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[实用新型]一种电解液样品分区存储瓶-CN202321158169.0有效
发明人：袁艳艳;董志远;孔腾飞;孙延生;罗传军;许飞;王震;余维海;牛猛卫 -专利权人：多氟多新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B65D81/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电解液样品分区存储瓶，属于电解液存储设备领域，其包括瓶身以及设置在瓶身内部的储料机构，所述储料机构包括分区管、控制杆、瓶塞；所述瓶身上设置有开口，所述瓶塞固定连接在开口上；所述分区管为两端开口的管状结构，所述分区管整体或部分位于瓶身内部，所述分区管的一端固定连接在瓶塞上，所述控制杆穿过瓶塞后从分区管的另一端开口伸出，所述控制杆位于瓶身内部的一端固定连接或一体成型有堵头以封闭分区管的另一端开口。本实用新型可以防止运输或存储过程中，存储器内的六氟磷酸锂和电解液溶剂中的微量水长时间接触发生反应，避免发生电解液样品变质，保证了样品的质量。
一种电解液样品分区存储

[发明专利]直拉法晶体生长过程中的杂质补掺工艺-CN202310792282.2在审
发明人：张路;路淑娟;李欢欢;许宁;于洪国;曹波;马志永;苏双喜;张孝仁;杨哲;孔腾飞;刘志远;王蒙 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种直拉法晶体生长过程中的杂质补掺工艺，所述直拉法晶体生长过程中的杂质补掺工艺包括：A，通过降温放出肩部或者晶体回熔后保留肩部；B，将肩部提起第一预设高度，等待第一预设时间使肩部冷却；C，将晶体下放，使肩部边缘处于液面以下，给定埚转，晶转，稳定第二预设时间，再将肩部提出液面，观察肩部是否出现台阶状沟槽，如未出现，则重复步骤B、C；D，关闭埚转、晶转，将肩部提起至单晶炉的副室内，关闭主室和副室之间的插板阀，等待第三预设时间使肩部冷却；E，打开副室，将需要补掺的杂质放入台阶状沟槽内；F，关闭副室，抽空后，打开插板阀，将肩部降至液面以下进行熔化补掺。
直拉法晶体生长过程中的杂质工艺

[发明专利]RP型二维钙钛矿薄膜、太阳能电池及其制备方法-CN202310435012.6在审
发明人：刘许福;毕冬勤;孔腾飞 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了RP型二维钙钛矿薄膜的制备方法。所述方法包括以下步骤：氢碘酸和溶剂混合，在冰水浴中加入脂环族胺类化合物搅拌，去除溶剂，获得有机间隔阳离子；脂环族胺类化合物为R‑CH2‑NH2，其中R选自含有3～6个碳原子的环烷基；将有机间隔阳离子、甲脒氢碘酸盐、甲基碘化胺和碘化铅以摩尔比2：3.6：0.4：5的比例混合，加入至混合溶剂中搅拌，获得钙钛矿前驱体溶液；钙钛矿前驱体溶液采用溶液旋涂法制备获得所述RP型二维钙钛矿薄膜。此外，本发明还提供了一种钙钛矿太阳能电池，其光电转换效率最高可达16.70％，在电池在运行400个小时后效率依旧能维持在初始效率的70％以上。
rp 二维钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]氮化硼坩埚的清洗方法-CN202211149929.1在审
发明人：曹波;路淑娟;李欢欢;张路;马志永;于洪国;林泉;赵哲;孔腾飞;曹旭;王宇;王博;张海涛;任剑 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： B08B9/08 文献下载
摘要：本申请涉及半导体材料制备技术领域的一种氮化硼坩埚的清洗方法，所述清洗方法包括一次腐蚀清洗、打磨、二次腐蚀清洗和干燥步骤。本申请的工艺的施行最大程度的减少了坩埚内表面断层中的杂质夹杂，最大量的去除坩埚表面各种杂质元素及其化合物或氧化物，提高了单晶的迁移率和重复使用次数，节约了因频繁更换坩埚带来的辅材成本，提高了生产效率。
氮化坩埚清洗方法

[发明专利]一种铁钴镍双氢氧化物纳米笼电催化析氧材料及其制备方法-CN202211184311.9在审
发明人：李媛媛;富笑男;田伟峰;孔腾飞;张小萍;朱娇梦 -专利权人：河南工业大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C25B11/075 文献下载
摘要：本发明提出了一种铁钴镍双氢氧化物纳米笼电催化析氧材料及其制备方法，属于电催化的技术领域，用以解决当前Fe‑Co‑NiLDH基电催化剂的制备工艺复杂、催化活性低的技术问题。制备方法包括以下步骤：将泡沫镍浸泡在钴盐水溶液中，然后再添加2‑甲基咪唑水溶液，继续浸泡，最后将MOF前驱体浸泡在包含有Fe盐和Ni盐和尿素的混合水溶液中制得；本发明通过简单的一步双阳离子交换策略得到三维自支撑层次化的铁钴镍双氢氧化物纳米笼电催化析氧材料，该材料可以提供更多暴露的活性位点和增强的电子传输能力，并加快传质过程；此外，三金属活性位点通过强耦合协同作用进一步提高了其催化活性。
一种铁钴镍双氢氧化物纳米电催化材料及其制备方法

