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[发明专利]碳化硅半导体装置-CN201711170954.7有效
发明人：佐野恒一郎;大冈笃志;清泽努;石山修;若山贵行;斋藤浩一;长谷川贵史;进藤大辅;楠本修 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供碳化硅半导体装置，其具备包括活性区域以及包围活性区域的终端区域的第一导电型的碳化硅基板、位于活性区域的多个单元元件、以及位于终端区域的终端结构。各单元元件具备晶体管结构。终端结构包括碳化硅基板、碳化硅半导体层、包围活性区域的第二导电型的第二主体区域、包围第二主体区域的一个以上的第二导电型的环形件、包围活性区域的一个以上的外周上部源极电极、以及上部栅极电极。碳化硅半导体装置还具备第一保护膜和第二保护膜。第一保护膜将焊盘区域除外地覆盖内周上部源极电极、上部栅极电极、以及一个以上的外周上部源极电极的内侧面。第二保护膜覆盖一个以上的第二导电型的环形件的至少一部分以及第一保护膜。
碳化硅半导体装置

[发明专利]半导体外延晶片及其制造方法、半导体元件-CN202010137416.3在审
发明人：清泽努;大冈笃志 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体外延晶片、半导体元件及半导体外延晶片的制造方法，抑制与半导体晶片的主面平行的面内的元件特性的偏差。半导体外延晶片具备半导体晶片、和配置在半导体晶片的主面上且包含第1导电型的杂质的第1导电型的半导体外延层，与半导体晶片的主面平行的面内的、半导体外延层的厚度分布和半导体外延层的杂质的浓度分布具有正相关。
半导体外延晶片及其制造方法元件

[发明专利]半导体装置-CN201911132211.X在审
发明人： 大冈笃志;庭山雅彦;内田正雄 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，具备能够以高精度对温度进行检测的温度感测功能。半导体装置具备位于半导体基板上的第一半导体层以及温度传感器部。温度传感器部具有：配置在第一半导体层内的第二导电型的感测体区域；相互隔开间隔地配置在感测体区域内的第一导电型的第一区域及第一导电型的第二区域；以及在感测体区域内位于第一区域与第二区域之间的第二导电型的第三区域。温度传感器部还具有：配置在第一半导体层上且与第一区域的一部分、第三区域及第二区域的一部分相接的第一导电型的温度感测通电层；与第一区域及感测体区域电连接的第一电极；以及与第二区域电连接的第二电极。温度感测通电层以比漂移区域高的浓度包括第一导电型杂质。
半导体装置

[发明专利]碳化硅半导体装置-CN201910089015.2在审
发明人： 大冈笃志;堀川信之;内田正雄 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供一种抑制栅极绝缘膜的绝缘破坏、安全性高的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置包括设置在碳化硅半导体基板的多个单位单元，各单位单元具有MISFET构造。与多个单位单元相邻配置的栅极上部电极具备栅极焊盘和栅极全局布线，在俯视观察时，栅极电极不与栅极焊盘重叠。
碳化硅半导体装置多个单位栅极焊盘碳化硅半导体基板栅极绝缘膜单位单元俯视观察绝缘破坏上部电极相邻配置栅极电极布线全局

[发明专利]碳化硅半导体装置-CN201910102594.X在审
发明人： 大冈笃志;堀川信之;内田正雄 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提供一种减少碳化硅半导体装置的栅极电阻的面内分布的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置具备包括栅极焊盘部和栅极布线的上部栅极电极、包括第一以及第二源极焊盘部的上部源极电极。栅极布线包括包围多个源极焊盘部地延伸的栅极全局布线部、和栅极连接布线部。上部源极电极包括包围栅极全局布线部地延伸的外周源极布线部、和分别连接外周源极布线部与第一以及第二源极焊盘的第一以及第二源极连接部。栅极全局布线部包括第一部分、第二部分和第三部分。第一部分分别在第一以及第二基板角部断开，并且位于第一以及第二基板角部之间，与栅极连接布线部相接。第二部分在第一基板角部与第一部分断开。第三部分在第二基板角部与第一部分断开。
布线部碳化硅半导体装置角部第二基板断开源极焊盘部源极布线栅极布线栅极连接电极上部源外周全局包围第一基板源极焊盘源极连接栅极电极栅极电阻栅极焊盘延伸