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[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN201510093653.3有效
发明人： 孙玉芹;王江波;刘榕 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括：衬底，和依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、n型GaN层、多量子阱层、以及p型GaN层，该外延片还包括：设于n型GaN层与多量子阱层之间的势垒结构层，该势垒结构层包括N层势垒结构，每层势垒结构包括：依次生长的u型GaN子层和p型GaN子层。本发明通过在n型GaN层与多量子阱层之间增设由N层势垒结构组成的势垒结构层，形成多层能量势垒，能有效降低大电流密度下n型GaN层中的电子注入多量子阱层的速率，提高了电子和空穴在多量子阱层中的复合率，进而提高了大电流密度下LED芯片的发光效率。
一种 gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]具有高发光效率的外延片生长方法-CN201510599117.0有效
发明人： 孙玉芹;王江波 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高发光效率的外延片生长方法，属于发光二极管领域。该方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层；在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层；在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层；在所述P型AlGaN层上生长P型GaN载流子层；其中，所述在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层，包括：在反应腔内温度为950℃，反应腔内压强为100torr的环境下，间歇式生长AlGaN层，并在所述AlGaN层生长间隙通入CP2Mg源。本发明提供的方法使得注入多量子阱有源层中的空穴明显增加，可以大大提高了电子和空穴在多量子阱有源层中的复合效率，由于复合效率的提高，使电子溢漏的程度减小，提高了大电流密度下GaN基LED的发光效率。
具有发光效率外延生长方法

[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法-CN201810126026.9在审
发明人： 孙玉芹;董彬忠;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于光电子技术领域。该提供一蓝宝石平片衬底；在蓝宝石平片衬底上依次生长AlN缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，其中，发光层包括交替层叠的多层InGaN阱层和多层GaN垒层，在生长多层InGaN阱层时，铟源的流量为300sccm～500sccm，通过在蓝宝石平片衬底上依次生长AlN缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，在生长发光层中的多层InGaN阱层时，控制铟源的流量为300sccm～500sccm，可以提高发光层的晶体质量，能够提高LED芯片的开启电压，有效减少LED芯片漏电的情况，使得同一晶元分割出的多个LED芯片中有更多的LED芯片可以正常发光，提高了产品的良率。
发光层多层蓝宝石衬底平片生长发光二极管外延片铟源制备光电子技术领域漏电交替层叠开启电压有效减少晶元垒层良率发光分割

[发明专利]具有新型量子垒的发光二极管外延片及其制备方法-CN201610097758.0有效
发明人： 孙玉芹;董彬忠;王江波 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有新型量子垒的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN载流子层，所述多量子阱有源层包括交替生长的M+N个量子阱层和M+N个量子垒层，所述量子阱层为InGaN阱层；其特征在于，所述M+N个量子垒层中靠近所述N型GaN层的M个所述量子垒层为Alx1Ga1‑x1N/GaN结构，所述M+N个量子垒层中靠近所述P型GaN载流子层的N个所述量子垒层为Alx2Ga1‑x2N/GaN结构，M和N均为大于1的正整数，且M与N的差值为0或1，0＜x1＜1，0＜x2＜1，且x1大于x2。
量子垒层发光二极管外延载流子多量子阱有源层量子阱层量子垒衬底制备发光二极管交替生长正整数覆盖

[发明专利]高亮度发光二极管外延片及其制备方法-CN201610123884.9有效
发明人： 孙玉芹;王江波 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种高亮度发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该高亮度发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN层，所述N型GaN层包括依次覆盖在所述u型GaN层上的第一N型GaN子层、第二N型GaN子层和第三N型GaN子层，本发明中第二N型GaN子层采用多个生长周期生长而成，且每个生长周期中，先生长一定厚度的GaN，然后再向GaN中通入Si源进行掺杂，这种方式生长出的第二N型GaN子层的载流子浓度较高，因而横向电阻较小，另外发光二极管外延片的台阶面位于第二N型GaN子层上，所以电流由N电极传输下来时横向扩展较为容易，大大提高发光二极管的亮度。
子层高亮度发光二极管外延片发光二极管生长周期衬底制备载流子多量子阱有源层发光二极管外延横向电阻横向扩展台阶面生长覆盖掺杂传输

