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[发明专利]锰铬共掺的镁铝尖晶石荧光衬底材料及其制备方法-CN200910199148.1无效
发明人： 夏长泰;饶汗;杨卫桥;吴锋;王静雅;徐晓东;周国清 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：一种用于制备GaN基及ZnO基白光发光二极管的锰铬共掺的镁铝尖晶石荧光衬底材料及其制备方法，该荧光衬底材料的分子式为MgO(1-z)·(Al2O3)(x-y):Mnz，Cry，其中x的取值范围是1～5，y的取值范围是0.00001～0.1，z的取值范围是0.00001～0.1。其中Mn离子和Cr离子分别取代镁铝尖晶石中Mg离子和Al离子的位置；该荧光衬底适合于外延生长高质量GaN基和ZnO基蓝光半导体薄膜，并能实现白光发射，能够有效的降低白光发光二极管的生产成本，简化生产工艺。
锰铬共掺尖晶石荧光衬底材料及其制备方法

[发明专利]金属或金属氧化物纳米颗粒的制备方法-CN200810034931.8有效
发明人：李效民;吴永庆;于伟东;徐军;夏长泰 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属或金属氧化物纳米颗粒的制备方法，其特征在于采用还原气氛热处理方法，包括衬底表面处理、金属或金属氧化物薄膜的制备和热处理三大步骤。本发明旨在通过对金属或金属氧化物薄膜进行还原气氛热处理，在衬底上得到各种纳米颗粒。该方法的优点在于可以通过调节镀膜时间、功率和还原气氛热处理温度及时间对颗粒形貌、分布和大小进行控制，可与半导体工艺相结合，得到的纳米颗粒具有特殊的催化、光电特性。方法适合于Fe、Co、Ni、Cu、Si、Ag、Al、Ti、Zn、Al、Mg、Ta、Mo、Sn或Pt金属及其氧化物纳米颗粒的制备。制备的纳米颗粒粒径为5～200mm，常见为球形。
金属氧化物纳米颗粒制备方法

[发明专利]纳米金属或金属氧化物/碳纳米管复合材料的制备方法-CN200810034935.6无效
发明人：李效民;吴永庆;于伟东;徐军;夏长泰 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种简单实用的金属或金属氧化物/碳纳米管纳米复合材料的制备方法。特征在于以预处理后的碳纳米管为基质，采用射频溅射沉积法、脉冲激光沉积法、喷雾裂解法、热蒸发法或水热法中的任一种方法制备Fe、Co、Ni、Cu、Si、Ag、Au、Ti、Zn、Al、Mg、Ta、Pd、Mo、Sn和Pt金属及其氧化物纳米材料，在碳纳米管表面形成金属或金属氧化物纳米颗粒或纳米薄膜。该方法可以得到多种形态的碳纳米管基复合材料，制备简单，成本低，碳纳米管基复合材料具有特别的光、电、磁性，具有巨大的应用前景。
纳米金属氧化物复合材料制备方法

[发明专利]非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法-CN200610024952.2无效
发明人：吴锋;夏长泰;徐军;裴广庆;张俊刚;吴永庆 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2006-03-22 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法，所述的非化学计量比镁铝尖晶石单晶体的结构式为MgO·(Al₂O₃)_n，其中n＝1.3，1.5，2.0，2.3，2.5，2.7，3.0，3.5，4.5，5.0，其制备方法如下：(1)根据选定的n值，配比相应的MgO和Al₂O₃原料；(2)在中性气氛下烧结原料；(3)中性气氛下，用中频感应加热单晶炉用提拉法生长出晶体。选择适当的n值，晶体可形成不同的光学效应和作为不同的材料用途，尤其在n＝3尖晶石同GaN材料之间的晶格失配小，易于加工，可以形成高质量的GaN衬底材料。
化学计量尖晶石单晶体制备方法

[发明专利]掺稀土元素氧化镓荧光衬底材料及其制备方法-CN200610024095.6无效
发明人： 夏长泰;张俊刚;徐军;周国清;吴锋;裴广庆;吴永庆 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2006-02-23 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：一种用作GaInN基蓝光半导体外延生长的掺稀土元素氧化镓荧光衬底材料及其制备方法。该掺稀土元素的氧化镓荧光衬底单晶体的分子式为：β－Ga_2－2x (RE)_2xO₃，其中RE＝Ce或Tm，x＝0.001～0.1。该晶体采用浮区法进行生长。该荧光衬底适合于外延生长高质量GaInN基蓝光半导体薄膜，与GaInN基蓝光相结合能实现发光二极管的白光发射。
稀土元素氧化荧光衬底材料及其制备方法