[实用新型]应用于锗单晶生长的掺杂装置-CN202123177763.8有效
发明人：曹旭;刘志远;李燕;王博;王宇;张路;雷同光;赵哲;孔腾飞 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该应用于锗单晶生长的掺杂装置包括装置本体以及连接在所述装置本体一端端部的连接部件，所述装置本体上与所述连接部件相对的一端开设有容纳腔，用于容纳掺杂剂。该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率。
应用于锗单晶生长掺杂装置

[实用新型]应用于锗单晶生长的掺杂装置-CN202022839236.8有效
发明人：刘志远;李燕;王博;雷同光;王宇;曹旭;赵哲;孔腾飞;邢俊;冯德伸;于洪国 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该掺杂装置包括内部形成容纳腔的装置本体以及盖体和阻挡结构，所述装置本体的顶端开设有连通所述容纳腔的开口，所述装置本体的底端设有入口；所述盖体可拆卸的盖设在所述装置本体的开口处；所述阻挡结构可移动的设置在所述容纳腔内，且位于所述入口处。该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率。
应用于锗单晶生长掺杂装置

[实用新型]应用于锗单晶生长的杂质浮渣清除装置-CN202022840437.X有效
发明人：李燕;王博;马会超;刘志远;雷同光;王宇;曹旭;赵哲;孔腾飞;邢俊;冯德伸;于洪国 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的杂质浮渣清除装置，该装置包括内部形成容纳腔的装置本体以及盖体和连接部，所述装置本体的顶端开设有连通所述容纳腔的开口，所述装置本体的底端设有入口；所述盖体可拆卸的盖设在所述装置本体的开口处；所述连接部设置在所述盖体顶部，用于连接籽晶连接杆。该杂质浮渣清除装置可以用于锗单晶生长过程中，能够快速、干净有效去除熔体表面杂质浮渣。
应用于锗单晶生长杂质浮渣清除装置

[发明专利]一种电化学器件及其充放电方法-CN201710343125.8有效
发明人：高粱;郭国强;孔腾飞;霍延平;卢小璇 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01M14/00 文献下载
摘要：本发明属于电化学领域，尤其涉及一种电化学器件及其充放电方法。本发明提供的电化学器件包括正极反应区、负极反应区和位于正极反应区与负极反应区之间的隔膜；所述正极反应区包括正极集流体、正极电解液和溶解在正极电解液中的Fe(CN)₆^3‑/Fe(CN)₆^4‑氧化还原电对；所述负极反应区包括负极集流体、负极电解液和溶解在负极电解液中的I^‑/I₃^‑氧化还原电对。本发明以Fe(CN)₆^3‑/Fe(CN)₆^4‑作为正极氧化还原电对，以I^‑/I₃^‑作为负极氧化还原电对，组装得到了具有较大温度系数的电化学器件，而电化学器件的温度系数越大，其热电能量转换效率越高，因此本发明提供的电化学器件具有较高的热电能量转换效率。
一种电化学器件及其放电方法

[发明专利]一种微型执行器及其制备方法-CN201710197066.8有效
发明人：高粱;孔腾飞;霍延平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种微型执行器，包括惰性层以及复合于所述惰性层的活性层，所述活性层由硼砂和氨基甲酸酯接枝的聚乙烯醇制备而成。本发明提供的微型执行器对于温度和湿度都有响应，对工作环境要求较低，可以在较宽的温度与湿度范围内工作。而且，相对于原始形状，该执行器可以实现正角度与负角度的两个方向实现360度弯曲。本发明提供的微型执行器可用于制造适用于某些需精细、柔软或/和潮湿等的特殊环境中的微型精密温湿度敏感器件。
一种微型执行及其制备方法

[发明专利]一种室温90°相位匹配的双掺铌酸锂晶体-CN201710280810.0有效
发明人：孔勇发;孔腾飞;刘士国;刘宏德;陈绍林;郑大怀;葛新宇;徐培明;卞志勇;许京军 -专利权人：南开大学;泰山体育产业集团有限公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及非线性光学晶体领域，特别是涉及一种室温90°相位匹配的双掺铌酸锂晶体。所述的双掺铌酸锂晶体由Li₂CO₃、Nb₂O₅、ZrO₂和MgO制成，其中Li₂CO₃和Nb₂O₅的摩尔比为0.88～0.94∶1，ZrO₂的掺入量按摩尔百分比计为1.1～1.9mol％，MgO的掺入量按摩尔百分比计为3.0～6.0mol％。本发明解决了现有掺镁铌酸锂晶体存在高的90°相位匹配温度(大于100℃)和窄的匹配温度半宽度(小于0.5℃)的问题。本发明提供的双掺铌酸锂晶体的90°相位匹配温度低至25.1℃，匹配温度半宽度达到1.2℃，不需要使用加热炉和精密温度控制部件，在室温条件下即可实现90°相位匹配，同时具有突出的抗光折变能力，比同成分掺镁(5.0mol％)铌酸锂晶体提高了2个数量级，可应用于激光倍频、光参量振荡、调Q开关和光波导等领域。
一种室温 90 相位匹配双掺铌酸锂晶体

