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[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310920395.6在审
发明人：尹涛涛 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、绝缘阻挡层和金属保护层，半导体叠层沿下表面到上表面的方向依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，绝缘阻挡层设置在半导体叠层的下表面，绝缘阻挡层具有对应于第一半导体层下方的第一开孔，金属保护层设置在半导体叠层的下表面并连接绝缘阻挡层，部分的金属保护层填充于第一开孔，其中，绝缘阻挡层的上表面的边缘端点在水平面的垂直投影点分布在金属保护层的上表面的边缘端点在水平面的垂直投影第一连线段内。借此设置，可以解决在制备过程中绝缘阻挡层易脱落的问题，保证发光二极管的品质。
发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310960178.X在审
发明人：卢敬娟;高守帅;李晓茜;张东炎;王笃祥 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、第一电极和第二电极，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有台面，台面是指第一半导体层的未被发光层覆盖的上表面，第一电极位于台面上并电连接第一半导体层，第二电极电连接第二半导体层，半导体叠层具有一第一倾斜侧壁，第一倾斜侧壁的两端分别连接第二半导体层的上表面和台面，第一倾斜侧壁与台面的夹角范围为110～135°，第一电极到发光层的间距范围为2.5‑13um。借此设置，能够提升该发光二极管的可靠性，提升发光二极管的ESD防护性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种LED外延结构及LED芯片-CN202111318193.1有效
发明人：赵坤;李福龙;李维环;宁振动;王笃祥 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延结构及LED芯片，所述LED外延结构包括：衬底；外延层，设置于衬底的上方，且外延层在衬底的上方依次包括N型半导体层、有源层和P型半导体层；P型电流扩展层，设置于P型半导体层的上方；P型欧姆接触层，设置于P型电流扩展层的上方，P型欧姆接触层包括多个层对，所述层对分别由第一子层和第二子层构成，其中第一子层的P型掺杂浓度小于第二子层的P型掺杂浓度。本发明能够有利于LED外延结构P端的电流扩展，并且能够降低LED器件的电阻及操作电压，提升LED器件的发光效率。
一种 led 外延结构芯片

[发明专利]一种发光二极管-CN202310802196.5在审
发明人：于水利;李彦;尹涛涛 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管。该发光二极管包括：衬底；设置于衬底表面的外延结构，外延结构沿远离衬底方向依次为第一半导体层，活性层以及第二半导体层；第一电极，设置于第一半导体层。第二电极，设置于第二半导体层；第一沟槽，设置于第二半导体层远离衬底的表面，并且，所述第一沟槽从第二半导体层远离衬底一侧的表面开始，贯穿活性层，延伸至第一半导体层的一部分。本发明中，沟槽的设置有利于电流的均匀分布，从而提高芯片发光亮度，以及提高可靠性。
一种发光二极管

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310369255.4在审
发明人：郑宏;张东炎;卢敬娟;王笃祥 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括外延结构、N型电极和透明导电电极，外延结构包括依次层叠的P型半导体层、发光层和N型半导体层，N型电极连接N型半导体层，N型电极包括起始电极和X个延伸电极，X≥2，X个延伸电极连接起始电极，X个延伸电极是沿着起始电极的边缘间隔分布，透明导电电极连接P型半导体层，其中，透明导电电极为分布式电极，透明导电电极包括Y个独立的围绕电极，Y≥2，且Y≤X，各围绕电极在水平面的第一投影围绕延伸电极的延伸末端在水平面的第二投影。通过设置围绕延伸电极的围绕电极，提升发光二极管的电流扩展的均匀性，从而提升发光二极管的光电特性和产品性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310802407.5在审
发明人：贾月华;李维环;郭桓卲;彭钰仁;蔡坤煌 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，本发明提供一种发光二极管，其包括半导体叠层、欧姆接触电极和第一电极，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有相对的第一侧和第二侧，欧姆接触电极连接第二半导体层，第一电极连接第一半导体层，第一电极包括起始电极、N个第一延伸电极和M个第二延伸电极，起始电极位于第一侧，N个第一延伸电极连接起始电极并朝向第二侧延伸，第二延伸电极连接第一延伸电极并朝向第二侧延伸，M大于N，M和N均为正整数且大于2。借此，解决传统发光二极管的电流扩散差问题，提升发光二极管的性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种半导体发光元件-CN201880025748.3有效
发明人：柯韦帆;吴俊毅;钟秉宪 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，其包括键合衬底，该半导体发光元件的键合衬底包括第一表面和第二表面，第一表面上的多层金属层，多层金属层上的半导体发光序列，该键合衬底的边缘形成台阶结构，以使键合衬底的第一表面的边缘部分未被覆盖。
一种半导体发光元件

[发明专利]一种LED芯片结构-CN201880025547.3有效
发明人：王晶;张昀;吴俊毅 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本案提出了一种LED芯片结构，其包括一载体，载体上的一半导体层序列，一反射层序列配置在载体和半导体层序列之间，反射层序列具有一面向半导体层序列的增透膜层和一远离半导体层序列的金属镜面层，半导体序列包括：第一导电性半导体层、发光层和第二导电性半导体层，其特征在于：半导体序列与增透膜之间的界面至少部分区域为粗化面或图案化面，增透膜层与金属镜面层的界面是光滑面，该光滑面能够有效提高侧面出光率。
一种 led 芯片结构

