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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基板处理装置的供气单元及基板处理装置-CN202010079854.9有效
发明人： 孙亨圭;李珍贤 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的一实施例提供一种基板处理装置的供气单元及基板处理装置，供气单元包括：气体分配板，具有第一面及与第一面相对的第二面，并具有贯通所述第一面和所述第二面的第一供气孔；喷头，具有与所述第二面紧贴的第三面及与第三面相对的第四面，并具有第二供气孔，所述第二供气孔贯通所述第三面和所述第四面，以便与所述第一供气孔连接；以及导热部件，插入于所述气体分配板和所述喷头中至少一个。
处理装置供气单元

[发明专利]升降销单元、包括其的基板支承单元及基板处理设备-CN202310004354.2在审
发明人：崔伦硕;曹玹玗;李相政;朴钟源;孙亨圭 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明构思提供一种升降销单元、包括其的基板支承单元及基板处理设备。所述基板支承单元包含基座及升降销单元，所述基座支承基板且具有垂直形成的销孔，所述升降销单元配置为装载及卸载所述基座上的所述基板，且其中所述升降销单元包含可沿着所述销孔垂直移动的升降销；可由驱动单元垂直移动的支承件；连接所述支承件及所述升降销的销保持器，且其中所述升降销可枢转地连接至所述销保持器，且所述销保持器可相对于所述支承件侧向移动。
升降单元包括支承处理设备

[发明专利]用于处理基板的装置和用于处理基板的方法-CN202211358557.3在审
发明人：金东郁;金仁会;孙亨圭 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明构思提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：腔室，其具有内部空间；分隔单元，其设置在内部空间并被配置为与腔室组合以将内部空间划分为传送空间和多个处理空间；多个支撑单元，其设置在多个处理空间的每一个处理空间中并被配置为支撑基板；多个气体供应单元，其设置在多个处理空间的每一个处理空间中并被配置为向被支撑在多个支撑单元上的基板供应工艺气体；和传送单元，其设置在传送空间并被配置为在多个处理空间之间传送基板。
用于处理装置方法

[发明专利]用于处理基板的装置和用于分配气体的组件-CN202111653081.1在审
发明人： 孙亨圭 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于处理基板的装置和用于分配气体的组件。提供了一种气体分配组件，该气体分配组件设置在用于利用等离子体处理基板的装置中以分配气体。在示例性实施方案中，气体分配组件包括气体分配板，该气体分配板形成有用于扩散从气体供应单元供应的气体的多个气体引入孔；喷头板，该喷头板设置在气体分配板的上部或下部处以与气体分配板接触、并且具有多个气体供应孔，该多个气体供应孔形成在与气体引入孔连通的位置处以贯穿上表面的和下表面；和紧固构件，该紧固构件设置在与气体分配板和喷头板接触的侧表面处、并且包括第一耦接部和第二耦接部，该第一耦接部耦接到气体分配板，该第二耦接部支承喷头板的下表面以接触气体分配板和喷头板。
用于处理装置分配气体组件

[发明专利]用于处理基板的支撑单元和设备-CN202111529819.3在审
发明人： 孙亨圭;安宗焕;曺在玄;裴珉槿;O·嘉尔斯蒂安;金东奭;金铉珪;李元硕;金成帝 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种支撑单元，所述支撑单元被包括在用于使用等离子体来处理基板的设备中并且被配置为支撑所述基板。所述支撑单元可以包括：电源杆，所述电源杆连接到高频电源；电极板，所述电极板被配置为从所述电源杆接收电力；以及接地环，所述接地环设置为当从顶部观察时围绕所述电极板并且包括要接地的接地环。
用于处理支撑单元设备

[发明专利]基板处理设备和基板支撑单元-CN202111384124.0在审
发明人： 孙亨圭;安宗焕;曺在玄;裵珉槿;金东奭;金铉珪;O·嘉尔斯蒂安;李元硕;金成帝 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明构思涉及一种设置在用于使用等离子体处理基板的设备中的基板支撑单元。在一个实施例中，所述基板支撑单元包括：其上放置所述基板的电介质板、设置在所述电介质板下方并具有第一直径的下电极、将RF功率施加到所述下电极并具有第二直径的电源杆、以及设置在所述下电极下方并通过绝缘构件与所述下电极间隔开第一间隙的接地构件，所述接地构件包括板部分，在所述板部分中形成有供所述电源杆所穿过的通孔，其中所述通孔具有第三直径。
处理设备支撑单元

[发明专利]喷头单元及具有该喷头单元的基板处理系统-CN202010618817.0在审
发明人：韩有东;金善玉;金铉珪;孙亨圭 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种喷头单元及具有该喷头单元的基板处理系统，该喷头单元利用面状发热体能够按区域调节温度。所述基板处理系统包括：壳体；喷头单元，设置在壳体的内部上侧，并且用于向壳体的内部引入用于蚀刻基板的工艺气体；以及静电卡盘，设置在壳体的内部下侧，并且用于放置基板，其中，喷头单元以面状发热体设置在多个区域，并按区域控制温度。
喷头单元具有处理系统

