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[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的显示装置-CN201710301139.3有效
发明人：金曰濬;金连洪;金正贤;金台镇;安基完;张龙在 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置和一种包括该半导体装置的显示装置。该半导体装置包括半导体层、第一栅电极和第二栅电极。半导体层包括从沟道区延伸的第一源区、第一漏区、第二源区和第二漏区。第一栅电极设置在半导体层下方。第一栅电极通过第一栅极绝缘层与半导体层绝缘。第一栅电极与共用的沟道区至少部分地叠置。第二栅电极设置在半导体层上方。第二栅电极通过第二栅极绝缘层与半导体层绝缘。第二栅电极与共用的沟道区至少部分地叠置。
半导体装置包括显示装置

[发明专利]显示装置-CN201910118337.5有效
发明人：朴正根;安基完;尹柱善 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10K59/38 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，该显示装置包括：基板；包括栅极线、数据线和驱动电压线的信号线，该栅极线、数据线和驱动电压线共同限定像素区域的外边界；连接到信号线的晶体管；第一电极，跨过像素区域延伸并形成在信号线和晶体管上且连接到晶体管，该第一电极具有仅与信号线和晶体管重叠的第一部分以及包括第一电极中未包括在第一部分中的全部的第二部分；像素限定层，仅形成在第一电极的第一部分上；基本形成在整个第二部分上但不形成在第一部分上的有机发光层；以及形成在像素限定层和有机发光层上的第二电极。
显示装置

[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法-CN201610625630.7有效
发明人：赵承奂;朴常镐;沈栋焕;安基完;尹柱善 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：公开了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。一方面，该显示器包括多个像素，每个像素包括具有驱动晶体管和电连接到驱动晶体管的存储电容器的驱动电路。驱动晶体管包括驱动有源层和第一电极，第一电极与驱动有源层绝缘并设置在驱动有源层的至少一部分的上方。存储电容器包括第一电容器和第二电容器，第一电容器包括第一电极和面对第一电极的第二电极，第二电容器包括第二电极和面对第二电极的第三电极。
有机发光二极管显示器及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN202110498543.0在审
发明人：李沅俊;朴贤培;金曰濬;安基完;尹柱善;李佶泳 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种显示装置包括：分别被配置为发射不同的颜色的第一像素、第二像素和第三像素；位于第一像素的第一发光器件上的第一分隔壁；以及与第一像素的发射区域相对应的第一颜色转换层。第一分隔壁具有与第一发光器件相对应的第一开口以及在平面图中与第一开口间隔开的第一凹陷部分。第一颜色转换层包括被配置为将入射光转换成第一颜色光的第一量子点。
显示装置

[发明专利]有机发光显示设备和制造该有机发光显示设备的方法-CN201510400542.2有效
发明人： 安基完;张龙在;吴泳银 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了有机发光显示设备和制造该有机发光显示设备的方法，所述有机发光显示设备包括：基底；薄膜晶体管(TFT)，布置在基底上；黑矩阵，位于基底和TFT之间；像素电极，位于基底和TFT之间并具有被黑矩阵覆盖的边缘部分；绝缘层，覆盖TFT并使像素电极的顶表面敞开；有机发射层，布置在像素电极上；以及对电极，布置在有机发射层上。
有机发光显示设备制造方法

[发明专利]显示设备-CN201910783873.7在审
发明人：具本锡;金鸿洙;裴玗美;安基完;尹柱善;蔡钟哲 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： G09G3/3258 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示设备，该显示设备包括：包括像素的显示面板；面板驱动器，该面板驱动器将扫描信号和数据信号供应给像素；以及电源，该电源生成第一电源电压和第二电源电压，并且改变第一电源电压和/或第二电源电压以将其提供给像素。像素在第一电源电压和第二电源电压之间的电压差大于第一参考电压的发射时段期间，响应于扫描信号而基于数据信号发光。第一电源电压和第二电源电压之间的在发射时段的开始处的第一电压差大于第一电源电压和第二电源电压之间的在整个发射时段的平均电压差。
显示设备

[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN201410153060.7有效
发明人： 安基完;长宰赫 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：提供了制造有机发光显示装置的方法。所述方法包括形成像素电极；在所述像素电极上形成疏水性材料层，其中所述疏水性材料层包含疏水性材料；通过构图所述疏水性材料层来形成像素限定层，从而暴露至少一部分像素电极；以及使用表面处理移除在所述像素电极的暴露部分上的所述疏水性材料。
有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN201410270366.0有效
发明人：朴正根;安基完;尹柱善 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，该显示装置包括：基板；包括栅极线、数据线和驱动电压线的信号线，该栅极线、数据线和驱动电压线共同限定像素区域的外边界；连接到信号线的晶体管；第一电极，跨过像素区域延伸并形成在信号线和晶体管上且连接到晶体管，该第一电极具有仅与信号线和晶体管重叠的第一部分以及包括第一电极中未包括在第一部分中的全部的第二部分；像素限定层，仅形成在第一电极的第一部分上；基本形成在整个第二部分上但不形成在第一部分上的有机发光层；以及形成在像素限定层和有机发光层上的第二电极。
第一电极信号线晶体管显示装置驱动电压线像素限定层有机发光层像素区域数据线栅极线第二电极外边界基板跨过延伸