[发明专利]具有新型量子阱的发光二极管外延片及其制备方法-CN201610098456.5有效
发明人： 孙玉芹;董彬忠;王江波 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有新型量子阱的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN载流子层，多量子阱有源层包括交替生长的M+N个量子阱层和M+N个量子垒层，量子阱层为InGaN阱层，量子垒层为GaN垒层；M+N个量子阱层中靠近N型GaN层的M个量子阱层的厚度逐渐变化，且在M+N个量子阱层中靠近N型GaN层的M个量子阱层中，靠近N型GaN层的量子阱层的厚度大于靠近P型GaN载流子层的量子阱层的厚度，M+N个量子阱层中靠近P型GaN载流子层的N个量子阱层的厚度均小于M个量子阱层的厚度，M和N均为大于1的正整数，且M与N的差值为0。
具有新型量子发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]具有新型结构的发光二极管外延片及其制备方法-CN201510925662.4有效
发明人： 孙玉芹;王江波 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有新型结构的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该具有新型结构的发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层、P型AlGaN层和P型载流子极化层，多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层；P型载流子极化层包括依次覆盖在P型AlGaN层上的第一P型GaN子层、P型AlGaN子层和第二P型GaN子层。通过异质结构形成的P型载流子极化层形成强极化电场，使得翻越或者隧穿过该极化电场的空穴能量增加，从而使得更多的空穴有足够的能量越过P型AlGaN层进入到量子阱有源区中，以增加注入多量子阱有源层中的空穴浓度，提高了电子和空穴在多量子阱有源层中的复合效率。
具有新型结构发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管的封装方法-CN201610167672.0有效
发明人：王群;郭炳磊;董彬忠;孙玉芹;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的封装方法，属于发光二极管制作技术领域。该封装方法包括在发光二极管芯片的外表面上设置复合树脂层，所述复合树脂层包括树脂、石墨烯和荧光粉；对涂设有所述复合树脂层的发光二极管芯片进行固化干燥。本发明通过在封装发光二极管芯片时，在发光二极管芯片的外表面上设置复合树脂层，该复合树脂层包括树脂、石墨烯和荧光粉，由于石墨烯具有良好的导热性，且包括石墨烯的复合树脂层设置在发光二极管芯片的外表面，所以使得发光二极管芯片发出的热量能够通过复合树脂层散发出去，从而使得发光二极管能够具有良好的散热性能。
一种发光二极管封装方法

[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法-CN201710852359.5在审
发明人： 孙玉芹;董彬忠;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于光电子技术领域。该制备方法包括提供一衬底；在衬底上生长缓冲层；对缓冲层进行温度稳定处理，温度稳定处理包括将生长有缓冲层的衬底置于1000～1050℃环境下，持续时间为t；在生长有缓冲层的衬底上依次生长三维GaN岛状层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，通过在衬底上生长了缓冲层之后，对制作中的外延片进行温度稳定处理，将生长有缓冲层的衬底置于1000～1050℃环境下，并持续一段时间，再在缓冲层上依次生长三维GaN岛状层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，可使生长出来的外延片厚度更加均匀，从而使该外延片制成的LED芯片发光波长分布更加均匀。
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN201610124515.1有效
发明人： 孙玉芹;王江波 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该外延片包括衬底，以及依次覆盖在衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN载流子层，多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层；外延片还包括设置在N型GaN层和多量子阱有源层之间的电流扩展层，电流扩展层的结构为n个周期的GaN/AlxGaN/AlyGaN，其中GaN为低掺Si或者不掺Si的GaN层，AlxGaN和AlyGaN层均掺杂少量Si，AlxGaN层为Al组分为x的AlxGaN层，AlyGaN层为Al组分为y的AlyGaN层，0.1≤x≤0.35，沿N型GaN层到多量子阱有源层的方向，y从x递减到0，通过这种结构优化生长的外延片横向电流扩展得到明显的改善，进而使得发光均匀性得到改善，大大提高发光亮度。
新型发光二极管外延及其制备方法

