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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]振荡装置、振荡方法以及存储器装置-CN201310395742.4无效
发明人： 富田浩由 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明公开了一种振荡装置、振荡方法以及存储器装置。振荡装置包括以下部件：第一设定单元，输出振荡周期指定信号；计算单元，对振荡周期指定信号进行算术运算；以及振荡单元，产生具有基于经过所述算术运算后的振荡周期指定信号的周期的振荡信号。
振荡装置方法以及存储器

[发明专利]振荡装置、调节振荡装置的方法和存储器-CN200810126880.1有效
发明人： 富田浩由 -专利权人：富士通微电子株式会社
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明提供了振荡装置、调节振荡装置的方法和存储器。振荡装置包括：振荡器，其根据使能信号生成振荡信号；计数器，其对振荡信号的振荡数进行计数，并且能够在由第一信号所指示的振荡数处复位；以及比较器，其将所计数的振荡数与参考数进行比较。
振荡装置调节方法存储器

[发明专利]振荡装置、振荡方法以及存储器装置-CN200810126879.9有效
发明人： 富田浩由 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明公开了一种振荡装置、振荡方法以及存储器装置。振荡装置包括以下部件：第一设定单元，输出振荡周期指定信号；计算单元，对振荡周期指定信号进行算术运算；以及振荡单元，产生具有基于经过所述算术运算后的振荡周期指定信号的周期的振荡信号。
振荡装置方法以及存储器

[发明专利]半导体存储器、系统及半导体存储器的操作方法-CN200810005991.7有效
发明人： 富田浩由 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-02-25 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明公开了半导体存储器、系统及半导体存储器的操作方法。指示对刷新操作的允许/禁止的局部刷新信息被根据外部输入来设置，并被作为局部设置信号而输出。刷新请求信号被周期性地输出，该刷新请求信号对应于刷新操作被允许的存储器块。在局部刷新信息被外部输入改变的时间段中，屏蔽局部设置信号以允许对所有存储器块的刷新操作。因此，即使当改变局部刷新信息的定时与刷新请求信号的发生定时重叠时，也可以防止响应于刷新请求的刷新操作的禁止。结果，可以安全地执行刷新操作，并可以防止半导体存储器的误动作。
半导体存储器系统操作方法

[发明专利]一种具有部分刷新功能的半导体存储器设备-CN200710147995.4有效
发明人： 富田浩由 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种具有部分刷新功能的半导体存储器设备，包括定时信号电路，其产生刷新定时信号，该刷新定时信号包括脉冲序列；刷新地址电路，其与刷新定时信号的每个脉冲相同步地产生刷新地址；脉冲选择电路，其与从脉冲序列中选择的脉冲相同步地断言刷新请求信号；以及存储器核心，其接收刷新地址以及刷新请求信号，并且响应于刷新请求信号的断言，针对刷新地址执行刷新操作，其中，进行设置，以便在第一操作模式与第二操作模式之间切换，在第一操作模式中，通过从脉冲序列的每预定数目的脉冲中选择一个脉冲来获得所选择的脉冲，在第二操作模式中，通过从脉冲序列中选择相继的脉冲来获得所选择的脉冲。
一种具有部分刷新功能半导体存储器设备

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710103037.7有效
发明人： 富田浩由 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，抑制了由于MOSFET的阈值的分散而造成的DRAM的刷新故障。DRAM具有用于记录将被施加到单元晶体管的背栅的背偏置电势的设置值的第一单位和用于基于记录在第一单位中的背偏置电势的设置值产生背偏置电势并将所产生的背偏置电势提供到背栅的第二单位，其中，当与单元晶体管具有相同结构并且在同一过程中制造的MOSFET的阈值大于单元晶体管应当具有的目标值时，比针对目标值的背偏置电势更浅的值被记录在第二单位中。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置的测试方法及其半导体存储装置-CN200710142026.X有效
发明人： 富田浩由 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-08-20 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明提供了检测具有不平衡特性的读出放大器的半导体存储装置的测试方法及其半导体存储装置。在用于检测具有不平衡特性的读出放大器的用于半导体存储装置的测试方法中，在连接到测试目标读出放大器的第一位线的第一存储单元中恢复具有与正常操作的H和L电平不同的中间电平，电容器的电容小时的电荷量实际上被存储在第一存储单元中，然后读取第一存储单元的数据，并且基于读数据的错误的存在来检查读出放大器的失灵。
半导体存储装置测试方法及其

