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[发明专利]一种近零应力掺钪氮化铝薄膜制备方法-CN202110930803.7有效
发明人：王雷;李昊;姜理利;贾世星;郁元卫;黄旼;朱健 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种近零应力掺钪氮化铝薄膜制备方法，属于半导体制造技术领域。该方法具体包括以下步骤：a.对硅衬底进行烘烤，除去水汽和有机物沾污；b.对硅衬底进行预清洗，去除自然氧化层；c.对溅射靶材进行预处理，获得稳定的掺钪氮化铝生长状态；d.向腔体内通入高纯氩气和氮气，调节气体流量、直流功率、射频功率对掺钪铝靶进行溅射，在硅衬底上形成近零应力的掺钪氮化铝薄膜。本发明不增加额外工艺步骤以及额外设备改造，通过对靶材的处理以及工艺参数的调试，可以在硅衬底上制备高均匀性、近零应力的掺钪氮化铝薄膜。
一种应力氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种高径深比异孔TSV一次性填充的工艺方法-CN202211497832.X在审
发明人：李杰;焦宗磊;姜理利;陈聪;王雷;黄旼;郁元卫 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种高径深比异孔TSV一次性填充的工艺方法，包括准备衬底晶圆，并通过刻蚀在圆片上形成多种径深比的TSV盲孔；圆片表面（含孔内）沉积Cu种子层；采用变频流速的方法，实现高径深比异孔TSV的一次性完全填充。通过采用变频流速及调频层流板的方式，使基板孔周围形成“S”型流场，从而间断性调节各孔内的添加剂浓度及Cu离子浓度，使其充分保障各孔内填充能力，简单有效的实现了多种径深比异孔TSV的完全填充，解决了现有工艺中因分步多次填充带来的种子层损伤的工艺问题，以及解决了分步工艺的导致的工艺复杂性问题，同时完成了高径深比异孔TSV的一次性完全填充问题，有效的提高了工作效率，降低工艺成本。
一种高径深 tsv 一次性填充工艺方法

[发明专利]一种单片集成多波段控制MEMS开关-CN202010325794.4有效
发明人：黄镇;郁元卫;罗仁虎;匡蕾;姜理利;王冬蕊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片集成多波段控制MEMS开关，衬底、三个串联接触式MEMS开关单元、信号传输线、波段控制单元、封帽；三个串联接触式MEMS开关单元、信号传输线和波段控制单元制作在衬底上，信号传输线将三个开关单元连接成一串两并的电路拓扑结构；3个开关单元的控制单元包括高阻值薄膜、连接金属线和控制焊盘，由3个控制电压组合完成多个波段MEMS开关功能；衬底与封帽形成密封腔体，将MEMS开关电路的可动结构封装在腔体内；三个串联接触式MEMS开关单元可分别由蟹型梁式、悬臂梁式开关结构中选择。本发明优化了宽频段下MEMS开关的插入损耗、提高了MEMS开关的隔离度，为相控阵雷达天线、通信装备等向小型化高性能发展提供了新的解决方案。
一种单片集成波段控制 mems 开关

[发明专利]一种MEMS层叠器件微波端口实现的工艺方法-CN201910984823.5有效
发明人：钱可强;吴杰;王冬蕊;姜理利;黄旼;郁元卫 -专利权人：中电国基南方集团有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS层叠器件微波端口实现的工艺方法，通过下层衬底端口引出和上层衬底图形化刻蚀出端口窗口，实现键合面端口引出方式，再通过一次切割的方式完成芯片分离的同时将微波测试端口露出，避免了测试端口通过通孔引至上层衬底或者下层衬底复杂的工艺步骤，并且缩短了传输线的长度，降低了微波损耗；测试端口在中间键合层，减小了微组装过程中金丝引线露出芯片的高度，从而可以大大减小封装或者微组装体积；利用划切的方式完成端口最终露出，不增加工艺步骤，可以大大降低芯片制造成本。本发明可以应用于射频微系统、体声波器件、以及晶圆级封装等端口露出。
一种 mems 层叠器件微波端口实现工艺方法

[发明专利]一种高选择性掺钪氮化铝湿法刻蚀工艺方法-CN202111116133.1在审
发明人：李杰;姜理利;王雷;陈聪;黄旼;郁元卫 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L41/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种高选择性掺钪氮化铝湿法刻蚀工艺方法。包括（1）准备衬底晶圆，在衬底上依次沉积，种子层、掺钪氮化铝压电层、介质层，形成多层复合膜结构；（2）采用湿法工艺对介质层进行刻蚀，实现压电层的图形化掩蔽；（3）利用湿法腐蚀溶液对所述AlScN压电层进行腐蚀，获得含有钪基团的残留刻蚀表面；（4）采用湿法微蚀工艺，对刻蚀后的AlScN表面状态进行修正，获得满足要求的刻蚀形貌。本发明提供了一种湿法刻蚀AlScN的工艺方法，可有效降低现有工艺中严重侧刻蚀现象、以及含钪基团的残留问题；利用湿法刻蚀对材料高选择性的特性，避免现有干法刻蚀AlScN工艺对下层材料的过刻蚀现象；同时该工艺方法可以有效地降低工艺成本，提高产能及效率。
一种选择性氮化湿法刻蚀工艺方法