[发明专利]大尺寸ZnO籽晶的拼装方法-CN200510027008.8无效
发明人：杭寅;宋词;夏长泰;张连翰;周圣明;徐军 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2005-06-22 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：一种适用于水热法生长大尺寸ZnO晶体的大尺寸ZnO籽晶的拼装方法，其特征在于该方法包括以下步骤：①获取两块或者两块以上的ZnO晶片，该ZnO晶片的宽度和厚度完全相等，晶片的四个面高度平整且两两平行，误差小于10″；②大尺寸ZnO的籽晶的拼装，以获得用于生长大尺寸ZnO的籽晶。通过本发明拼装的籽晶可以生长得到大尺寸、高质量的ZnO晶体。
尺寸 zno 籽晶拼装方法

[发明专利]提高水热法生长ZnO晶体生长效率和质量的方法-CN200510026556.9无效
发明人：杭寅;宋词;夏长泰;张连翰;周圣明;徐军 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2005-06-08 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：一种提高水热法生长ZnO晶体生长效率和质量的方法，该方法的实质是将ZnO籽晶的生长速度快和生长晶体质量好的结晶学面即+c面显露出来作为晶体生长面，在单片ZnO籽晶的－c面涂覆一层贵金属隔离层，抑制生长速度慢且出的晶体质量差的－c面的晶体生长。本发明抑制ZnO晶体－c面的生长，大大提高晶体生长效率，而且生长出来的晶体结构完整，质量完好。
提高水热法生长 zno 晶体生长效率质量方法

[发明专利]GaN/β－Ga₂O₃复合衬底的材料及其制备方法-CN200510025799.0无效
发明人：吴锋;夏长泰;张俊刚;徐军 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种GaN/β－Ga₂O₃复合衬底的材料及其制备方法，它是在β－Ga₂O₃单晶上设有一层GaN覆盖层构成。该复合衬底材料的制备方法是：用利用高真空氮化处理炉在β－Ga₂O₃单晶衬底上形成GaN覆盖层，再通过退火工艺处理，在β－Ga₂O₃单晶衬底得到晶化的GaN薄膜。本发明的复合衬底材料的制备工艺简单，易操作，适用于高质量GaN的外延生长。
gan ga sub 复合衬底材料及其制备方法

[发明专利]掺铈二硅酸镥闪烁晶体的生长方法-CN200410084635.0无效
发明人：严成锋;赵广军;徐军;介眀印;庞辉勇;张连翰;夏长泰;杭寅 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2004-11-26 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：一种掺铈二硅酸镥闪烁单晶的生长方法，该单晶的结构式为：(Ce_xRe_yLu_1－x－y)₂Si₂O₇，式中Re代表Sc、Er、La、Ho、Dy、Yb、Y或Gd等的一种或多种；x和y的取值范围分别为0.001≤x≤0.05，0≤y≤0.2。其生长方法的关键是：选用与完全解理面(110)平行，并与不完全解理面(001)夹角≤25°的LPS籽晶方向；以较慢的提拉速度0.5～1.5mm/hr生长；采取特殊收尾程序，晶体尾部的形状基本与晶体肩部对称一致。本发明方法解决了(Ce_xRe_yLu_1－x－y)₂Si₂O₇晶体的解理爆裂问题，提高了晶体的成品率，可生长出较大尺寸、晶体质量高、完整无开裂的单晶体。
掺铈二硅酸闪烁晶体生长方法

[发明专利]透明闪烁玻璃陶瓷及其制备方法-CN200410089338.5无效
发明人：庞辉勇;徐军;赵广军;夏长泰;曾雄辉;介明印;严成锋;何晓明 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： C03C10/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有优良闪烁性能的、又同时具有玻璃和陶瓷特点的玻璃陶瓷及其制备方法。具体涉及采用熔化－淬冷法制备一种掺有TiO₂、ZrO₂等成核剂的闪烁玻璃，再在析晶温度附近进行适当的热处理，从而制备出具有优良闪烁性能、并且具有玻璃的高度透明性，和陶瓷的优良热稳定性、机械加工性等综合优点的透明闪烁玻璃陶瓷，即微晶玻璃，这种玻璃陶瓷可以广泛应用于医学、科学研究、工业在线检测、安全检查等射线探测领域中。具有规模化、批量生产的可能，具有潜在的应用前景。
透明闪烁玻璃陶瓷及其制备方法

