“宫波勇树”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果36个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]成像装置、成像装置的制造方法和电子设备-CN202180070653.5在审
发明人：望月健矢;中泽圭一;吉田慎一;西尾贤哉;藤井宣年;斋藤卓;冈本正喜;鎌谷良介;山本雄一;厳樫一孝;宫波勇树;吉冈浩孝;堀越浩;黒鸟托也;古瀬骏介;本多孝好 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本公开提供了一种成像装置(1)，包括：第一半导体基板(100)，其设置有光电转换元件；第二半导体基板(200)，其隔着层间绝缘膜(123)层叠在所述第一半导体基板上，并且设置有将在所述光电转换元件中生成的电荷作为像素信号读出的像素电路；和通孔(600)，其贯通所述层间绝缘膜并且电气连接所述第一半导体基板的与所述第二半导体基板相面对的第一面和与所述第二半导体基板的与所述第一面相面对的第二面的至少一部分。
成像装置制造方法电子设备

[发明专利]固态成像器件、固态成像器件的制造方法及电子装置-CN201810298758.6有效
发明人：桝田佳明;宫波勇树;阿部秀司;平野智之;山口征也;蛯子芳树;渡边一史;荻田知治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G02B1/118 文献下载
摘要：本发明涉及能够在抑制混色恶化的同时提高灵敏度的固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子装置。所述固态成像器件包括：基板；第一光电转换区域，其设置在所述基板中；第二光电转换区域，其设置在所述基板中；沟槽，其布置在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间；第一蛾眼结构，其在所述基板的布置在所述第一光电转换区域上方的光接收侧上；第二蛾眼结构，其在所述基板的布置在所述第二光电转换区域上方的光接收侧上；第一平坦部，其布置在所述基板上，所述第一平坦部位于所述沟槽和所述第一蛾眼结构之间；以及第二平坦部，其布置在所述基板上，所述第二平坦部位于所述沟槽和所述第二蛾眼结构之间。
固态成像器件制造方法电子装置

[发明专利]摄像装置及其制造方法和电子装备-CN202080076029.1在审
发明人：吉本奈绪;宫波勇树;池原成拓 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：[技术问题]为了抑制噪声、混色等。[技术方案]摄像设置有：半导体基板；光电转换单元，设置在半导体基板上并通过光电转换产生对应于受光量的电荷；电荷保持单元，设置在与光电转换单元相关的半导体基板的第一表面侧，并保持从光电转换单元传输的电荷；电荷传输单元，将电荷从光电转换单元传输到电荷保持单元；垂直电极，用于将光电转换单元产生的电荷传输到电荷传输单元，垂直电极设置在半导体基板的深度方向上；以及第一光控制件，设置在比垂直电极更靠近与半导体基板的第一表面相反的第二表面的一侧，在从第一表面的法线方向俯视半导体基板时，第一光控制部设置在与垂直电极重叠的位置，并在基板的深度方向具有T形截面。第一光控制件包括为一体结构且在相互交叉的方向上延伸的第一光控制部和第二光控制部。
摄像装置及其制造方法电子装备

[发明专利]固态成像装置及电子装置-CN202110694615.9有效
发明人：田舎中博士;秋山健太郎;坂野赖人;大井上昂志;萩本贤哉;松村勇佑;佐藤尚之;宫波勇树;上田洋一;松本良辅 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
固态成像装置电子

[发明专利]固态成像装置及电子装置-CN202110693434.4在审
发明人：田舎中博士;秋山健太郎;坂野赖人;大井上昂志;萩本贤哉;松村勇佑;佐藤尚之;宫波勇树;上田洋一;松本良辅 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
固态成像装置电子

[发明专利]固态成像装置及电子装置-CN202110693437.8在审
发明人：田舎中博士;秋山健太郎;坂野赖人;大井上昂志;萩本贤哉;松村勇佑;佐藤尚之;宫波勇树;上田洋一;松本良辅 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
固态成像装置电子

[发明专利]固态成像装置及电子装置-CN202110694549.5在审
发明人：田舎中博士;秋山健太郎;坂野赖人;大井上昂志;萩本贤哉;松村勇佑;佐藤尚之;宫波勇树;上田洋一;松本良辅 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
固态成像装置电子

[发明专利]固态成像装置及电子装置-CN202110694583.2在审
发明人：田舎中博士;秋山健太郎;坂野赖人;大井上昂志;萩本贤哉;松村勇佑;佐藤尚之;宫波勇树;上田洋一;松本良辅 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
固态成像装置电子

[发明专利]固态成像装置及电子装置-CN202110694618.2在审
发明人：田舎中博士;秋山健太郎;坂野赖人;大井上昂志;萩本贤哉;松村勇佑;佐藤尚之;宫波勇树;上田洋一;松本良辅 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
固态成像装置电子

