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[发明专利]掺杂氧化镓晶体及其制备方法-CN202210414076.3在审
发明人： 夏长泰;赛青林;周威;齐红基 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明揭示了一种掺杂氧化镓晶体及其制备方法。本发明提供的掺杂氧化镓晶体，为氧化镓晶体经掺杂形成N型导电体，掺杂元素为铌，掺杂浓度范围为小于等于0.8mol％。本发明可以获得具有高载流子浓度和高导电性的氧化镓晶体，并且，通过对掺杂浓度的控制，能够得到不同电阻率和载流子浓度的氧化镓晶体。
掺杂氧化晶体及其制备方法

[发明专利]一种复合结构荧光衬底、复合方法及倒装LED结构-CN202111143888.0在审
发明人：张光懿;高乐乐;赛青林;夏长泰;赵芬;唐晶晶;智国磊 -专利权人：包头稀土研发中心
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合结构荧光衬底、复合方法及倒装LED结构，荧光衬底由蓝宝石晶体片与共晶荧光体片键合而成；实现荧光粉的无胶化替代，也不存在粉体点胶封装的颗粒散射，减少了光散射所带来的损失；共晶荧光体中Al2O3的体积比约为45%，接近总体积一半，与LED外延的蓝宝石衬底为相同晶相，YAG体积比约为55%，具有和蓝宝石相同的铝氧八面体结构，因此共晶荧光体和蓝宝石可以实现良好的键合，键合后的衬底蓝宝石一侧可以用于GaN的外延生长，制备电极，通过倒装结构做成发光元件，发出蓝光；另一侧共晶荧光体作为出光一侧，将部分蓝光转换为黄光，混合出光后直接形成白光，从而省略粉体封装过程，同时具有更好的散热特性和出光效率。
一种复合结构荧光衬底方法倒装 led

[发明专利]一种导模法生产稀土共晶荧光体的工艺方法-CN201911187200.1有效
发明人：张光懿;赛青林;高乐乐;池建义;夏长泰;赵芬;唐晶晶 -专利权人：中国科学院包头稀土研发中心
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种导模法生产稀土共晶荧光体的工艺方法，涉及共晶荧光体的制备；该方法包括原料预处理、下热场装配、上热场装配、抽真空及充气升温、引晶接种、放肩、等径生长、拉脱降温、排气/取出晶体等过程；通过该工艺方法可以制得稀土共晶荧光体，与现有技术中的荧光粉相比，具有多方面的性能提升，具有更加广泛的适用范围。
一种导模法生产稀土荧光工艺方法

[发明专利]导模法生产稀土共晶荧光体的加热保温装置及晶体生长炉-CN201911187430.8有效
发明人：高乐乐;赛青林;张光懿;池建义;夏长泰;赵芬;唐晶晶 -专利权人：中国科学院包头稀土研发中心
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C30B15/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种导模法生产稀土共晶荧光体的加热保温装置，以及应用该加热保温装置的晶体生长炉，用于稀土共晶荧光体的生产制造；涉及共晶荧光体的制备设备领域；包括感应加热的线圈，线圈正下方放置有耐高温的底座，底座上表面放置圆柱筒状的石英桶，石英桶内填装氧化锆砂；之后同轴由外向内放置氧化锆保温环、钼皮、加热体、模具等，模具用于盛装原料，还包括一个圆柱体状的石墨制成的石墨保温桶，用于对从加热保温装置上部生长出来的稀土共晶荧光体进行保温。
导模法生产稀土荧光加热保温装置晶体生长

[实用新型]一种导模法生产稀土共晶荧光体的模具-CN201921982839.4有效
发明人：张光懿;赛青林;高乐乐;池建义;夏长泰;赵芬;唐晶晶 -专利权人：中国科学院包头稀土研发中心
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种导模法生产稀土共晶荧光体的模具，属于共晶荧光体的生产设备领域；该模具包括两块对称安装的片状模板和一个用于放置模板的坩埚，以及用于将两块模板相对紧固在一起的紧固装置；两块模板的形状、尺寸相同；模板底面为平面，且底面开设通道槽，通道槽贯穿模板前、后面，两块模板的中部相同位置设置圆形的通孔；所述的紧固装置包括螺纹杆和螺母，螺纹杆用于穿过两块模板的圆形通孔，之后用两个螺母从两块模板外侧进行旋紧固定；且两块模板之间需要保持0.2‑0.3mm的间隙；将两块模板相对紧固在一起后，竖直放置在坩埚内部中央；两块模板之间0.2‑0.3mm的间隙形成的毛细效应，熔化的原料会从两块模板底部的通道槽进入，并沿着间隙向上生长。
一种导模法生产稀土荧光模具

