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[实用新型]可调节挂车后防护总成结构-CN202320660324.2有效
发明人：康颂杰;孟晋辉;卢二小 -专利权人：中铁联运（山西）能源有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B60R19/44 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可调节挂车后防护总成结构，属于半挂车技术领域。它包括外护板和护板安装板，所述的护板安装板上固连有两根连接杆，所述的外护板上固连有至少两根一号限位杆，所述的一号限位杆垂直于外护板和护板安装板。护板安装板通过两根连接杆安装在挂车尾部，挂车尾部受到冲撞时，外护板向靠近护板安装板一侧移动能通过外护板缓冲结构进行缓冲，一号限位杆能够对外护板进行限位，其次，当外护板受到的撞击力度较大时，触发机构触发气囊缓冲组件工作从而能够对外护板施加与撞击力相反的作用力以抵消一部分外护板受到的撞击力，从而能够对挂车尾部起到有效的防护。
调节挂车防护总成结构

[实用新型]双挂货车A挂连接结构-CN202320551954.6有效
发明人： 孟晋辉;康颂杰;卢二小 -专利权人：中铁联运（山西）能源有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B62D21/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双挂货车A挂连接结构，属于双挂货车技术领域。它包括挂车主体，所述的挂车主体一端为用于连接车头的车头连接端，所述的挂车主体的另一端为挂车连接端，所述的挂车连接端的上端面低于车头连接端的上端面，所述的挂车连接端上还设有鞍座总成，所述的鞍座总成和车头连接端之间具有一段转弯间隙。挂车主体的车头连接端和挂车连接端能分别用于连接车头和B挂车，将挂车连接端的上端面的高度设置的低于车头连接端的上端面能对车头连接端上可安装车厢的最大长度进行约束，使B挂车固定到鞍座总成上后，挂车主体和B挂车上的车厢之间的距离能大于等于转弯间隙，以防止两个车厢发生碰撞。
货车连接结构

[发明专利]一种微型电子元件排料转移与定位装置及其方法-CN202310741921.2在审
发明人： 孟晋辉;田兴银;陈锋 -专利权人：东莞普莱信智能技术有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种微型电子元件排料转移与定位装置及其方法，属于微型电子元件生产设备领域，本装置包括载物台、微针装置、顶升机构和摄像装置；采用双顶针同时往中间移动原理，增大了位于第一载物台一侧的目标微型电子元件附近的其他微型电子元件与第二载物盘上已排布完成的微型电子元件之间的间隙，避免了现有技术中只有微型顶针下戳时，位于第一载物台一侧的目标微型电子元件附近的微型电子元件与第二载物盘中已排布完成的微型电子元件发生干涉，本发明缩小了第二载物盘上排布的微型电子元件之间间距，节省了资源；本装置通过载物台、微针装置、顶升机构和摄像装置的协同配合，实现了微型电子元件的高效转移和更小的微型电子元件的转移。
一种微型电子元件转移定位装置及其方法

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN202310639150.6在审
发明人：杜雪珂;孟晋辉;郭秋生;丁甲;张继伟;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B53/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制造方法。本申请通过回刻蚀第一介质层形成部分暴露的第一连接结构，并形成包覆部分暴露的第一连接结构的三维立体结构的存储单元，增加器件极化面积，可以在占用相同平面面积的基础上，增大存储层及电极层的有效面积，从而提高极化电荷量，优化提升器件运行效率及可靠性。
三维存储器及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310268124.7在审
发明人： 孟晋辉;胡林辉;张继伟;丁甲;王峰 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括衬底；第一层间介质层，位于所述衬底表面；所述第一层间介质层远离所述衬底的一侧设置有应力释放槽；所述应力释放槽至少从所述第一层间介质层远离所述衬底的表面延伸至所述第一层间介质层内部。该半导体结构可以通过应力释放槽有效地释放第一层间介质层内部的应力，防止第一层间介质层的两端在应力作用下带动衬底一起向上翘起。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种芯片贴装方法及装置-CN202110213299.9有效
发明人： 孟晋辉;何海东;李南庆;李帝杰 -专利权人：东莞普莱信智能技术有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片贴装方法，以及一种芯片贴装装置，通过在芯片焊接之前对芯片进行角度定位，减少了芯片与基板的角度偏移；通过使用直线电动机进行芯片与基板的位置调整，配合使用光栅编码器进行直线电动机的移动控制，减少了机械传动带来的误差；将定位位置与焊接位置设置于相机定位装置的视觉中心，从而进一步减少芯片贴装过程中机械震动及设备长时间运行产生的热量对设备运动精度的影响而产生的运动误差对芯片贴装精度的影响。本发明能够有效提高芯片贴装精度。
一种芯片方法装置