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201710600804.9在审
发明人：李成殷;金正贤;金珍泽;安基完;尹柱善;崔炚永 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种能够在半导体层的脱氢工艺中防止对信号线的损坏的显示装置以及制造该显示装置的方法，所述显示装置包括基底；至少一个开关元件，位于基底上；像素电极，连接到所述至少一个开关元件；半导体层，位于基底上，半导体层提供所述至少一个开关元件的沟道区；绝缘层，位于半导体层上；以及导电层，通过绝缘层的接触孔连接到半导体层。绝缘层具有凹槽，所述凹槽与半导体层叠置并且围绕位于接触孔中的导电层。
显示装置及其制造方法

[发明专利]有机发光显示器及制造有机发光显示器的方法-CN201510053035.6在审
发明人：权珉圣;安基完 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及有机发光显示器及制造有机发光显示器的方法。有机发光显示器包括基板、第一电极、有机发射层、第二电极、绝缘层、以及辅助电极。基板具有形成在其上的至少一个薄膜晶体管。第一电极电耦接(例如，电连接)至基板上的薄膜晶体管。有机发射层形成在第一电极上。第二电极形成在有机发射层上。绝缘层形成在第二电极上。辅助电极形成在绝缘层上以电耦接至第二电极。
有机发光显示器制造方法

[发明专利]氧化物半导体器件及其制造方法以及具有氧化物半导体器件的显示装置及其制造方法-CN201210025075.6无效
发明人：王盛民;安基完;尹柱善;金起弘 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-02-01 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：氧化物半导体器件包括位于衬底上栅极；位于衬底上的栅绝缘层，栅绝缘层具有在栅极之上的凹陷结构；位于栅绝缘层的第一部分上的源极；位于栅绝缘层的第二部分上的漏极；以及位于源极和漏极上的有源图案，该有源图案填充凹陷结构。
氧化物半导体器件及其制造方法以及具有显示装置

[发明专利]阵列基板及其制造方法、包括其的液晶显示器设备-CN200610136258.X无效
发明人：安贤宰;林铉洙;李仁成;安基完;边宰成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-10-19 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和包括该阵列基板的液晶显示区设备。所述阵列基板包括基板、电极垫、绝缘层和透明电极。基板包括显示区和与显示区相邻的周边区。电极垫在周边区中。电极垫包括第一金属层和第二金属层。第二金属层在第一金属层上且包括开口，通过该开口第一金属层被部分地暴露，绝缘层在电极垫上且在开口中覆盖第二金属层的侧面和第一金属层暴露的部分。透明电极在绝缘层上，且通过绝缘层中的通路孔电连接到第一金属层。
阵列及其制造方法包括液晶显示器设备

[发明专利]液晶显示器及其制造方法-CN200610080906.4有效
发明人： 安基完;边宰成;李仁成;金东赫;朴正牧 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-05-22 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供了一种制作具有显示区和非显示区的液晶显示器的方法，该方法包括：在绝缘基底上形成具有漏电极的薄膜晶体管(TFT)；在TFT上顺序地形成无机层和有机绝缘层；通过图案化有机绝缘层来形成有机绝缘层图案，有机绝缘层包括第一有机层孔和第二有机层孔，其中，第一有机层孔暴露漏电极上的无机层，第二有机层孔沿着其中有机绝缘层被部分去除的显示区的外围形成；去除通过第一有机层孔暴露的无机层和残留在第二有机层孔内的有机绝缘层；在第二有机层孔内形成密封剂。因而，本发明提供了一种利用较少的掩模制作LCD的方法而防止了滤色器基底与TFT基底分开。
液晶显示器及其制造方法

[发明专利]信号线、有该信号线的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN200610006610.8无效
发明人：许成权;闵勋基;姜镐民;李仁成;洪性秀;安基完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于提供包括铜合金的信号线的系统和技术，所述铜合金包括钼、钨和铬中的至少一种。本公开提供薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基板；形成在该绝缘基板上的栅极线；形成在该栅极线上的栅极绝缘层；形成在该栅极绝缘层上的半导体层；形成在该栅极绝缘层和该半导体层上的欧姆接触；具有形成在该欧姆接触之一上且具有比其下的欧姆接触窄的宽度的源极电极的数据线；以其间一间隙对着该源极电极且具有比其下的欧姆接触窄的宽度的漏极电极；以及连接至所述漏极电极的象素电极，其中所述栅极线和所述数据线中的至少一种包括Cu合金，所述Cu合金包括Cu以及选自含有钼(Mo)、钨(W)和铬(Cr)的组的一种。
信号线薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

[发明专利]显示器件的基板和具有其的液晶显示器件及其制造方法-CN200510113265.3有效
发明人：边宰成;姜镐民;李仁成;闵勋基;洪性秀;安基完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-05 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：一种显示器件的基板包括绝缘基板、数据线、绝缘层和像素电极。该绝缘基板具有开关元件。数据线形成于该绝缘基板上，以电连接到该开关元件的第一电极。该绝缘层形成于具有该开关元件和该数据线的绝缘基板上。该绝缘层具有部分暴露该开关元件的第二电极的接触孔和与该数据线相邻的槽。该像素电极形成于该绝缘层上，通过该接触孔电连接到第二电极。因此，图像显示质量可以得到提高，并且LCD器件的制造成本可以得到降低。
显示器件具有液晶显示及其制造方法

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