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[发明专利]具有防止意外导通的被动部件的双基极连接式双极晶体管-CN201680083394.9有效
发明人： 威廉·C·亚历山大 -专利权人：理想能量有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H03K17/66 文献下载
摘要：本申请公开了为B‑TRAN类装置提供被动截止保护的新方法。即使控制电路不起作用，AC耦合也使用外部端子上的瞬变电压以防止将发射极结正向偏压。优选地，实施二极管模式和预截止操作的相同开关用作被动截止电路操作的一部分。
具有防止意外被动部件基极连接双极晶体管

[发明专利]双基极双向双极晶体管两个相对表面上的场板：器件、方法和系统-CN201580054265.2有效
发明人： 威廉·C·亚历山大;理查德·A·布兰查德 -专利权人：理想能量有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了双基极双边双极功率晶体管，其中用绝缘场板将发射极/集电极扩散物和与其最靠近的基极接触扩散物隔开。所述器件在关断性能和击穿电压方面提供了令人惊奇的改进。
基极双向双极晶体管两个相对表面上器件方法系统

[发明专利]用于操作双基双向功率双极晶体管的方法及驱动电路-CN201680052122.2有效
发明人： 威廉·C·亚历山大;理查德·A·布兰查德 -专利权人：理想能量有限公司
申请日： 2016-09-15 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：用于操作双基双向功率双极晶体管的方法及系统。使用了两个定时阶段来转换到截止：一个阶段是其中每个基极被短接到其最近的发射极/集电极区域，而第二个阶段是其中负驱动被施加到发射极侧基极以减少在块体衬底中的少数载流子数。
用于操作双向功率双极晶体管方法驱动电路

[发明专利]具有双基极双极结型晶体管的优化操作的电路、方法和系统-CN201580059244.X有效
发明人： 威廉·C·亚历山大 -专利权人：理想能量有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本申请特别教示用于操作B‑TRAN(双基极双向双极结型晶体管)的方法和电路。示范性基极驱动电路将高阻抗驱动提供到那一瞬间作为集电极操作的侧面装置上的基极接触区域。(B‑TRAN受所施加的电压控制，而不是受所施加的电流控制。)电流信号操作驱动电路的优选实施方案以提供二极管模式接通和预切断操作以及具有低电压降的硬接通状态(“晶体管接通”状态)。在一些实施例中，自同步整流器电路提供栅极驱动电路的可调整的低电压。在一些优选实施例中，用于驱动c基极区域(在集电极侧上)的基极驱动电压变化，同时监视此端子处的基极电流，以使得不施加不必要的基极电流。这解决了优化B‑TRAN中的基极驱动的困难挑战。
具有基极双极结型晶体管优化操作电路方法系统

[发明专利]用于双向器件制造的系统和方法-CN201480065680.3有效
发明人：理查德·A·布兰查德;威廉·C·亚历山大 -专利权人：理想能量有限公司
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：用于双侧面半导体器件制造的方法和系统。可以使用耐高温操作晶片和耐中温操作晶片制造在每个表面上具有多个引线的器件。掺杂剂可以被引入在两个侧面上，之后不久，单次长时间高温扩散步骤将所有的掺杂剂在两个侧面上扩散到大致相等的深度。所有的高温处理在没有附接操作晶片的情况下发生，或者在附接有高温操作晶片的情况下发生。一旦中温操作晶片被附接，则不会发生高温处理步骤。高温可以被认为是存在铝基金属时可能对所述器件造成损坏的那些温度。
用于双向器件制造系统方法

[发明专利]使用成排的双向开关的功率分组交换电路-CN201680084415.9在审
发明人： 威廉·C·亚历山大 -专利权人：理想能量有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H02M5/257 文献下载
摘要：功率分组交换电路(以及方法和系统)，其中至少一个端口使用双向开关的串联连接的组合以通过可选择极性将连结电感器(或变压器)连接到外部线路。视情况，双向开关的串联连接的组合用于一些端口中的相脚，而单个双向开关用于其它端口中的相脚。这在转换器介接在显著不同的操作电压下的线路之间时可能特别有利。通过将B‑TRAN用作开关的组合的串联组合的元件，不需要分压电路来均衡每一组合中的各个装置所见的电压。
双向开关分组交换电路转换器操作电压串联组合端口使用分压电路外部线路电感器成排介接变压器连结均衡