[实用新型]一种多功能健身器材-CN201621305712.5有效
发明人：张思艺;孙玉芹;王海岩 -专利权人：青岛滨海学院
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： A63B23/12 文献下载
摘要：一种多功能健身器材，本实用新型涉及健身器材技术领域；它包含床板和支撑脚；床板的底部设有若干个支撑脚；所述的床板由定床板和动床板构成；所述的定床板与动床板之间通过旋接件旋接；动床板上侧设有脚部定位架；所述的定床板上开设有数个开孔，开孔内设有按摩器；所述的按摩器由侧板、固定轴、按摩轴构成；两个侧板之间的中部通过固定轴连接，固定轴的两端穿过侧板后与开孔的两侧边旋接。集多种锻炼于一体，降低成本，节约了室内空间，适合普通大众，含有多种人性化的设计，增加产品对使用者的友好度。
一种多功能健身器材

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201410222155.X有效
发明人： 孙玉芹;王江波;刘榕 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，有源层包括交替生长的量子阱层和量子垒层，量子阱层为InGaN层，量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层，第二量子垒层为有源层中最靠近P型层的一个量子垒层，第一量子垒层为除第二量子垒层以外的量子垒层，第一量子垒层为GaN层，第二量子垒层包括交替生长的第一子层和第二子层，第一子层为GaN层，第二子层为AlGaN层。本发明通过将有源层中最靠近P型层的量子垒层改为交替生长的GaN层和AlGaN层，提高了发光二极管的发光效率。
一种发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种蓝绿光发光二极管的外延片及制备方法-CN201710051020.5在审
发明人： 孙玉芹;董彬忠;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝绿光发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子技术领域。该外延片包括平片衬底和依次层叠在平片衬底上的AlN缓冲层、u型GaN层、N型GaN层、有源层和P型GaN层，AlN缓冲层的厚度为dnm，5≤d＜25，由于采用平片衬底，相比使用PSS可以降低制作的成本，由于平片衬底上设置有AlN缓冲层，且AlN缓冲层的厚度为5nm～25nm，AlN缓冲层的晶格常数接近于平片衬底和u型GaN层，从而可以减少外延片中的晶格缺陷，提高外延片的质量。
一种蓝绿发光二极管外延制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片生长方法-CN201410430533.3有效
发明人： 孙玉芹;董彬忠;王江波;刘榕 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片生长方法，属于半导体技术领域。所述方法包括将反应腔中的温度控制在第一生长温度，向反应腔中持续通入氨气并间断性地通入三甲基镓源，在玻璃衬底上生长不掺杂层；将反应腔中的温度调至第二生长温度，向反应腔中持续通入氨气和硅源并间断性地通入三甲基镓源，在不掺杂层上生长N型层；将反应腔中的温度调至第三生长温度，向反应腔中持续通入氨气并间断性地通入三甲基镓源和三甲基铟源，在N型层上生长有源层；将反应腔中的温度调至第四生长温度，向反应腔中持续通入氨气、二茂镁源以及间断性通入三甲基镓源，在有源层上生长P型层；第一生长温度、第二生长温度、第三生长温度以及第四生长温度均不超过480°。
一种发光二极管外延生长方法

[发明专利]一种多功能健身器材-CN201611086835.9在审
发明人： 孙玉芹;张思艺 -专利权人：青岛滨海学院
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： A63B23/02 文献下载
摘要：一种多功能健身器材，本发明涉及健身器材技术领域；它包含床板和支撑脚；床板的底部设有若干个支撑脚；所述的床板由定床板和动床板构成；所述的定床板与动床板之间通过旋接件旋接；动床板上侧设有脚部定位架；所述的定床板上开设有数个开孔，开孔内设有按摩器；所述的按摩器由侧板、固定轴、按摩轴构成；两个侧板之间的中部通过固定轴连接，固定轴的两端穿过侧板后与开孔的两侧边旋接。集多种锻炼于一体，降低成本，节约了室内空间，适合普通大众，含有多种人性化的设计，增加产品对使用者的友好度。
一种多功能健身器材