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[实用新型]一种新型儿科护理吸痰装置-CN201921466368.1有效
发明人： 孙晓娟;徐明;杨秀 -专利权人：南通市第一人民医院
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： A61M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型儿科护理吸痰装置，包括积痰瓶、吸痰管和中空管，所述积痰瓶包括瓶体、刻度线和瓶颈，且瓶体的外壁均匀设置有刻度线，所述瓶体的上端焊接有瓶颈，且瓶颈的上方安装有密封盖，所述密封盖的内部贯穿有第一连接管和第二连接管，且第一连接管的右侧设置有第二连接管，所述吸痰管的一端连接于第一连接管的左端，且吸痰管的另一端安装有软垫，所述吸痰管的外壁套接有限位板，所述中空管连接于第二连接管的右端，且中空管的内部安装有活塞，所述活塞的右端固定有支杆，且支杆的右侧外壁套接有弹簧，所述支杆的右端固定有压板。该新型儿科护理吸痰装置不仅拆装方便，便于及时更换新吸痰管和积痰瓶，使用也比较省力，实用性高。
一种新型儿科护理装置

[发明专利]单层石墨烯的双面掺杂及多层石墨烯的双侧掺杂方法-CN202010145405.X在审
发明人：黎大兵;陈洋;孙晓娟;贾玉萍;蒋科;石芝铭;臧行 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供了单层石墨烯的双面掺杂及多层石墨烯的双侧掺杂方法，涉及二维材料的加工改性和器件应用技术领域。本发明的单层石墨烯的双面掺杂或多层石墨烯的双侧掺杂，包括单层或多层石墨烯薄膜的生长、一面或一侧掺杂层的生成、柔性支撑层的生成、催化金属衬底的去除、另一面或另一侧掺杂层的生成这些步骤，利用柔性支撑层转移单层或多层石墨烯前后的两个阶段，分别对石墨烯薄膜的两个面进行掺杂材料的修饰，以实现单层或多层石墨烯的双面或双侧掺杂，相较于传统的石墨烯单侧顶掺杂工艺，双面或双侧掺杂的方法显著提高石墨烯的导电性，且能带的可调节范围更广泛，改善了石墨烯基电子器件的性能并能满足不同的应用需求。
单层石墨双面掺杂多层方法

[发明专利]一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法-CN201811634478.4有效
发明人：黎大兵;程东碧;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法，属于半导体技术领域。本方法主要针对GaN基集成波导光损耗问题，提出采用高反膜来提高GaN基集成波导的光耦合效率。包括以下关键步骤：多量子阱脊形光波导结构设计、GaN材料生长、多量子阱InGaN/GaN结构的生长、电极套制技术、多量子阱LED侧面镀高反膜等关键技术。通过本发明能够有效提高集成波导的光耦合效率，为提高GaN基集成波导光耦合效率提供了有效途径。本发明工艺简单，成本低廉，具有广阔的应用前景。
一种采用高反膜提高 gan 集成波导耦合效率方法

[发明专利]一种实现位错缺陷微区光电性能测评的方法-CN202010038547.6在审
发明人：黎大兵;开翠红;孙晓娟;贾玉萍;蒋科;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现位错缺陷微区光电性能测评的方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：S1，根据氮化物单体位错的缺陷选择刻蚀方法；S2，表征刻蚀坑的形貌，确定氮化物单体位错的类型；S3，表征氮化物单体位错暗态下表面电势；S4，表征氮化物单体位错紫外光下表面电势；S5，基于表面电势，建立能带模型，获得氮化物单体位错光电性能。本发明根据刻蚀坑的形貌辨别出螺位错、刃位错、混合位错，解决紫外光辅助开尔文探针力显微镜无法分辨单体位错的问题。本发明应用于半导体技术领域。
一种实现缺陷光电性能测评方法

[发明专利]一种智能爬楼坐卧一体式轮椅-CN201910274639.1有效
发明人：张红梅;吕学东;孙晓娟;陈桂军 -专利权人：张红梅
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： A61G5/06 文献下载
摘要：本发明公开一种智能爬楼坐卧一体式轮椅，包括主体部分、爬楼梯部分和遮阳伞部分，其特征在于：本发明在作为普通轮椅使用时，将爬楼梯部分和遮阳伞部分收起，当需要休息时，通过主体部分的背板和腿板放平作为床使用，当需要遮阳遮雨时，通过遮阳伞部分的各部分协调工作将遮阳布打开，当需要上下楼梯时，通过主体部分的第二电缸和第三电缸带动第二伸缩套筒和第三伸缩套筒缩回从而将轮子和万向轮提起，然后将爬楼梯部分的楼梯卡卡在台阶上，通过第二步进电机带动楼梯卡转动从而使轮椅可以上下楼梯，方便了一些老人和残疾人上下楼梯，在户外时也为人们提供了遮阳和挡雨，作为床使用更方便了人们的休息，实现了轮椅的多功能一体化。
一种智能爬楼坐卧一体式轮椅

