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- [发明专利]大面积光刻的装置和方法-CN200480036055.2有效
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巴巴克·海德瑞;马奇·贝克
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奥博杜卡特股份公司
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2004-11-03
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2007-01-03
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G03F7/00
- 本发明公开了从具有结构化的表面的模板(10)上向承载可辐射聚合的流体(14)表面层的衬底(12)转移图案的设备和方法。所述设备包括具有相对的表面(104，105)的第一主体部分(101)和第二主体部分(102)、调节所述主体部分之间间隔(115)的装置、在所述结构化的表面面向所述表面层的情况下在所述间隔中以互相平行的接合方式支持所述模板和衬底的支持装置(106)、设计成向所述间隔中发射辐射的辐射源(110)。空腔(115)的第一壁包括被设计成接合所述模板或衬底的柔性膜(113)，并且提供装置(114，116)向所述空腔中存在的介质施加可调节的过压，从而在衬底和模板间的整个接触表面上获得力的均匀分布。
- 大面积光刻装置方法
- [发明专利]分离装置和方法-CN200610093576.2无效
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B·海达里;M·哈贝尼西特
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奥博杜卡特股份公司
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2006-06-06
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2006-12-13
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B41M5/26
- 一种用于分离夹层结构中两个相互连接的物体(27，28)，如在压印工艺中压在一起的印模和基片的装置和方法。该装置包括支撑结构(1)，其携带有：第一固定装置，其具有基面(3)和用于支撑和保持第一物体(28)的第一抓持装置；第二固定装置(6)，其与所述第一固定装置相对地定位，具有第二抓持装置，该第二抓持装置用于保持第二物体(27)；以及拉力机构(25，26)，其设计成提供与所述基面(3)的垂直方向成一定角度的拉力，以便使两个固定装置相互远离地移动。优选的是，在周边部分抓持所述第二物体，并且拉力与所述周边部分向内成一定角度。
- 分离装置方法
- [发明专利]光刻器件及方法-CN200510081756.4无效
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B·海达里;M·贝克
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奥博杜卡特股份公司
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2005-04-29
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2005-11-23
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G03F7/20
- 从具有构造表面的模板(10)将图案转印到带有辐射可聚合流体(14)的表面层的基片(12)的装置和方法。所述装置包括：具有相对表面(104；105)的第一主件(101)和第二主件(102)；用于调整所述主件之间的间距(115)的装置；用于支撑所述模板和基片的支撑装置(106)，所述模板和基片在所述间距内以所述构造表面面向所述表面层相互平行接合；设计用于向所述间距发出辐射的辐射源(110)；具有包括柔性膜(113)的第一壁的空腔(115)，所述膜(113)设计用于接合所述模板或基片；以及用于向存在于所述空腔内的介质施加可调节的起压力的装置(114；116)，因此，在基片和模板之间的整个接触表面获得均匀分布的力。所述装置进一步包括具有面向所述间距的表面的加热器件，用于加热各流体层(14)。
- 光刻器件方法
- [发明专利]腐蚀卡上的铜的方法-CN02817658.8无效
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约兰·弗伦内松;古斯特·比宁斯;比亚尔尼·比亚尔纳松;珍妮·舍贝里
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奥博杜卡特股份公司
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2002-09-09
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2004-12-08
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H05K3/07
- 本发明通过在阴极(102)和卡(42)之间施加电压，借此使卡(42)构成阳极，实现对卡上的铜的腐蚀。阴极(102)和卡(42)浸没在电解液中，该电解液包括第一组分，其可以从处于离子态的第一状态，该离子具有第一正氧化数的金属原子，还原为处于离子态的第二状态，该离子具有第二正氧化数的所述金属原子，第二正氧化数小于所述第一正氧化数。电解液中用于将第一状态还原为第二状态的第一氧化还原电势大于电解液中用于将二价铜离子还原为金属铜的第二氧化还原电势。在腐蚀期间，卡上的金属铜被氧化为带正电的铜离子，而第一组分从第一状态还原为第二状态。因为没有金属铜沉淀在阴极上，从而改良了卡上腐蚀结构的品质。
- 腐蚀方法
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