[发明专利]半导体结构制备方法及半导体结构-CN202211474588.5在审
发明人： 孟晋辉;丁甲;张继伟 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，半导体结构制备方法包括：提供衬底，衬底内形成有隔离结构及由隔离结构限定的初始有源区，初始有源区上形成有牺牲层；在相同的刻蚀条件下，牺牲层的刻蚀速率大于初始有源区的刻蚀速率；去除牺牲层，初始有源区采用干法刻蚀工艺刻蚀初始有源区的裸露顶面，得到顶面具有目标光滑度均一性的目标有源区，且目标有源区与相邻的隔离结构之间具有凹槽；形成栅介质层，栅介质层覆盖目标有源区的裸露顶面。该方法在栅介质层形成之前将初始有源区的裸露顶面上的尖角除去，使栅介质层能够均匀地生长，使得栅介质层厚度均匀，不会导致TDDB的发生，避免器件因此失效。
半导体结构制备方法

[发明专利]接触孔的制作方法以及接触孔结构-CN202211578805.5在审
发明人： 孟晋辉;丁甲;张继伟 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H10B53/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔的制作方法以及接触孔结构。所述方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括存储单元和和覆盖所述存储单元的绝缘层，所述存储单元包括第一电极板和第二电极板，所述第二电极板远离所述第一电极板的一侧连通有初始通孔；在所述绝缘层形成沟槽，所述沟槽的底部与所述第一电极板接触；通过湿法刻蚀进一步在所述第一电极板内与所述初始通孔相对应的位置形成接触孔。本发明采用两步刻蚀的方法，既增加了接触孔和第一电极板的接触面积，又保护了中间材料层不受损耗，解决了因为刻蚀负载效应造成的第一电极板和第二电极板短路的问题。
接触制作方法以及结构

[发明专利]一种用于地下室支撑换撑装置-CN202111056741.8有效
发明人：汪莹;孟晋辉;曾小鱼;宋珺;韩金龙 -专利权人：中国建筑第五工程局有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： E04G25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于地下室支撑换撑装置，属于工程建筑技术领域。一种用于地下室支撑换撑装置，包括移动块，伸缩杆A圆周外壁多上侧滑动连接有套筒，套筒圆周内部下端对称设有两个限位柱，移动块上方呈环形等间距设有多个第一三角块，移动块上方呈环形等间距设有多个连接杆，移动块上方呈环形等间距设有多个调节杆，结构间的紧密配合，使得该装置在使用时，可以方便的运送到所欲地点，通过伸展，使得多个第一三角块展开形成支撑，不仅方便设置支撑，而且增大了与墙体的接触面积，从而提高了支撑效果差，避免了安全隐患的发生。
一种用于地下室支撑装置