[发明专利]一种含有氢桥键的8-羟基喹啉类银配合物二聚晶体及其制备方法-CN201610392092.1有效
发明人：高粱;孔腾飞;霍延平;汪松英;潘成强;李俊同;李宗植;潘金水 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C07D215/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种含有氢桥键的8‑羟基喹啉类银配合物二聚晶体，具有式1所示结构，本发明中的含有氢桥键的8‑羟基喹啉类银配合物二聚晶体实现了研究氢桥键对金属有机配合物性能的影响的可能性，拓展了氢桥键的研究范围。并且该二聚晶体具有潜在的生物细胞活性，能够抑制癌细胞增殖。本发明还提供了一种含有氢桥键的8‑羟基喹啉类银配合物二聚晶体的制备方法，成功实现了具有电子传输和空穴传输双重功能的(E)‑2‑[2‑氯‑6‑氟苯乙烯基]‑8‑羟基喹啉与Ag配位，首次合成含卤素8‑羟基喹啉类银配合物二聚晶体，得到的含有氢桥键的8‑羟基喹啉类银配合物晶体具有良好热稳定性，并且制备工艺简单。
一种含有氢桥键羟基喹啉配合物二聚晶体及其制备方法

[发明专利]聚乙烯醇接枝聚合物、其制备方法与水凝胶及其应用-CN201610580884.1有效
发明人：高粱;孔腾飞;霍延平;张力 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C08F8/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有式(Ⅰ)结构的聚乙烯醇接枝聚合物，其同时具有温度与pH双响应性能。本申请提供的聚乙烯醇接枝聚合物在pH环境以及不同接枝替代料时，均表现出了不同的浊点温度。本申请还提供了一种水凝胶，其由聚乙烯醇接枝聚合物与交联剂制备得到。本申请提供的水凝胶可在药物负载中应用，在药物缓释等生物医药领域具有潜在的应用价值。
聚乙烯醇接枝聚合物制备方法凝胶及其应用

[发明专利]一种8-羟基喹啉类的汞离子比率型荧光探针及其制备方法-CN201610920911.5有效
发明人：霍延平;李宗植;李俊同;孔腾飞;梁辉;郭国强;潘成强;汪松英 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C07D215/26 文献下载
摘要：本发明属于金属离子探针领域，尤其涉及一种8‑羟基喹啉类的汞离子比率型荧光探针及其制备方法。本发明提供了一种8‑羟基喹啉衍生物，所述8‑羟基喹啉衍生物的分子式为：C20H15ClFNO；本发明还提供了一种上述8‑羟基喹啉衍生物的制备方法；同时，本发明还提供了上述8‑羟基喹啉衍生物或上述制备方法得到的产品在Hg2+检测中的应用。经实验检测可得，本发明提供的技术方案所制得的化合物作为荧光探针使用时，只对Hg2+响应，特异性强；对于不同浓度的Hg2+进行检测时，呈现良好的线性关系，可应用于Hg2+的定量检测；对于Hg2+的检测具有高灵敏度，除Hg2+外的其它金属离子对于测定结果干扰很小，检测方法可靠稳定。解决了现有技术中，汞离子的检测具有响应时间长以及检测灵敏低的技术缺陷。
羟基喹啉衍生物制备荧光探针汞离子检测金属离子探针定量检测高灵敏度技术缺陷检测灵敏金属离子实验检测特异性强线性关系羟基喹啉响应应用

[发明专利]一种8-羟基喹啉类钴配合物及其制备方法和应用-CN201610254646.1有效
发明人：霍延平;汪松英;潘成强;孔腾飞;李宗植;李俊同 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C07F15/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种8‑羟基喹啉类钴配合物及其制备方法和应用，本发明提供的8‑羟基喹啉类钴配合物具有式(I)所示结构，本发明提供的配合物通过将R基修饰后的8‑羟基喹啉与钴配合，使得得到的配合物具有良好的铁磁性，且热稳定性良好，可作为铁磁材料应用于生产中，此外，本发明提供的铁磁性材料制备方法简单，原料来源广泛，可实现大规模的生产，具有广阔的商业化前景。
钴配合物羟基喹啉式( I )制备方法和应用配合物铁磁性材料热稳定性铁磁材料铁磁性修饰制备生产配合应用

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