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[发明专利]声音检测机构-CN200480020494.4无效
发明人： 大林义昭;安田护;佐伯真一;驹井正嗣;加川健一 -专利权人：星电株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-07-14 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：构成能够在衬底上以简单的工艺制作振动片及背电极的声音检测机构。在衬底A的表面侧形成成为通孔Ba的声孔，在该表面侧的声孔的部位层叠第二保护膜406、牺牲层D(407)和金属膜408，从衬底A的背面侧通过进行到达声孔的深度的蚀刻来形成声音开口E，然后从衬底A的背面侧经由声孔，进行蚀刻来除去牺牲层407，在由金属膜408构成的振动片C与衬底A之间形成空隙区域F，且形成通孔Ba，将蚀刻后残留的牺牲层407作为保持背电极B与振动片C之间的距离的隔垫D。
声音检测机构

[发明专利]声音检测机构-CN200480014761.7无效
发明人： 大林义昭;安田护;佐伯真一;驹井正嗣;加川健一 -专利权人：星电株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-05-25 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H04R19/01 文献下载
摘要：本发明提供一种通过对厚度进行控制使得振动膜能够以需要的厚度形成并能够抑制振动膜的变形的声音检测机构。该声音检测机构是在基板(A)上具有形成电容器的一对电极，该一对电极之中的一个电极是形成有相当于声孔的通孔(Ca)的背面电极(C)，另一个电极是振动膜(B)的声音检测机构，在基板(A)上设置有振动膜(B)，背面电极(C)设置在由基板(A)支承在与该振动膜(B)隔着空隙(F)对置的位置上的状态下，该背面电极(C)由5μm～20μm厚度的多晶硅形成。
声音检测机构

[发明专利]声音检测机构及其制造方法-CN200480014768.9无效
发明人： 大林义昭;安田护;佐伯真一;驹井正嗣;加川健一 -专利权人：星电株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-05-25 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H04R19/01 文献下载
摘要：本发明提供一种以必要的厚度形成振动膜的同时使振动膜的变形得到抑制的声音检测机构。该声音检测机构是在基板(A)上具有形成电容器的一对电极，该一对电极之中的一个电极是形成有相当于声孔的通孔(Ca)的背面电极(C)，另一个电极是振动膜(B)的声音检测机构，以基板(A)上所形成的作为振动膜(B)的膜体为基准，在基板(A)的基材一侧具有硅氮化膜(303)。
声音检测机构及其制造方法

[发明专利]碰撞传感器和碰撞压力传感器-CN200510007046.7无效
发明人： 大林义昭;峰启治;平井诚作 -专利权人：星电器制造株式会社
申请日： 2000-11-09 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： G01P15/06 文献下载
摘要：一种碰撞传感器，包括传感器的主要部分(100)，其中包括腔体(110)，腔体中至少一个表面在其壁厚度上更薄，以起破碎部分(120)的作用；设置在所述传感器的主要部分相对两端处的一对端子(400)；设置在所述破碎部分上的导电构件(130)，用于在所述两个端子之间形成短路；限定在所述腔体中的球形撞珠(200)；以及封闭腔体让撞珠留在其中的密封件(300)，其特征在于，当碰到超出预定水平的碰撞时，所述破碎部分会破裂。
碰撞传感器压力传感器

[发明专利]压电型振动传感器-CN200410092151.0无效
发明人： 大林义昭;安田护;杉森康雄 -专利权人：星电株式会社
申请日： 2004-09-29 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： G01P15/09 文献下载
摘要：一种压电型振动传感器。其由在两个表面上分别形成有电极膜的压电薄膜和在两个表面上分别形成有金属膜的软质板的层叠体形成振动膜，在该振动膜的一个面上安装压重。设置一对用于从两侧支承振动膜的周围边缘部分的框架，通过将这些振动膜和框架放置在一端开放的壳体内，并由基板封闭壳体的开放端，由上述的一对框架支承振动膜的周围边缘部分。
压电振动传感器