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010911164.5在审
发明人：于海龙;荆学珍;张浩;张田田;孟晋辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有介质层，且所述介质层内具有暴露出基底表面的开口；在所述开口底部和部分侧壁表面形成阻挡层，且所述阻挡层的顶部表面低于所述介质层的顶部表面；在所述开口内形成导电层，且所述导电层位于所述阻挡层表面。由于位于部分开口侧壁表面的阻挡层的高度已满足具体工艺需求，使得形成导电层之后，不需要对阻挡层进行刻蚀工艺，从而减少了对导电层造成的刻蚀损伤，有利于提高形成的导电层的形貌，进而提高形成的半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010912159.6在审
发明人：于海龙;荆学珍;张浩;张田田;孟晋辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底上具有介质层，且所述介质层内具有暴露出基底表面的开口；位于所述开口内的导电层；位于所述导电层顶部表面的覆盖层，由于所述覆盖层覆盖于所述导电层表面，能够减少导电层内的原子或者离子向上扩散，进入到所述介质层内或者后续位于开口内的其他结构，有利于提高形成的半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种芯片贴装装置-CN202110213677.3有效
发明人： 孟晋辉;何海东;李南庆;李帝杰 -专利权人：东莞普莱信智能技术有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片贴装装置，包括基板上料装置、基板送料装置、芯片送料装置、芯片定位装置、对位焊接装置、定位装置、下料装置，基板上料装置的输出端与对位焊接装置的基板输入端通过基板送料装置连接，芯片定位装置的输出端与对位焊接装置的芯片输入端通过芯片送料装置连接，对位焊接装置的输出端与下料装置的输入端通过基板送料装置连接，定位装置分别与芯片送料装置、芯片定位装置、对位焊接装置电连接；还包括电气系统，电气系统与基板上料装置、基板送料装置、芯片送料装置、芯片定位装置、对位焊接装置、定位装置、下料装置电连接，通过精确控制芯片的移动和位置，在对位焊接时进一步对芯片和基板进行定位，来提高芯片贴装的精度。
一种芯片装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010929718.4在审
发明人：于海龙;荆学珍;张浩;张田田;孟晋辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一介质层和若干栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内具有源漏掺杂区，且所述源漏掺杂区顶部表面具有源漏插塞，所述第一介质层位于所述栅极结构、源漏掺杂区以及源漏插塞表面；在所述第一介质层内形成第一插塞，所述第一插塞与所述源漏插塞顶部表面或者栅极结构顶部表面相接触；在所述第一介质层表面形成第二介质层，且所述第二介质层覆盖所述第一插塞表面；在所述第一介质层和第二介质层内形成第二插塞材料膜，所述第二插塞材料膜与所述源漏插塞顶部表面或者栅极结构顶部表面相接触。所述方法有利于提高形成的半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010929722.0在审
发明人：张田田;荆学珍;张浩;于海龙;韩静利;孟晋辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其方法包括：提供基底，所述基底内形成有接触孔，所述接触孔的底部表面暴露出所述基底内的源漏掺杂层的顶部表面；在所述接触孔的底部和侧壁上形成初始阻挡层；在所述初始阻挡层上形成金属层，所述金属层覆盖部分所述初始阻挡层的侧壁；在所述金属层上形成密封层；刻蚀去除所述金属层未覆盖的部分所述初始阻挡层，形成所述阻挡层；在金属层上形成密封层之后，密封层将金属层很好的保护住，这样在刻蚀去除金属层未覆盖的部分初始阻挡层形成阻挡层的过程中，由于密封层的保护作用，使得金属层在刻蚀工艺中不会遭到损伤，从而提高了金属层的形成质量，有助于提高形成的半导体器件的质量和良率。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种带刻度可伸缩式深基坑侧壁采样器-CN202110013964.X有效
发明人：雷明;曾小鱼;孟晋辉 -专利权人：中国建筑第五工程局有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： E02D1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种带刻度可伸缩式深基坑侧壁采样器，属于深基坑土壤采样设备技术领域。一种带刻度可伸缩式深基坑侧壁采样器，包括L型移动座，U型块上方设有伸缩刻度齿条，伸缩刻度齿条下端穿过套筒内部延伸至外部并固设有正反电机，正反电机下方设有对向转动调节箱，对向转动调节箱下方设有采样控制箱，调节齿条下侧壁固设有采样盒，多个采样盒的设计实现了对土壤的多组取样，满足了不同成分的土壤土质进行不同试剂检测的需求，有效的避免了存在交叉污染的情况，而影响对土壤结构检测的结果，为后期施工提供了保障，且该采集器通过采样盒可以伸出并配合旋转可以直接插入深基坑侧壁将土壤打碎进行取样，有效的提高了采样的效率。
一种刻度伸缩基坑侧壁采样

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