[发明专利]一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器-CN201711442499.1有效
发明人：陈一仁;宋航;黎大兵;蒋红;缪国庆;李志明;孙晓娟;张志伟 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供的非易失性存储器单元适用于Ⅲ族氮化物材料，且满足制备高密度全氮化物材料非易失性存储器件的要求。其中，Si3N4材料台面(7)作为阻抗开关层，实现存储功能。AlN材料台面(6)作为隧穿势垒层，缓解阻抗开关层(Si3N4材料台面)中存在的漏电通道对忆阻器稳定性的破坏，提升忆阻器的非易失性存储器开关过程的可靠性和状态稳定性。发展这种非易失性存储器单元，有望开发Ⅲ族氮化物半导体在发光、激光、光电探测以及高电子迁移率晶体管等应用领域之外的新用途，弥补其在存储器应用领域的空白，利于与氮化物半导体发光二极管、激光二极管、光电探测器以及高电子迁移率晶体管等实现基于全氮化物材料体系的单片光电集成。
一种非易失性存储器单元制备方法

[发明专利]基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法-CN201911335998.X在审
发明人：黎大兵;陈洋;孙晓娟;贾玉萍;蒋科;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法，涉及二维材料的应用技术领域。本发明的基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法，包括单层石墨烯薄膜的生长、掺杂层的生成、支撑层的贴附、催化金属衬底的去除、石墨烯薄膜转移的步骤，利用掺杂材料同时作为石墨烯转移的保护层和掺杂层，解决了现有石墨烯转移技术中石墨烯材料沾污、薄膜破损、电学性能差等诸多问题，还可以重复上述操作，转移制备逐层掺杂的大面积高质量多层石墨烯薄膜。本发明的基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法，保证了释放到目标衬底上的石墨烯薄膜具有连续的表面形貌和完整的二维结构，同时改善了石墨烯的功函数和电导率。
基于掺杂辅助大面积质量石墨无损转移方法

[发明专利]一种高迁移率高空穴浓度P型AlGaN材料及其生长方法-CN201811118793.1有效
发明人：黎大兵;蒋科;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭;刘贺男 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种高迁移率高空穴浓度P型AlGaN材料及其生长方法，属于半导体技术领域。解决了现有技术中P型AlGaN的迁移率低、空穴浓度低的问题。本发明的P型AlGaN材料，包括从下至上依次设置的氮化铝层、掺杂外延层和渐变外延层；氮化铝层为Al极性面；掺杂外延层的材料为Mg掺杂的P型AlGaN，掺杂外延层为金属面极性；渐变外延层为从下至上依次设置的多层结构，每层材料皆为非故意掺杂AlxGa1‑xN材料，且多层非故意掺杂AlxGa1‑xN材料的Al组分从下至上逐渐减少。该P型AlGaN材料基于极化诱导电荷同时将载流子迁移区域和杂质电离区域分离的思想，实现高迁移率和高空穴浓度。
一种迁移率空穴浓度 algan 材料及其生长方法

[发明专利]一种输液用儿科座椅及其使用方法-CN201911259172.X在审
发明人： 孙晓娟;徐明;杨秀 -专利权人：南通市第一人民医院
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： A61M5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种输液用儿科座椅。所述输液用儿科座椅包括座设组件与挂针组件，所述座设组件包括底座、坐板与靠板，所述坐板设置于所述底座上，所述靠板设置于所述坐板的一端边缘，所述挂针组件包括挂杆、支撑格栅架、吊瓶、输液管、多个限制绳与两个限位半环，所述挂杆固定设置于所述坐板的一侧，所述支撑格栅架固定于所述挂杆上，所述吊瓶设置于所述支撑格栅架上，所述输液管连接于所述吊瓶上并向所述坐板延伸，所述输液管的端部设置有吊针，所述吊针用于插设于儿童的头部。所述输液用儿科座椅使得所述吊针不易因意外受力而拔出。本发明还提供一种输液用儿科座椅的使用方法。
一种输液儿科座椅及其使用方法

[实用新型]一种便于排便的病床-CN201920338167.7有效
发明人： 孙晓娟;方亚琴 -专利权人： 孙晓娟
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： A61G7/02 文献下载
摘要：本实用新型属于病床技术领域，尤其涉及一种便于排便的病床，它包括病床支架、前床板、触发机构、起落机构、后床板、便盆驱动机构、支撑机构，该病床，一方面通过手动驱动起落把手，可以控制前床板相对于后床板向上摆动，通过前床板摆动使得病人坐起，同时给病人在坐起后提供一个可以依靠的平台；另一方面通过人工驱动驱动把手控制便盆支架自动移动到病床下侧供病人排便，且在此过程中，病人不用起身或翻身就可以直接排便，减少了病人在排便过程中起身的不便性；同时也降低了工作人员的工作力。
排便前床板病床后床板起身病床技术领域本实用新型便盆支架病床支架触发机构起落机构驱动把手驱动机构人工驱动手动驱动向上摆动支撑机构自动移动不便性工作力摆动便盆坐起起落翻身把手