[实用新型]一种导模法生产不同厚度稀土共晶荧光体的模具用夹片-CN201921993897.7有效
发明人：高乐乐;赛青林;张光懿;池建义;夏长泰;赵芬;唐晶晶 -专利权人：中国科学院包头稀土研发中心
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种导模法生产不同厚度稀土共晶荧光体的模具用夹片，所述的夹片形状与模具的模板的形状相同，为一块钼制矩形片，其底边处设置与通道槽形状和位置相同的矩形槽，夹片侧面设置与模板的圆形通孔位置、大小相同的圆孔二；将夹片夹在两块模板之间，通过螺纹杆穿过两块模板的圆形通孔以及夹片的圆孔二，之后用两个螺母从两块模板外侧进行旋紧固定；夹片与模板要对齐，基本上要重合到一起；且夹片与模板之间、以及夹片与夹片之间采用0.2‑0.3mm的钨丝缠绕在夹片与模板之间、以及夹片与夹片之间的螺纹杆上，保持0.2‑0.3mm的间隙；在两块模板顶面长出，在模具顶端接籽晶提拉熔化的原料，最终制得想要的厚度的稀土共晶荧光体。
一种导模法生产不同厚度稀土荧光模具用夹片

[发明专利]掺杂氧化镓晶态材料及其制备方法和应用-CN201880004978.1在审
发明人： 夏长泰;赛青林;周威;齐红基 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种VB族元素掺杂β‑氧化镓晶态材料及其制备方法和应用。该系列掺杂β‑Ga₂O₃晶态材料属于单斜晶系，空间群为C2/m，电阻率在2.0×10^‑4到1×10⁴Ω·cm范围内和/或载流子浓度在5×10¹²到7×10²⁰/cm³范围内。制备方法包括步骤：将纯度在4N以上的M₂O₅和Ga₂O₃按照摩尔比(0.000000001‑0.01):(0.999999999‑0.99)混合后进行晶体生长即可。本发明采用常规工艺即可制备得到高电导率，呈n型导电特性的β‑Ga₂O₃晶态材料，为其在电力电子器件、光电子器件、光催化剂或导电衬底上的应用提供基础。
晶态材料制备方法和应用掺杂氧化镓制备载流子电力电子器件光电子器件常规工艺单斜晶系高电导率光催化剂晶体生长应用提供电阻率空间群摩尔比衬底导电

[发明专利]高电导率的共掺杂氧化镓晶体及其制备方法-CN201710011291.8有效
发明人： 夏长泰;张宏哲;王林军;赛青林;周威;齐红基;潘明艳 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种电阻率低至10^‑3Ω·cm量级的共掺杂氧化镓晶体，通过Sn和In离子掺入氧化镓形成的n型导电晶体，化学式为Ga_2‑2x‑_2yIn_2xSn_2yO_3+y，其中x＝10～30mol％，y＝0.005～1mol％。同时公开了获得高电导率氧化镓晶体的制备方法，通过在氧化镓基质里面同时掺入Sn和In元素，使用光学浮区法生长出单晶，在较低的掺杂浓度下，获得较高的载流子浓度，实现氧化镓晶体电导率的提高。
电导率掺杂氧化晶体及其制备方法

[发明专利]掺杂氧化镓晶体及其制备方法-CN201710124917.6在审
发明人： 夏长泰;赛青林;周威;齐红基 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明揭示了一种掺杂氧化镓晶体及其制备方法。本发明提供的掺杂氧化镓晶体，为氧化镓晶体经掺杂形成N型导电体，掺杂元素为铌，掺杂浓度范围为小于等于0.8mol％。本发明可以获得具有高载流子浓度和高导电性的氧化镓晶体，并且，通过对掺杂浓度的控制，能够得到不同电阻率和载流子浓度的氧化镓晶体。
氧化镓掺杂载流子制备掺杂元素高导电性电阻率

[发明专利]一种钽掺杂β氧化镓晶态材料及其制备方法和应用-CN201710061035.X在审
发明人： 夏长泰;赛青林;周威;齐红基 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种钽掺杂β氧化镓晶态材料及其制备方法和应用。该Ta掺杂β‑Ga2O3晶态材料属于单斜晶系，空间群为C2/m，电阻率在2.0×10‑4到1×104Ω·cm范围内和/或载流子浓度在5×1012到7×1020/cm3范围内。制备方法包括步骤：将纯度在4N以上的Ta2O5和Ga2O3混合后进行晶体生长即可。本发明采用常规工艺即可制备得到高电导率，呈n型导电特性的β‑Ga2O3晶态材料，为其在电力电子器件、光电子器件、光催化剂或导电衬底上的应用提供基础。
晶态材料制备方法和应用氧化镓钽掺杂制备载流子电力电子器件光电子器件常规工艺单斜晶系高电导率光催化剂晶体生长应用提供电阻率空间群衬底导电掺杂