[发明专利]在γ－LiAlO₂衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法-CN200410084404.X无效
发明人：邹军;周圣明;徐军;夏长泰;苏凤莲;李抒智;彭观良;王银珍;刘世良 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2004-11-22 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：一种在γ－LiAlO₂单晶衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法，包括如下具体步骤：<1>将清洗的双面抛光或单面抛光的γ－LiAlO₂衬底及纯度优于99.99％的ZnO单晶或多晶靶材送入脉冲激光淀积系统；<2>将腔内抽成高真空，真空度≥0.1pa，然后充入流动高纯氧气，其气压≥100mTorr；<3>对衬底进行加热，升温至400～650℃，KrF准分子激光通过透镜聚光，经光学窗口照射到装置内的ZnO靶材上，靶材表层分子熔蒸后淀积在γ－LiAlO₂单晶衬底上成膜，缓慢降温后即可得到ZnO单晶薄膜。本方法可以得到质量优异的ZnO单晶薄膜，方法简单、成本较低，有广阔的应用前景和市场潜力。
lialo sub 衬底制备 zno 薄膜方法

[发明专利]低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法-CN200410068058.6无效
发明人：周国清;刘军芳;徐军;何晓明;夏长泰 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2004-11-11 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： C30B1/10 文献下载
摘要：一种低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法，包括如下具体步骤：在铂金坩埚内，放置有带气孔的Li₂CO₃和Al₂O₃混合料块；将双面抛光的α－BBO晶片置于或悬于铂金丝上，加上覆盖有Li₂CO₃和Al₂O₃混合粉料和热电偶的坩埚盖，坩埚顶部加铂金盖密闭，置于电阻炉中；该电阻炉加热升温至700～1000℃，恒温2～100小时，Li₂O扩散到α－BBO晶片中，和α－BBO晶片发生固相反应，从而α－BBO晶片表层发生相变，生成β－BBO单晶薄膜。本方法可以在α－BBO衬底上生长出符合需要的微米量级的β－BBO单晶薄膜，不仅节省材料，还可以批量生产，对激光技术以及集成光学的发展具有重要的意义。
低温硼酸钡单晶薄膜制备方法

[发明专利]磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜-CN200410067895.7无效
发明人：周国清;刘军芳;徐军;何晓明;夏长泰 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：一种磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜，其特征是选取β－BBO陶瓷靶材或β－BBO单晶靶材，采用磁控溅射方法在α－BBO单晶衬底上形成一层β－BBO/α－BBO复合单晶薄膜。本发明方法克服了在先技术生长体单晶加工困难的问题，极大的节省了材料。本发明适宜批量生产，能够满足激光技术迅猛发展的市场需求，具有良好的经济效益。
磁控溅射法制低温硼酸钡单晶薄膜

[发明专利]掺铬镱铝石榴石晶体的生长方法-CN200410067699.X无效
发明人：徐晓东;徐军;赵志伟;宋平新;夏长泰;张连瀚;赵广军;邓佩珍 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2004-11-02 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种掺Cr⁴⁺镱铝石榴石晶体的生长方法，该方法的原料配方为：5(1－x)Al₂O₃+3(1－y)Yb₂O₃+5xCr₂O₃+6yCaCO₃＝2Yb_3(1－y)Cr_5xCa_3yAl_5(1－x)O_(12－3y/2)+6yCO₂其中0.01％≤x≤ 1％，x≤y≤5x；在普通的中频感应加热单晶炉采用提拉法生长。本发明容易生长掺Cr⁴⁺镱铝石榴石晶体，晶体可直接采用InGaAs半导体激光器泵浦，实现自调Q1030nm激发输出。
掺铬镱铝石榴石晶体生长方法

[发明专利]LiGaO₂/β－Ga₂O₃复合衬底材料的制备方法-CN200410067127.1无效
发明人：徐军;夏长泰;周圣明;杭寅;张俊刚;裴广庆 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2004-10-13 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种LiGaO₂/β－Ga₂O₃复合衬底材料及其制备方法，包括如下具体步骤：在铂金坩埚内，放置有带气孔的LiGaO₂和Li₂O混合料块；将双面抛光或单面抛光的β－Ga₂O₃晶片置于或悬于铂金丝上，加上覆盖有LiGaO₂和Li₂O混合粉料和热电偶的坩埚盖，坩埚顶部加铂金盖密闭，置于电阻炉中；该电阻炉加热升温至700～1400℃左右，恒温20～100小时，Li₂O扩散到β－Ga₂O₃晶片中，降温后可得到LiGaO₂/β－Ga₂O₃复合衬底材料。本发明克服了α－Al₂O₃衬底晶格失配度大和难以获得大尺寸高质量LiGaO₂单晶衬底等问题，可用于生长高质量InN－GaN薄膜外延生长。
ligao sub ga 复合衬底材料制备方法