[发明专利]一种RF谐振压力传感器-CN202111072848.1在审
发明人： 姜理利;黄晓东;王立峰 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G01L1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种RF谐振压力传感器，包括敏感RF谐振器、RF谐振器和共面波导端口，敏感RF谐振器和RF谐振器形成对称弱耦合结构。本发明采用了对称弱耦合状态的RF谐振器，基于模态局域化原理，其谐振信号幅值将随施加的压力剧烈变化，因此传感器灵敏度极高；传感器工作在RF频段，因此不易受工频等低频信号干扰；传感器结构只包含金属和高阻衬底，传感器敏感结构受温漂的影响小。
一种 rf 谐振压力传感器

[发明专利]一种抗粘附的射频机械开关及其制备方法-CN202010058134.4有效
发明人： 姜理利;王雷;李杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01P1/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗粘附的射频机械开关及其制备方法，所述抗粘附的射频机械开关包括衬底；共面波导结构，设置于所述衬底上，用于传输射频以及微波信号；悬臂梁结构，包括悬臂梁、电感阵列以及触点；所述悬臂梁一端通过支架与所述共面波导结构连接，所述悬臂梁另一端设有触点；所述电感阵列设于所述悬臂梁上；驱动结构，包括电感以及焊盘，所述电感设置于所述衬底上；所述电感通过金属丝与所述焊盘连接。本发明通过悬臂梁结构实现了所述射频机械开关主动脱离粘附状态，避免了所述射频机械开关在使用的过程中随着功率的增大触点粘附问题造成的开关失效问题。
一种粘附射频机械开关及其制备方法

[实用新型]一种环形触点射频微机械开关-CN202120106706.1有效
发明人： 姜理利;黄镇;王冬蕊;吴杰;黄旼 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环形触点射频微机械开关，包括衬底结构、用于传输射频/微波信号的共面波导结构、悬臂梁结构以及用于直流驱动的驱动结构；共面波导结构包括输入信号线、输出信号线、第一地线和第二地线，悬臂梁结构包括L型悬臂梁和环形触点，驱动结构为驱动电极。输入信号线和输出信号线位于衬底结构上表面的中间，第一地线和第二地线位于衬底结构上表面的两侧，悬臂梁右顶端下方有环形触点，悬臂梁下面的衬底结构表面有驱动电极。本实用新型环形触点结构大大增加触点接触面积，从而提高开关导通态性能；同时环形触点结构的抗形变能力更强，因此其在接触疲劳和大电流下的可靠性更高。
一种环形触点射频微机开关

[发明专利]一种环形触点射频微机械开关及其制备方法-CN202110052935.4在审
发明人： 姜理利;黄镇;王冬蕊;吴杰;黄旼 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种环形触点射频微机械开关及其制备方法，开关包括衬底结构、用于传输射频/微波信号的共面波导结构、悬臂梁结构及用于直流驱动的驱动结构。共面波导结构包括位于中间的输入信号线、输出信号线和位于两侧的地线。悬臂梁右顶端下方有环形触点，悬臂梁下面的衬底结构表面有驱动电极。制备方法包括：在衬底上溅射金属并刻蚀形成共面波导结构和驱动结构；在共面波导结构和驱动结构上涂覆一层牺牲层；各向异性刻蚀牺牲层形成环形凹槽；各向同性刻蚀，拓展凹槽形成圆环形触点；在牺牲层上溅射一层金属并刻蚀出悬臂梁结构，然后电镀增厚；腐蚀牺牲层释放结构获得开关。本发明环形触点结构大大增加触点接触面积，从而提高开关导通态性能。
一种环形触点射频微机开关及其制备方法

[发明专利]一种电镀金属膜在线检测结构和检测方法-CN201811464495.8有效
发明人： 姜理利;王冬蕊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种电镀金属膜在线检测结构和检测方法，通过测试结构的微波参数S21及机械谐振频率，实现电镀金属的材料参数应力、电导率、弹性系数的在线测试，检测结构采用表面牺牲层工艺制作，包括了共面波导传输线输入输出端，电感结构、介质层，金属膜空气桥、金属膜悬臂梁，衬底结构；其中，电感结构和悬臂梁结构采用电镀的方法实现，是具有一定厚度的金属结构。本发明的检测结构和检测方法，可以有效地在线检测电镀金属膜的参数，提升生产效率及成品率。
一种电镀金属膜在线检测结构方法

