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[发明专利]半导体管芯以及制造半导体管芯的方法-CN202310163063.8在审
发明人：拉比耶·杰穆尔;翰内斯·马蒂亚斯·盖克;安东·毛德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了半导体管芯以及制造半导体管芯的方法，其中半导体管芯包括：半导体衬底；形成在半导体衬底的第一区域中并且并联电耦合以形成功率晶体管的多个晶体管单元，多个晶体管单元包括从半导体衬底的第一表面延伸到第一区域中的第一沟槽；形成在第一表面上并且电连接至第一沟槽中的栅极电极的栅极焊盘，该栅极焊盘形成在半导体衬底的没有功能晶体管单元的第二区域上；从第一表面延伸到第二区域中并且包括电连接至栅极焊盘并形成功率晶体管的附加输入电容的第一导体的栅极电极的第二沟槽；以及形成在第二区域中与多个第二沟槽相邻的附加输入电容的第二导体。
半导体管芯以及制造方法

[发明专利]具有半导体开关器件和电流感测单元的半导体组件-CN202310044940.X在审
发明人： 安东·毛德;斯特凡诺·鲁扎;马西莫·格拉索;理查德·库赫辛斯基;丹尼尔·多梅斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：一种半导体组件(400)包括半导体开关器件(100)、导电负载基底结构(422)和电流感测单元(200)。半导体开关器件(100)包括漏极结构(121)和一个或更多个阵列单元(AU)，其中，每个阵列单元(AU)包括负载盘(122)和被并联地电连接在阵列单元(AU)的负载盘(122)与漏极结构(121)之间的多个晶体管单元(TC)。电流感测单元(200)被电连接在负载盘中的第一负载盘(122‑1)与负载基底结构(422)之间。
具有半导体开关器件流感单元组件

[发明专利]具有连接至栅极金属化部的二极管链的半导体器件-CN202210663220.7在审
发明人：约阿希姆·魏尔斯;安东·毛德;拉尔夫·西明耶克;曾光 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种半导体器件(500)包括具有第一导电类型的源极区(110)和栅电极(155)的晶体管单元(TC)。源极区(110)形成在宽带隙半导体部分(100)中。二极管链(DC)包括多个二极管结构(DS)。二极管结构(DS)被形成在宽带隙半导体部分(100)中并且串联电连接。每个二极管结构(DS)包括具有第一导电类型的阴极区(180)和具有互补的第二导电类型的阳极区(190)。栅极金属化部(330)与栅电极(155)以及与二极管链(DC)的阳极区中的第一个阳极区(190)电连接。源电极结构(310)与源极区(110)电连接并且与二极管链(DC)的阴极区中的最后一个阴极区(180)电连接。
具有连接栅极金属化二极管半导体器件

[发明专利]半导体器件、半导体组件及其操作方法-CN202210467459.7在审
发明人：拉比耶·杰穆尔;安东·毛德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件(500)、半导体组件及其操作方法。该半导体器件包括在正面具有第一表面(101)的半导体部分(100)，其中，半导体部分(100)包括有源区(160)、横向围绕有源区(160)的终端结构(170)以及在终端结构(170)与半导体部分(100)的横向外表面(103)之间的无场区(190)。无场区(190)包括探测接触区(193)和主要部分(199)。探测接触区(193)和主要部分(199)形成半导体结。第一表面(101)上的探测垫(350)与探测接触区(193)形成欧姆接触。第一表面(101)上的保护钝化层(220)被至少形成在终端结构(170)上并使探测垫(350)暴露。
半导体器件半导体组件及其操作方法

[发明专利]具有沟道区的压控开关装置和开关组件-CN202210118441.6在审
发明人：汉斯-于尔根·希斯;阿利姆·卡尔莫斯;安东·毛德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种压控开关装置(500)和开关组件。该压控开关装置包括形成在半导体部分(100)中的具有第一导电类型的漏极/漂移区(130)。沟道区(120)与漏极/漂移区(130)彼此直接接触。具有第二导电类型的源极区(110)与沟道区(120)彼此直接接触。栅电极(155)与沟道区(120)电容性耦接并且被配置成使得在压控开关装置(500)的导通状态下，在沟道区(120)中形成与第一导电类型对应的电荷载流子的第一增强区，并且在源极区(110)与第一增强区之间促进带间隧穿。
具有沟道开关装置组件