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN202110940181.6有效
发明人：吴志伟;王燕云;熊伟平;郭桓邵;彭钰仁;王笃祥 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制备方法，本发明的发光二极管的外延层包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，第一半导体层和/或第二半导体层的边缘形成有台面，台面上设置有绝缘层，避免了电子与空穴流经外延层的边缘而产生非辐射复合，使更多的电子与空穴发生辐射复合，能量更多地以光子的形式释放出来，从而提高发光二极管的出光效率；另外，由于绝缘层对电流的阻挡，也避免了电流流经发光二极管的边缘，从而在一定程度上改善了发光二极管的漏电问题。
一种发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种倒装发光二极管-CN202310110815.4在审
发明人：熊伟平;王鑫;吴志伟;高迪;彭钰仁;郭桓邵 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开一种倒装发光二极管，其结构自下而上包含：正、负焊接电极、DBR、第一透明介电层、第二透明介电层、第一导电类型半导体层、发光层、第二导电类型半导体层，其特征在于，第一透明介电层为低折射率n1材料，厚度为大于λ/2n1的任意厚度，其中λ为发光层的发光波长；第二透明介电层为高折射率n2材料，其中n2大于n1，厚度为λ/4n2或其奇数倍。本发明可提高DBR反射率，提升倒装发光二极管的发光亮度，同时可提升制程稳定性。
一种倒装发光二极管

[发明专利]一种发光二极管及制作方法-CN202310121738.2在审
发明人：沈午祺;胡蝶;吴少华;王凌飞;宁振动;谢振刚;张君逸;王笃祥 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管及制作方法，所述发光二极管包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；半导体外延叠层，包含层叠于所述衬底的第一表面之上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；侧壁，形成于所述半导体外延叠层的边缘，所述侧壁具有粗化结构，所述粗化结构包括凸起；其特征在于：还包含蚀刻阻挡层，位于所述半导体外延叠层远离衬底的上表面。所述蚀刻阻挡层，可防止侧壁粗化过程中蚀刻液对半导体外延叠层上表面的蚀刻，提升半导体发光二极管的外观良率，提升发光二极管的光电性能。
一种发光二极管制作方法

[发明专利]光电二极管及其制备方法-CN202211533423.0在审
发明人：辛秀峰;宋明辉;王园园;赵宏伟;陈文浚 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/0256 文献下载
摘要：本发明涉及半导体电子器件技术领域，提供一种光电二极管及其制备方法。光电二极管至少包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；器件层，设于第一表面与第二表面之间，依次包括邻近第一表面的N型掺杂区、非掺杂的本征层(I层)和邻近第二表面的P型掺杂区；截止环，围绕衬底上端的外周设置且与P型掺杂区为间隔设置，截止环的上表面与第二表面位于同一平面内；光敏区，位于器件层的上表面上方，且至少位于P型掺杂区的上方；氧化环，设于光敏区的外周区域，与第二表面之间设有氧化层；其中，P型掺杂区包括相邻设置的深掺杂区和浅掺杂区，深掺杂区和浅掺杂区位于光敏区。采用这种结构设置的光电二极管，可提升光电二极管的短波响应能力。
光电二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211627233.5在审
发明人：刘佳玉;柯韦帆;刘胜男;胡鹏杰;吴巧添;彭钰仁;郭桓卲;周理评 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其外延结构包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；通过在第一焊盘电极的上表面及侧壁上包覆有第一金属包覆层，且第一金属包覆层在第一焊盘电极侧壁的底部设置有凸起，凸起位于绝缘层的下方，使得金属包覆层能够对焊盘电极进行完全包覆，且能够保护焊盘电极底部边缘处，防止绝缘层在此处脱落后，其下方的焊盘电极中的活性材料与外部环境接触，提升发光二极管的可靠性。
发光二极管发光装置

[发明专利]光敏二极管及其制备方法-CN202211611008.2在审
发明人：辛秀峰;宋明辉;陶玲玲;赵宏伟;陈文浚 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光敏二极管，其包括本征层、N型掺杂层、P型掺杂层、截止环、介质层、氧化层和减反射层，本征层具有相对的下端和上端，N型掺杂层设置在本征层的下端，P型掺杂层设置在本征层的上端，截止环设置在本征层的上端，截止环和P型掺杂层之间存在本征层，介质层设置在P型掺杂层之上，氧化层设置在位于P型掺杂层和截止环之间的本征层之上，减反射层覆盖介质层和氧化层，介质层中掺杂有P型离子。采用这种结构设置的光敏二极管，可有效提升光敏二极管的短波响应能力，并且生产成本较低。
光敏二极管及其制备方法

[发明专利]垂直型发光二极管及发光装置-CN202211542293.7在审
发明人：于水利;李彦;武晨明;张思;许凯晴;陈劲华;林坤德 -专利权人： 天津三安光电有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种垂直型发光二极管，其包括半导体叠层、第一电极、第二电极和凸起保护电极，半导体叠层具有相对的上表面和下表面，半导体叠层沿下表面到上表面的方向起包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一电极位于半导体叠层的下表面并连接第一半导体层，第二电极位于半导体叠层的上表面并连接第二半导体层，凸起保护电极连接第二电极，其中，凸起保护电极的上表面高于第二电极的上表面。借由凸起保护电极的设置，可以在蓝膜与打线的第二电极间形成高度差，降低第二电极因与蓝膜接触而产生脏污的概率，保证垂直型发光二极管的光电品质。
垂直发光二极管发光装置

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