[发明专利]一种新型结构的底部沟槽栅极GaN-MOSFET器件及其制备方法-CN201911050371.X在审
发明人：黎大兵;刘新科;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种新型结构的底部沟槽栅极GaN‑MOSFET器件及其制备方法涉及高功率开关半导体器件和制造该半导体器件的技术领域，该器件从下至上依次为衬底、n型GaN外延层、P型GaN外延层和在P型GaN外延层中离子注入一层n型GaN，在器件中形成底部沟槽结构，侧壁为Si
沟槽结构半导体器件底部氧化物栅极绝缘层上表面器件击穿电压高功率开关衬底接触高温条件沟槽栅极漏极电极散热性能双层结构源极接触栅极电极最大电场低能耗电极侧壁衬底制备制作离子穿过生长制造

[实用新型]一种可调节的护理颈托-CN201920294663.7有效
发明人： 孙晓娟;李浩明 -专利权人： 孙晓娟
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： A61F5/055 文献下载
摘要：本实用新型公开一种可调节的护理颈托，包括颈托前部和颈托后部，所述颈托前部包含有上托板和下托板，所述上托板和下托板之间设置有高度调节装置，所述高度调节装置包含有调节柱、第一锥形齿轮和与第一锥形齿轮相配对的第二锥形齿轮，所述第一锥形齿轮和第二锥形齿轮均位于下托板内部，所述第一锥形齿轮和第二锥形齿轮相互垂直设置，所述第一锥形齿轮和第二锥形齿轮齿合连接，所述调节柱位与第一锥形齿轮固定连接，所述上托板上设置有与调节柱相配对的螺纹孔，所述调节柱上设置有与螺纹孔相配对的外螺纹，所述调节柱通过外螺纹和螺纹孔与上托板螺纹连接；该可调节的护理颈托能有效根据患者自身情况调节高度。
锥形齿轮调节柱颈托上托板螺纹孔下托板相配高度调节装置可调节外螺纹前部护理锥形齿轮齿合本实用新型垂直设置螺纹连接

[发明专利]新型GaN结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN201911050585.7在审
发明人：黎大兵;刘新科;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：新型GaN结势垒肖特基二极管及其制备方法利用新颖的设计及相对简单易达成的工艺为提高肖特基二极管的性能提供了新途径。新型GaN结势垒肖特基二极管，二极管由下到上依次包括：阴极、衬底、n
结势垒肖特基二极管高阻区梳状阴极等离子体形成反向击穿电压肖特基二极管正向导通电阻二极管阳极电极边缘工艺难度击穿性能欧姆接触有效抑制新途径再生长击穿衬底外沿制备激活

[发明专利]一种实现低电压下AlGaN探测器雪崩倍增的方法-CN201811151586.6有效
发明人： 孙晓娟;蒋科;黎大兵;贾玉萍;石芝铭;刘贺男 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种实现低电压下AlGaN探测器雪崩倍增的方法属于半导体技术领域，解决了AlGaN探测器在高电场下性能崩塌，难以实现雪崩探测的问题。该方法包括如下步骤：选择蓝宝石、硅、碳化硅等用于氮化物外延的衬底材料；在步骤一所述的衬底材料上制作AlN模板；在步骤二所述的AlN模板制作Al组分从1逐渐变为0.4的p型AlGaN层，温度从1300℃梯度减小到1200℃变化；在步骤三所述的p型AlGaN层上制作Al组分为0.4的本征AlGaN层结构，温度保持在1200℃；在步骤四所述的本征AlGaN层结构上制作Al组分从0.4逐渐变为1的n型AlGaN层，温度保持在1200℃，三甲基镓梯度减小；在p型AlGaN层和n型AlGaN层分别制备电极，并且在电极上加负偏压，实现低电压下雪崩倍增。本发明具有工艺简单，效果显著，应用前景广阔等优点。
雪崩低电压探测器倍增衬底材料梯度减小温度保持电极本征制作半导体技术领域应用前景广阔氮化物外延模板制作三甲基镓蓝宝石负偏压高电场碳化硅崩塌制备探测

[实用新型]一种用于高电压测量系统的转换器-CN201920327327.8有效
发明人： 孙晓娟;王恩泽;王慧文;姚伏元 -专利权人：黑龙江工程学院
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于高电压测量系统的转换器，包括安装在传感器高压部分的V/F转换器，V/F转换器包括衰减器、阻抗匹配器、放大器、电压控制振荡器和驱动器，衰减器的一端与输入信号相接，衰减器的另一端依次与阻抗匹配器、放大器、电压控制振荡器和带有发光二极管的驱动器接在光缆上。本用于高电压测量系统的转换器，V/F转换器可以把测量信号转变成驱动发光二极管的频率调制信号，由于光脉冲信号以数字信号的方式传播的，所以具有良好的线性度和温度稳定性，这种V/F转换器还可以用在工作频率在一定范围的其它测量电路中，具有良好的线性工作特性，而且通过改变54LS628外接电容和参考电压的值来改变其测量的频率范围。
衰减器电压控制振荡器高电压测量系统放大器驱动器转换器发光二极管阻抗匹配器频率调制信号线性工作特性本实用新型光脉冲信号温度稳定性参考电压测量电路测量信号工作频率数字信号外接电容线性度传感器测量光缆驱动传播