[发明专利]用于保护功率开关的电路和方法-CN202210544260.X在审
发明人：卡尔·诺林;约翰尼斯·格勒格尔;安东·毛德;贝恩哈德·维希特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H02H7/10 文献下载
摘要：公开了一种用于保护功率开关的方法和电路。该电路包括第一、第二和第三功率开关节点；反馈电路，其耦接到第一、第二和第三功率开关节点中的至少一个，用于调节通过功率开关的电流的变化；耦接到反馈电路的检测器电路，其具有用于指示通过功率开关的电流的变化处于调节中的输出端；以及耦接至检测器电路的定时电路。定时电路被配置成测量通过功率开关的电流的变化处于调节中的持续时间，以及将通过功率开关的电流的变化处于调节中的持续时间与参考进行比较。定时电路包括用于在通过功率开关的电流的变化处于调节中的持续时间超过参考的情况下生成过电流信号的输出端。
用于保护功率开关电路方法

[发明专利]用于保护功率开关的电路和方法-CN201811038302.2有效
发明人：卡尔·诺林;约翰尼斯·格勒格尔;安东·毛德;贝恩哈德·维希特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H02H7/10 文献下载
摘要：公开了一种用于在导通期间保护功率开关的方法和电路。该方法包括：感测通过功率开关的电流的变化处于调节中；测量通过功率开关的电流的变化处于调节中的时间；以及将通过功率开关的电流的变化处于调节中的时间与参考时间进行比较。如果通过功率开关的电流的变化处于调节中的时间超过参考时间，则生成可用于禁用功率开关的过电流信号。
用于保护功率开关电路方法

[发明专利]压控开关装置以及开关组件-CN202111136965.X在审
发明人：克里斯蒂安·菲利普·桑多;安东·毛德;弗朗茨-约瑟夫·尼德诺斯切德 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01H9/00 文献下载
摘要：本发明公开了压控开关装置和开关组件，其中压控开关装置(500)包括：形成在具有横向截面面积AQ的半导体部分(100)中的漏极/漂移结构(130)；源极/发射极端子；以及在漏极/漂移结构(130)与源极/发射极端子之间的发射极沟道区(120)。电阻路径(900)将源极/发射极端子和发射极沟道区(120)电连接。电阻路径(900)的电阻为至少0.1mΩ*cm2/AQ。
开关装置以及组件

[发明专利]开关装置和设计开关装置的方法-CN201810145752.5有效
发明人： 安东·毛德;马丁·格鲁贝尔;戈兰·克泽尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：公开了一种包括在封装件内的开关的开关装置和用于设计开关装置的方法。在开关的负载端子和封装件的第一引脚之间设置有第一电连接，并且在开关的负载端子和封装件的第二引脚之间设置有至少部分地不同于第一电连接的第二电连接。第二引脚不同于第一引脚。
开关装置设计方法

[发明专利]开关器件和用于控制开关的方法-CN201710795576.5有效
发明人： 安东·毛德;奥利弗·黑尔蒙德;彼得·伊尔西格勒;塞巴斯蒂安·施密特;汉斯-约阿希姆·舒尔策;马丁纳·赛德尔-施密特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：提供了开关器件和用于控制开关的方法，其中，根据操作状况的指定范围内的操作状况来设定晶体管器件的控制端子电阻。
开关器件用于控制方法

[发明专利]具有完全耗尽的沟道区的功率半导体器件-CN201710521023.0有效
发明人： 安东·毛德;弗朗茨-约瑟夫·尼德诺斯特海德;克里斯蒂安·菲利普·桑多 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L29/30 文献下载
摘要：具有完全耗尽的沟道区的功率半导体器件(1)包括：半导体本体(10)，其耦接至第一负载端子结构(11)和第二负载端子结构(12)；有源单元场(16)，其在半导体本体(10)中被实现并且被配置成传导负载电流(15)，该有源单元场(16)被边缘终止区(18)包围；被设置在有源单元场(16)中的多个第一单元(141)和多个第二单元(142)，每个单元被配置成用于控制负载电流(15)，并且每个单元在一侧上被电连接至第一负载端子结构(11)并且在另一侧上被电连接至半导体本体(10)的漂移区(100)，该漂移区(100)具有第一导电类型。
具有完全耗尽沟道功率半导体器件