[发明专利]支承单元和包括该支承单元的基板处理装置-CN202010633131.9在审
发明人： 孙亨圭;韩有东;金铉珪;金善玉 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及支承单元和包括该支承单元的基板处理装置。一种支承单元，其设置在使用等离子体用于处理基板的装置中，所述支承单元包括：介电板，所述基板放置在所述介电板上；电极板，其设置在所述介电板的下方；电源棒，其将功率施用至所述电极板；以及凸缘，其具有围绕所述电源棒的形状，并且所述凸缘与所述电源棒间隔开。
支承单元包括处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201110249337.2无效
发明人： 孙亨圭 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，包括：腔室；设置在所述腔室的上部中的上电极；设置在所述腔室的下部中与所述上电极相对的位置处的下电极；布置在所述下电极之下的绝缘板；以及设置在所述绝缘板之下的底板，所述底板布置为使得所述下电极和所述底板之间的间隔能够为锥形。在根据本发明示例性实施方式的等离子体处理装置中，位于上下且之间具有绝缘板的冷却板和底板并不平行而是相互倾斜，使得可以通过在冷却板和底板之间产生的电场来最大化地防止提供到下电极的射频(RF)输送的损失，从而提高了RF输送效率。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理设备-CN201110248510.7有效
发明人：李荣钟;孙亨圭 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：公开一种等离子体处理设备，包括：腔室，包括基座，在所述基座上安放基板；盖子框架，位于所述基座上方，并且包括形成边缘的外部框架和形成在所述外部框架中从而使得多个矩形框架可以形成在由所述外部框架形成的空间中的支撑框架；以及多个介电窗，分别被布置在所述多个矩形框架中，所述多个介电窗包括第一区介电窗和第二区介电窗，并且所述第一区介电窗比第二区介电窗厚，以防止电子在所述第一区介电窗下面的密度大。这样，可以防止由支撑介电窗的框架所引起的电子致密带的形成。
等离子体处理设备

[发明专利]等离子体处理设备-CN201110248521.5无效
发明人： 孙亨圭;李荣钟;姜赞镐 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开一种等离子体处理设备，包括：腔室，包括等离子体处理空间和开口的顶部；介电窗，遮盖所述腔室的顶部；窗框架，支撑所述介电窗；天线，位于所述介电窗上并且使得电感耦合等离子体(ICP)产生在所述等离子体处理空间中；电容耦合等离子体(CCP)框架，布置在所述天线下方并且使得电容耦合等离子体产生在所述等离子体处理空间中；以及基座，布置在所述等离子体处理空间中，作为待处理物体的基板安放在所述基座上。这样，可以获得ICP和CCP两者、有利于ICP的初始放电、防止因框架而发生的等离子体减少以及提高处理速度。
等离子体处理设备

[发明专利]基板处理装置的气体供给结构-CN201010613017.6有效
发明人： 孙亨圭 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及的基板处理装置的气体供给结构，将喷头以四边形环状结构配置在腔室的上部，或者喷头的喷射面为曲面、喷射口形成放射状结构，以便在腔室内更加均匀地喷射工艺气体，从而能够形成均匀的等离子体，可提供提高蚀刻处理性能的效果。
处理装置气体供给结构

[发明专利]基板处理装置的壁面能量损失减少装置-CN201010612970.9无效
发明人： 孙亨圭 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及的基板处理装置的壁面能量损失减少装置，由于在腔室壁面的隅角部分设置能够使能量损失最小化的电容器以及隅角挡板，因此可使腔室中央部和壁面间的电位差最小化，由此减少腔室的壁面部位的能量损失，不仅能够提高等离子体产生量，还能够生成整体上更加均匀的等离子体，从而可改善工艺效率。
处理装置能量损失减少

[发明专利]具有窗口加热结构的基板处理装置-CN201010612998.2有效
发明人： 孙亨圭 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及的具有窗口加热结构的基板处理装置中，由于以喷射加热空气的方式加热窗口，因此，能够防止在窗口上堆积腔室内的副产物，具有可提高蚀刻装置可靠性的效果。
具有窗口加热结构处理装置

[发明专利]基板处理装置的导引架-CN201010612922.X有效
发明人： 孙亨圭 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及的基板处理装置的导引架，以中央窗口为中心在该中央窗口的周边配置四个周边窗口而构成，因此，能够比较容易地适用于大容量的基板处理装置，确保整个窗口的具有可靠性的支撑结构，并且将多个天线适当地配置在中央窗口和周边窗口上，能够提高工艺性能。
处理装置导引

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