[发明专利]一种铈掺杂氧化铝‑铽铝石榴石共晶的生长方法-CN201510143031.7有效
发明人： 夏长泰;张海成;谢红桂;刘成龙 -专利权人：江苏舒适照明有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种铈掺杂氧化铝‑铽铝石榴石共晶的生长方法，将Al2O3、Tb4O7和CeO2按摩尔比Al2O3Tb4O7CeO2＝abc配比，所述a（a+2b+c/2）=0.7～0.85,c/b=0.01～0.1；然后经乙醇湿法混合后，压制成块体，经高温烧结成型，装入温梯炉的坩埚内，所述坩埚底部籽晶槽装有定向的氧化铝籽晶，温梯炉升温并抽真空至10‑3Pa，当温度升高达到1450℃时充入惰性保护气体氩气，然后继续升温至1700~1850℃左右，保温1～3小时，使原料完全熔化，再以2～100℃/小时的速度由慢而快的降温速率分阶段降温，得到铈掺杂氧化铝‑铽铝石榴石共晶晶体。根据本发明得到的共晶材料具有良好的耐热性、更有效的白光调色能力，其交错的共晶结构还使其具备优秀的混光性。
一种掺杂氧化铝石榴石生长方法

[发明专利]离子掺杂铝酸钙钆激光晶体的制备方法-CN201410108556.2有效
发明人： 夏长泰;狄聚青;赛青林;吕正勇;周大华 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种离子掺杂铝酸钙钆激光晶体的制备方法，在铝酸钙钆基质中掺入铬铈钕等离子，采用提拉法或浮区法生长出优质的铬铈钕共掺或铈钕，铬钕双掺的铝酸钙钆激光晶体。晶体完整无开裂，可见光波段吸收效率高，是一种非常优良的太阳光泵浦激光增益介质。
离子掺杂铝酸钙钆激光晶体制备方法

[发明专利]用于宽禁带半导体的氧化铝-氧化镓混晶材料-CN201510524713.2在审
发明人： 夏长泰;赛青林;肖海林 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种用于宽禁带半导体的氧化铝-氧化镓混晶材料，结构式为Ga_2-2xAl_2xO₃，其中氧化铝掺杂摩尔比x为0-50％，及其制备方法。本发明保持了原有的氧化镓晶体结构，形成混晶，晶体具有很高的光学质量，无开裂，散射颗粒，气泡等缺陷，颜色均匀；通过掺杂，晶体的紫外吸收截止边延伸到210-255nm，是一种非常优良的深紫外衬底材料。
用于宽禁带半导体氧化铝氧化镓混晶材料

[发明专利]铈掺杂氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法-CN201210014789.7有效
发明人： 夏长泰;赛青林;司继良;李晓清;杨卫桥;狄聚青;许鹏;王璐璐 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：一种铈掺杂的氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法。采用的垂直温梯法，主要利用加热体的各处发热功率分布不同，制造一个合理的垂直温度梯度环境，经过预处理的原料放入坩埚内升温熔化，熔体静止在该温场中，通过控制速度的分段降温过程，使熔体从底部结晶，固液界面自下而上移动生长晶体。本发明方法相对于一般的坩埚下降等定向凝固的方法，由于无机械可动部分，解决了界面不稳可能带来的问题，同时封闭生长系统又保证了掺杂相对的均匀性。该方法生长的这种共晶材料质量稳定，具有良好的光转化性能、光混合性和耐热性，在大功率白光LED等多种发光器件上具有良好应用潜力。
掺杂氧化铝石榴石荧光材料生长方法

[发明专利]掺钒的镁铝尖晶石荧光衬底材料及其制备方法-CN200910199150.9无效
发明人： 夏长泰;饶汗;杨卫桥;吴锋;王静雅;徐晓东;周国清 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： C09K11/69 文献下载
摘要：一种掺钒的镁铝尖晶石荧光衬底材料及其制备方法，该荧光衬底材料的分子式为MgO·(Al2O3)x-y:Vy，其中x的取值范围是1～5，y的取值范围是0.00001～0.1。本发明的这种荧光衬底材料适合于外延生长高质量GaN基和ZnO基紫外光半导体薄膜，并能实现白光发射。本发明能够有效的降低生产成本，简化生产工艺。
尖晶石荧光衬底材料及其制备方法

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