[发明专利]功率半导体装置、功率模块组件及测量电流的方法-CN202010396909.9在审
发明人： 安东·毛德;托马斯·基默;沃尔夫冈·拉贝格;米蒂亚·勒贝克 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：公开了一种功率半导体装置、功率模块组件及测量电流的方法。提出了一种封装集成的功率半导体装置，其包括耦接至电流路径的至少一个功率晶体管、电流测量装置以及封装件。电流测量装置与电流路径电绝缘并且磁耦接至电流路径。电流路径和电流测量装置被布置成使得电流测量装置能够感测流过电流路径的电流的磁场。功率晶体管、电流测量装置和电流路径被布置在封装件内部。此外，提出了一种包括封装集成的功率半导体装置的功率模块组件以及操作封装集成的功率半导体装置的方法。
功率半导体装置模块组件测量电流方法

[发明专利]形成半导体器件的方法以及半导体器件-CN201610991127.3有效
发明人： 安东·毛德;英戈·穆里;约翰内斯·鲍姆加特尔;伊里斯·莫德;弗兰克·迪特尔·普菲尔施;汉斯-约阿希姆·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了形成半导体器件的方法以及半导体器件。根据形成半导体器件的方法，在硅半导体本体的第一表面处形成辅助结构。在半导体本体上在第一表面处形成半导体层。在第一表面处形成半导体器件元件。然后从与第一表面相反的第二表面去除半导体本体至少直至辅助结构的朝向第二表面取向的边缘。
形成半导体器件方法以及

[发明专利]具有完全耗尽的沟道区的功率半导体器件及其操作方法-CN201710522120.1有效
发明人： 安东·毛德;弗朗茨-约瑟夫·尼德诺斯特海德;弗兰克·迪特尔·普菲尔施;克里斯蒂安·菲利普·桑多 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种具有完全耗尽的沟道区的功率半导体器件及其操作方法。该功率半导体器件(1)包括：半导体本体(10)，其耦接至第一负载端子结构(11)和第二负载端子结构(12)并且被配置成传导负载电流(15)；第一单元(141)和第二单元(142)，每个单元被配置成用于控制负载电流(15)，并且每个单元在一侧上被电连接至第一负载端子结构(11)并且在另一侧上被电连接至半导体本体(10)的漂移区(100)；包括在第一单元(141)中的第一台面(101)，其包括第一端口区(1011)和第一沟道区(1012)；包括在第二单元(142)中的第二台面(102)，其包括第二端口区(1021)和第二沟道区(1022)。
具有完全耗尽沟道功率半导体器件及其操作方法

[发明专利]宽带隙半导体器件-CN201610631426.6有效
发明人：丹尼尔·屈克;托马斯·艾兴格尔;弗朗茨·希尔勒;安东·毛德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及宽带隙半导体器件，包括第一负载端子、第二负载端子、控制端子及具有漂移区的半导体本体(其由具有比硅的带隙更大的带隙的半导体材料形成)，并被配置成传导第一和第二负载端子间的负载电流。半导体器件包括：源极区，其被布置在半导体本体中并电连接到第一负载端子；毗邻区，其被布置在半导体本体中并将源极区与漂移区隔离；沟道，其沿垂直方向延伸到半导体本体中并包括第一电极和绝缘体。在沟道的底部区域处绝缘体沿垂直方向表现第一厚度并在沟道的顶部区域处沿第一横向方向表现第二厚度，第一厚度比第二厚度大至少1.5倍。毗邻区被布置成与绝缘体接触并且比沟道沿垂直方向延伸得更远，沟道底部区域和毗邻区沿第一横向方向表现重叠。
宽带半导体器件

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