[发明专利]制造埋入的绝缘层型的单晶碳化晶基体用的方法和设备-CN200410032250.X无效
发明人：泉胜俊;中尾基;大林义昭;峰启治;平井诚作;条边文彦;田中智之 -专利权人：大阪府;星电器制造株式会社
申请日： 2004-03-26 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体用的方法和一种用于实现该方法的制造设备，用于制造在绝缘层接触的界面内具有一较高平面度的一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体。一制造设备A是在一薄膜形成室200内放置一具有一位于一硅基体110上的埋入的绝缘层120和一在这埋入的绝缘层120上形成的一表面硅层130的SOI基体之后制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体之后制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体的一设备，它包括：其中放置SOI基体100的薄膜形成室200；用于供应制造一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体所要求的多种气体进入薄膜形成室200的一气体供应装置300；用红外线I辐射SOI基体100的表面硅层130的一红外线辐射装置400；以及，用于控制气体供应装置300和红外线辐射装置400的一控制部分500。
制造埋入绝缘碳化基体方法设备

[发明专利]光连接器-CN00134268.1无效
发明人： 大林义昭;中川浩志 -专利权人：星电株式会社
申请日： 2000-11-29 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： G02B6/36 文献下载
摘要：本发明的光连接器即使在插拔对方光连接器时受到撬动，此撬动力也不会传递到有关盖上。且只需变更盖的设计就能变更光连接器的外观。此光连接器的主体部10中具有供对方光连接器插拔的嵌合孔部17，主体部10上还安装有能开闭的盖30。主体部10中具备的筒形壁15的内部空间形成了此嵌合孔部17。盖30具有可相对主体部10的外侧嵌脱的覆罩壁部31。
连接器

[发明专利]超小型光学插座-CN01142402.8无效
发明人： 大林义昭;峰启治;中川浩志 -专利权人：星电株式会社
申请日： 2001-11-01 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： G02B6/36 文献下载
摘要：本发明公开一种超小型光学插座，其中，金属盖(21)安装在插座基体(11)的后端，盖住插座基体的顶面、两个侧面和后端面，金属盖(21)有一对焊接到电路板上的焊接部分(25)，使插座基体(11)压到、并固定到电路板上。本发明的超小型光学插头显著地提高了光学插座的安装强度(焊接强度)并减小了光学插座的深度，因而能够使插座小型化，从而克服了现有技术中焊接强度随着光学插头的小型化而减小的问题。
超小型光学插座

[发明专利]局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法-CN200310119925.X无效
发明人：泉胜俊;中尾基;大林义昭;峯启治;平井诚作;条边文彦;田中智之 -专利权人：大阪府;星电器制造株式会社
申请日： 2003-11-25 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供适用于制造电子－光学联合器件的单晶氮化镓局域化基底，所述联合器件中电子器件和光学器件混合装在同一硅基底上。在硅基底100上局部存在有单晶氮化镓410生长的区域，其形成是在硅基底100上形成碳化硅200，再在此碳化硅200上局部生成单晶氮化镓410。在生成所述单晶氮化镓410过程中氮化硅220用作掩模。
局部存在有单晶氮化基底及其制备方法

[发明专利]光学连接器插座-CN03154044.9无效
发明人： 大林义昭;峰启治;中川浩志 -专利权人：星电器制造株式会社
申请日： 2003-08-12 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： G02B6/38 文献下载
摘要：为防止光的泄漏和灰尘的侵入，不使用罩盖就能安装到设备或墙壁上，以使其开口部分面向设备或墙壁，并且即使在检查安装在电气设备内的插座的过程中，也无需拔出和插入罩盖的操作。光学连接器插座包括：一具有安装在其内的插座侧的光学器件600，一连接的光学连接器插头B可插入的一插入部分110，一覆盖在该主体100上并具有与插入部分110连通的开口部分210的一罩盖200，一可打开和关闭地连接到罩盖200上、用来关闭开口部分210的光阑300，以及一始终弹性地推压该光阑300朝向其关闭方向的用作弹性件的螺旋弹簧500，其中，上述开口部分210设定成：其外尺寸大于插入到罩盖200的光学连接器插头B的外尺寸，而小于光阑300的外尺寸。
光学连接器插座