[发明专利]固态成像装置及电子装置-CN201680011099.2有效
发明人：田舎中博士;秋山健太郎;坂野赖人;大井上昂志;萩本贤哉;松村勇佑;佐藤尚之;宫波勇树;上田洋一;松本良辅 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
固态成像装置电子

[发明专利]固态成像装置及其制造方法和电子设备-CN201611255149.X有效
发明人：坂野頼人;押山到;宫波勇树;武田健 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供一种固态成像装置及其制造方法和电子设备。该固态成像装置包括像素阵列部，在该像素阵列部中多个单元像素布置在半导体基板上，该多个单元像素的每个包括基于接收的光量产生且累积光电荷的光电转换部和累积该光电荷的电荷累积部，其中靠近光进入该电荷累积部的单元像素的入射侧的电极的至少一部分由用作遮光膜的金属膜形成。
固态成像装置及其制造方法电子设备

[发明专利]摄像装置、摄像装置的制造方法和电子设备-CN201980032346.0在审
发明人： 宫波勇树;奥山敦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种针对电荷保持部具有优异遮光性的摄像装置。该摄像装置具有：Si{111}基板，其沿水平面延伸；光电转换部，其设置在所述Si{111}基板中并且通过光电转换产生与光接收量相对应的电荷；电荷保持部，其设置在所述Si{111}基板中并且保持从所述光电转换部传输的电荷；遮光部，其在厚度方向上位于所述光电转换部和所述电荷保持部之间，且具有沿着水平面延伸的水平遮光部和垂直于所述水平遮光部的垂直遮光部。这里，所述水平遮光部包括：第一表面，其垂直于所述厚度方向且沿着所述Si{111}基板的第一晶面布置，所述第一晶面由平面指数{111}表示；和第二表面，其相对于所述厚度方向倾斜且沿着所述Si{111}基板的第二晶面布置，所述第二晶面由平面指数{111}表示。
摄像装置制造方法电子设备

[发明专利]光检测器件及电子装置-CN202010493596.9在审
发明人：桝田佳明;宫波勇树;阿部秀司;平野智之;山口征也;蛯子芳树;渡边一史;荻田知治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及能够在抑制混色恶化的同时提高灵敏度的固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子装置。所述固态成像器件包括：具有蛾眼结构的防反射部，所述防反射部其设置在处于二维地布置的每个像素的光电转换区域的光接收表面侧的界面上；以及用于阻挡入射光的像素间遮光部，其设置在所述防反射部的所述界面下方。另外，所述光电转换区域是半导体区域，且每个所述像素间遮光部具有通过沿深度方向在像素边界处挖掘所述半导体区域获得的沟槽结构。本发明的技术可例如应用于背面照射型固态成像器件。
检测器件电子装置

[发明专利]光检测器件及电子装置-CN202010552753.9在审
发明人：桝田佳明;宫波勇树;阿部秀司;平野智之;山口征也;蛯子芳树;渡边一史;荻田知治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及光检测器件以及电子装置。该光检测器件包括：半导体基板，其光接收表面包含第一蛾眼结构和第二蛾眼结构；位于半导体基板中的第一光电转换区域；位于半导体基板中的第二光电转换区域，其邻近所述第一光电转换区域；沟槽，其布置在第一和第二光电转换区域之间；第一滤色器，其布置在第一蛾眼结构上方；和第二滤色器，其布置在第二蛾眼结构上方，其中，第一光电转换区域构造为接收穿过第一滤色器和第一蛾眼结构的第一光，且第二光电转换区域构造为接收穿过第二滤色器和第二蛾眼结构的第二光，其中，第一滤色器的峰值光谱灵敏度不同于第二滤色器，且其中，第一和第二蛾眼结构具有相同形状。本发明能够抑制混色恶化并提高灵敏度。
检测器件电子装置

[发明专利]光检测器件及电子装置-CN202010552776.X在审
发明人：桝田佳明;宫波勇树;阿部秀司;平野智之;山口征也;蛯子芳树;渡边一史;荻田知治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及光检测器件以及电子装置。该光检测器件包括：半导体基板，其光接收表面包含第一蛾眼结构和第二蛾眼结构；位于半导体基板中的第一光电转换区域；位于半导体基板中的第二光电转换区域，其邻近所述第一光电转换区域；沟槽，其布置在第一和第二光电转换区域之间；第一滤色器，其布置在第一蛾眼结构上方；和第二滤色器，其布置在第二蛾眼结构上方，其中，第一光电转换区域构造为接收穿过第一滤色器和第一蛾眼结构的第一光，且第二光电转换区域构造为接收穿过第二滤色器和第二蛾眼结构的第二光，其中，第一滤色器的峰值光谱灵敏度不同于第二滤色器，且其中，第一和第二蛾眼结构具有不同形状。本发明能够抑制混色恶化并提高灵敏度。
检测器件电子装置

1
2
3
下一页»
尾页
共 36 条