[发明专利]包含反熔丝写电压生成电路的半导体存储器装置-CN200710135773.0有效
发明人： 富田浩由 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-08-16 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G11C29/24 文献下载
摘要：一种包含反熔丝写电压生成电路的半导体存储器装置，其能够减小反熔丝写电压生成电路的电路规模。该半导体存储器装置具有用于对外部电源电压升压以生成第一内部电源的第一内部电源生成电路、被提供了第一内部电源的存储器核心、用于写预定信息的反熔丝存储器，以及对第一内部电源升压以生成反熔丝写电压的写电压生成电路。
包含反熔丝写电压生成电路半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储装置-CN200480043578.X有效
发明人： 富田浩由;山口秀策 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-07-16 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： G11C11/403 文献下载
摘要：共用端子接收地址信号和数据信号。地址有效端子接收表示供给共用端子的信号是地址信号的地址有效信号。判优器决定优先外部存取请求和内部刷新请求中的哪一个。判优器响应芯片使能信号和地址有效信号的同为有效电平(外部存取请求)来禁止接收内部刷新请求。判优器响应读出操作或者写入操作的结束来允许接收内部刷新请求。其结果是，在具有接收地址信号和数据信号的共用端子的半导体存储装置中，能够防止读出操作以及写入操作和响应内部刷新请求的刷新操作相互冲突，从而防止误操作。
半导体存储装置

[发明专利]半导体集成电路-CN200510005323.0有效
发明人： 富田浩由 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： G06F1/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体集成电路。在该半导体集成电路中，每对第二晶体管的栅极分别接收上升沿和下降沿彼此相邻的一对延迟定时信号，并将预充电到第一电源电压的第一节点处的电荷逐渐放电。放电速度依赖于晶体管的阈值电压、工作温度和电源电压而变化。多个检测电路在彼此不同的定时处操作，以将第一节点处的电压检测为逻辑值。选择器依据由检测电路提供的检测结果选择第二定时信号中的任一个。内部电路与所选择的第二定时信号同步地操作。因此，可以响应于工作环境的变化而优化调节内部电路的操作定时。这使得半导体集成电路的操作余量被改善。
半导体集成电路

[发明专利]半导体集成电路-CN200510005326.4有效
发明人： 富田浩由 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H03L7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体集成电路。相位调整单元调整相位连续偏移的多个外部时钟的相位，从而产生多个内部时钟，所述多个内部时钟的每两个相邻转换沿之间的相位差相等。合成内部时钟以产生具有相等脉冲间隔的合成时钟。从而，即使当半导体集成电路被提供以低频率的外部时钟时，也可以高速运行半导体集成电路。例如，通过使用低时钟频率的低成本LSI测试台，可以高速运行和测试内部电路。这样可以减少半导体集成电路的测试成本，从而减少芯片成本。
半导体集成电路

[发明专利]半导体存储装置-CN03825101.9有效
发明人： 富田浩由;内田敏也 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-05-13 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：半导体存储装置包括以下装置：用于存储数据的存储单元(501、502)；与存储单元相连接，对存储单元可以进行数据输入或输出的位线(BL1、BL2)；与位线相连接，对位线上的数据进行放大的读出放大器(506a)；与连接于存储单元的位线和连接于读出放大器的位线进行连接或断开的开关晶体管(505a)。开关晶体管在第一存储单元访问动作和第二存储单元访问动作中的动作不同。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储器件-CN02118862.9有效
发明人：松崎康郎;富田浩由;田口真男 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-04-29 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：命令接收器电路与时钟信号的上升沿或下降沿相同步地接收命令信号。数据输入/输出电路与响应命令信号的接收时序而设置的时钟信号的边缘相同步地开始读取数据的输出和写入数据的输入。由于与时钟信号的两个边缘相同步地接收命令信号，因此当接收速率与现有技术中相同时，可以使时钟周期减半。结果，在安装有半导体存储器件的系统中，可以使系统时钟的频率减半，以减小在系统中的时钟同步电路的功耗，而不减少用于半导体存储器件的数据输入/输出速率。
半导体存储器件

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