[发明专利]光连接器-CN03103791.7无效
发明人： 大林义昭;峰启治;中川浩志 -专利权人：星电株式会社
申请日： 2003-02-19 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： G02B6/36 文献下载
摘要：在搭载在光发送端机器上的将输入信号变换成光信号并发送的光连接器中，设置：检测电路(15)，检测输入信号的状态；以及控制电路(16)，按照该检测电路(15)的检测结果来控制对发光元件(11)的驱动电路(13)的电源供给，在检测电路(15)中检测出没有输入信号时，控制电路(16)形成断开或抑制对驱动电路(13)的电源供给的结构。由此，可以削减不进行光发送时(不使用时)的消耗电力。
连接器

[发明专利]光学接插件和光学元件-CN02127768.0无效
发明人： 大林义昭;峰启治;中川浩志 -专利权人：星电器制造株式会社
申请日： 2002-08-08 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： G02B6/36 文献下载
摘要：本发明的目的是为了能够使用高效、高温及耗时短的焊接方法或者回流钎焊方法且无需进行烘干或者防潮包装。本发明的结构为将一个放置在插入主体10中插塞的末端处一侧的光学装置30安装到印刷接线板的表面上，并且经过印刷接线板40连接到一块一光学接插件所安装的主基板上。印刷接线板40是用与光学装置30的透明树脂盒相同的材料制成的。印刷接线板40从与安装光学接插件的表面相对的上表面插入到主体10中，并固定于其上。印刷接线板也可以从与插塞插入侧相对的后表面侧插入主体10，并固定于其上。
光学插件元件

[发明专利]光连接器-CN02143709.2无效
发明人： 大林义昭;峰启治;中川浩志 -专利权人：星电株式会社
申请日： 2002-06-21 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： G02B6/36 文献下载
摘要：本发明提供一种可用作光学输入或输出端子的超小型连接器。在大体呈方形的绝缘性本体中形成贯穿该本体的插头导向孔，由金属板形成容纳光学元件的元件固定件。元件固定件包括分别覆盖所容纳的光学元件的顶面、两个侧面和后面的顶面板、两个侧面板和后面板。该两个侧面板的内面之间的尺寸设定在大体等于所述光学元件的外形尺寸的最大值。另外，在元件固定件的两个侧面板上形成弹性地夹持光学元件的舌片的同时，在将元件固定件安装于绝缘性本体的后端上时，在元件固定件的后面板上设置有偏置力施加装置，该装置把容纳于元件固定件中的光学元件的前面向所述绝缘性本体的后端面的按压的弹性偏置力施加在光学元件上。
连接器

[发明专利]单晶碳化硅薄膜的制造方法及制造设备-CN02122817.5无效
发明人：泉胜俊;中尾基;大林义昭;峯啓治;条邉文彦 -专利权人：大阪府;星电器制造株式会社
申请日： 2002-06-06 - 公布日： 2003-01-29 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：一种制造单晶碳化硅薄膜的设备，包括适于接受成膜用的SOI基材100的成膜室200、向成膜室200提供制造单晶碳化硅薄膜所需的各种气体G1－G4的供气装置300、用于处理供给成膜室200的作为惰性气体G1的氩气、作为烃基气体G2的丙烷气体、作为载气G3的氢气和氧气G4的气体处理装置500和控制成膜室200温度的温控装置400。
碳化硅薄膜制造方法设备

[发明专利]碳素薄膜的蚀刻方法和蚀刻设备-CN02106937.9无效
发明人：泉胜俊;大林义昭;峰启治;条边文彦 -专利权人：大阪府;星电器制造株式会社
申请日： 2002-03-08 - 公布日： 2002-10-23 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明的目的在于,在用于去除形成在试样表面上的碳素薄膜时防止损伤试样、且免去提供为等离子蚀刻所需的特殊装置(诸如真空泵)的必要性。本发明的蚀刻设备包括密封反应室(100A),其表面上形成有碳素薄膜(510)的试样(500)设置在该反应室中;用于从反应室(100A)的一端向其内部供给已混入预定比例的氧气O2的惰性气体Ar氩气的气体供给装置(200A);用于将二氧化碳气体CO2从自气体供给装置(200A)供给的惰性气体Ar的下游侧排出的排气装置(300A);以及用于将试样500加热至550℃或更高的加热装置(400A)。
碳素薄膜蚀刻方法设备

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