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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种光刻胶清洗剂-CN200880109166.X有效
发明人：史永涛;彭洪修;曹惠英 -专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2008-10-06 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种光刻胶清洗剂，其含有季铵氢氧化物、水、烷基二醇芳基醚、二甲基亚砜、聚羧酸类缓蚀剂和氨基唑类缓蚀剂。光刻胶清洗剂组合物可有效去除金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其他刻蚀残留物，同时对铝和铜等金属，以及二氧化硅等非金属材料具有很低的腐蚀性，还可防止金属表面氧化物的产生。
一种光刻洗剂

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN200910200315.X有效
发明人：王晨;何华锋 -专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光液，含有水，研磨剂，氧化剂和水溶性阳离子表面活性剂。本发明的化学机械抛光液可降低并消除抛光噪音，改善操作环境，降低抛光垫的摩擦，延长抛光垫的使用寿命。
一种化学机械抛光

[发明专利]一种对化学机械抛光后硅片的清洗方法-CN201110153102.3有效
发明人：王晨;何华锋 -专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用同时含有氧化剂、硫酸氢盐、硫酸盐以及硫脲或硫脲的衍生物的清洗液清洗化学机械抛光后的硅片的方法。采用本发明的化学机械抛光清洗液可有效加速金属污染物的溶解，解决了硅片表面银离子污染的清洗问题，根除了移动金属离子的扩散，提高了芯片的可靠性，提高了生产的良率。
一种化学机械抛光硅片清洗方法

[发明专利]一种化学机械抛光浆料的应用-CN201210545114.5在审
发明人：荆建芬;张建;蔡鑫元;姚颖 -专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C23F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光浆料在铜抛光中的应用，其包括研磨颗粒、有机膦酸、聚丙烯酸类和/或其共聚物、氧化剂和载体。本发明的化学机械抛光浆料可以防止金属材料的局部和整体腐蚀，减少衬底表面污染物，降低研磨颗粒的含量，提高铜的去除速率和降低钽的去除速率，从而获得不同基底的抛光选择性。
一种化学机械抛光浆料应用

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN201110153087.2有效
发明人：王晨;何华锋 -专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光液，其包含：研磨颗粒、水、唑类化合物和哌嗪。本发明的抛光液实现了硅的高速抛光，且该体系具有非常高的稳定性，降低了半导体加工的综合成本。
一种化学机械抛光

[发明专利]一种抛光钨的化学机械抛光液-CN201110152797.3无效
发明人：王晨;何华锋 -专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有硅溶胶和气相法二氧化硅混合而成的研磨剂、银离子、硫酸根离子、过氧化物。该抛光液具有非常高的钨抛光速度，同时具有可调的钨/二氧化硅选择比，可以显著降低了芯片表面缺陷。
一种抛光化学机械抛光

[发明专利]一种利于抛光后清洗的钨化学机械抛光液-CN201110152812.4无效
发明人：王晨;何华锋 -专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利于抛光后清洗的钨化学机械抛光液，其含有研磨剂、银离子、硫酸根离子、氧化剂和季铵盐阳离子表面活性剂。该抛光液具有非常高的钨抛光速度，同时提高了化学机械抛光后硅片表面的清洗效果，降低了抛光液对钨的静态腐蚀，可以显著降低芯片表面缺陷。
一种利于抛光清洗化学机械抛光

[发明专利]一种金属防腐清洗液-CN201010582130.2有效
发明人：张建;荆建芬;蔡鑫元 -专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23G1/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于金属的防腐清洗液，其至少含有一种磷酸酯类表面活性剂。使用本发明的清洗液可以防止金属清洗中产生腐蚀或点蚀，能有效地清洗抛光残留物。
一种金属防腐清洗

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN201010604014.6有效
发明人：姚颖;宋伟红;孙展龙 -专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种用于浅沟槽隔离抛光工艺的抛光液，它含有一种硅基磨料，阴离子型表面活性剂和水，该抛光液具有较高的高密度二氧化硅(HDP-Oxide)的去除速率以及较高的对氮化硅的去除速率选择比，抛光后的晶圆具有完好的表面形貌和较低的表面污染物残留。
一种化学机械抛光

[发明专利]一种厚膜光刻胶清洗液-CN201010604011.2有效
发明人：刘兵;彭洪修;孙广胜;王胜利 -专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种低蚀刻性的适用与较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有：氢氧化钾、常用溶剂、季戊四醇、醇胺、间苯二酚、含颜料亲和基团的聚合物。这种低蚀刻性的光刻胶清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时对于铜(Cu)和铝(Al)等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
一种光刻清洗

[发明专利]一种厚膜光刻胶清洗液-CN201010585371.2有效
发明人：刘兵;彭洪修;孙广胜 -专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有(a)氢氧化钾(b)溶剂(c)醇胺(d)有机酚(e)苯并三氮唑及其衍生物(f)聚羧酸类缓蚀剂。该光刻胶清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时对于铜、铝、锡、铅、银等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
一种光刻清洗

[发明专利]一种减少金属腐蚀的清洗方法-CN201010620024.9有效
发明人：王胜利;彭洪修;刘兵 -专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少金属层腐蚀的清洗方法。本发明在刻蚀残余清洗完成后的去离子水漂洗过程中，加入氧化剂。本发明的漂洗方法可利用铝的表面钝化的性质，在铝的表面形成了一层致密氧化膜，有效地减少了腐蚀的产生。
一种减少金属腐蚀清洗方法

[发明专利]一种厚膜光刻胶清洗液-CN201010620005.6有效
发明人：刘兵;彭洪修;孙广胜 -专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有：氢氧化钾、溶剂、醇胺、有机酚、苯甲酸及其衍生物或其盐类以及聚羧酸类缓蚀剂。该光刻胶清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时对于铜、铝、锡、铅、银等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
一种光刻清洗

[发明专利]一种金属防腐清洗液-CN201010582128.5有效
发明人：荆建芬;张建;蔡鑫元 -专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23G5/036 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于金属的防腐清洗液，其至少含有一种磷酸酯类表面活性剂，还含有至少一种络合剂。使用本发明的清洗液可以有效地清洗抛光液残留，防止金属清洗中产生腐蚀或点蚀。
一种金属防腐清洗

[发明专利]一种水基玻璃磨削液-CN201010619964.6无效
发明人：彭洪修;刘兵;孙广胜 -专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C10M173/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种水基玻璃磨削液。这种水基玻璃磨削液包含溴化烷基季铵盐表面活性剂、有机醇、缓蚀剂和水。其具有优异的冷却、润滑、洗涤、防腐蚀等性能，对金刚石磨具有良好的化学修锐作用，可以明显提高磨削加工精度和磨具的使用寿命，并有效防止磨具发生“腻塞”现象；具有良好的玻璃磨削效率，优异的化学稳定性，对健康无害、不污染环境，成本低，使用简便，可广泛应用于各种玻璃的磨削加工和清洗工艺。
一种玻璃磨削

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