[发明专利]一种MEMS步进式数字衰减器-CN201510210470.5有效
发明人：孙俊峰;姜理利;朱健;郁元卫;贾世星;焦宗磊;姜国庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H03H7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS步进式数字衰减器，包括传输线和n个级联的可变衰减单元，n≥1；可变衰减单元包括电阻衰减网络、上MEMS开关和下MEMS开关，且上MEMS开关和下MEMS开关关于电阻衰减网络上下对称。本发明采用MEMS开关代替传统电子开关，MEMS开关关于电阻衰减网络对称，使得信号通过路径最短，结构更为紧凑；通过MEMS开关控制不同电阻衰减网络的接入，以实现不同的衰减量，电路拓扑结构简单、端口阻抗匹配好、制造简单、工艺兼容性好，有利于大规模生产；此外，在共面波导两个接地金属面之间引入空气桥，使得衰减器的衰减量在较宽频带内的平坦度更好。
一种 mems 步进数字衰减器

[发明专利]一种RFMEMS开关的圆片级封装方法-CN201510981765.2有效
发明人：朱健;姜理利;贾世星 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种RF MEMS开关的圆片级封装方法，利用一次涂胶、两次曝光、分步刻蚀的方法实现RF MEMS开关的封帽圆片，封帽圆片含有对应开关结构区域的腔体和对应信号传输线的凹槽，将键合材料嵌入凹槽之中，与开关圆片对准，通过圆片级键合的方法，采用氮气或惰性气体作为开关封装的腔体氛围，控制腔体压强，实现RF MEMS开关的封装。这种方法既实现了器件的封装和信号线的引出，又保证了腔体的密封，同时防止了开关的谐振，降低开关在工作过程中的阻尼，降低开关驱动电压，提升开关性能。
一种 rf mems 开关圆片级封装方法

[发明专利]一种多层薄膜集成无源器件及其制造方法-CN201710059503.X在审
发明人： 姜理利;侯芳;郁元卫;朱健 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层薄膜集成无源器件及其制造方法，该无源器件包括衬底材料，位于衬底上方的薄膜集成无源器件层，以及位于薄膜集成无源器件层上方的信号输入输出层；薄膜集成无源器件层包括电容、电阻和电感，其中电感包括两个以上的信号耦合电感，层与层之间通过信号耦合电感实现信号互连；信号输入输出层包括器件输入端、输入电感、输出电感和器件输出端，微波信号经器件输入端、输入电感、薄膜集成无源器件层、输出电感和器件输出端输出。本发明不仅能够有效地提高器件的集成度、减少面积、缩小体积，而且能够降低工艺的复杂程度和成本。
一种多层薄膜集成无源器件及其制造方法

[发明专利]一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置及方法-CN201310731228.3有效
发明人：贾世星;姜理利;张龙;朱健 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： C25D3/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置，包括石英缸、在石英缸内装有电镀液，在电镀液中放置两块通过导线连接的金板，在两块金板的之间固定一块硅片，在硅片的正面与反面之间设有通孔，在两块金板之间还设有磁力搅拌棒，金板与硅片分别与直流电源连接，其中直流电源的阳极与金板连接，直流电源的阴极与硅片连接。本发明还提供了一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金方法。本发明中电镀金装置的阳极采用两块对称的金板组成，同时采用磁力搅拌棒进行顺时针、逆时针定时双向运动，搅拌电镀液，使得电镀液分布均匀，通孔附近的电镀液得到及时补充，能实现一定厚度的硅片的正面、背面及通孔的均匀电镀；有效提高电镀的均匀性及效率。
一种带通孔半导体硅片三维立体镀金装置方法

[发明专利]分离圆片中的含有微机电系统的芯片的方法-CN200710025327.4无效
发明人：朱健;姜理利;郁元卫;王立峰 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2007-07-24 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： B81C5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种分离圆片中的含有微机电系统的芯片的方法，包括以下步骤：11)在所述圆片中微机电系统的可动结构四周制造保护环；12)在所述圆片的芯片上粘贴粘性可变的膜；13)在所述圆片的衬底支撑层进行划片；14)使所述粘性可变的膜的粘性降低；15)将粘在所述膜上的所述芯片脱离。本发明提供的分离圆片中的含有微机电系统的芯片的方法，通过粘性可变的膜固定芯片，在所述芯片被固定的基础上对含有芯片的圆片进行划片，从而保证了划片过程中对芯片的损伤最小，待圆片中的芯片被分割开来使该粘性可变的膜的粘性降低，从而方便的将各个独立的芯片从膜上分离出来。总而言之，本发明采用传统的半导体划片设备完成带可动结构的MEMS芯片的分离，在低成本的情况下提高产品的成品率。
分离中的含有微机系统芯片方法

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