温度之上，对所述Si-SbxTe1-x执行第一次退火工艺，使得其中的非晶Si和SbxTe1-x晶体形成分相；将退火后分相的非晶Si与SbxTe1-x的复合材料置于氢气氛中执行第二次退火工艺，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料；对所述微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料执行加热退火脱氢工艺。相较于现有技术，本发明制备的是微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，微晶态的Si晶粒尺寸在3纳米至20纳米左右，缺陷比非晶态Si少，能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。
相变材料制备方法