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[发明专利]一种五轴加工中心回转工作台-CN202310940177.9在审
发明人：罗哲;谭永宏;夏余平;周玲;杨钰;陈爱武;王林惠;王鑫昱;唐若馨;姜欣圆 -专利权人：湖南科技学院
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B23Q1/01 文献下载
摘要：本发明涉及五轴加工中心技术领域，尤其涉及一种五轴加工中心回转工作台。本发明的技术问题：提供一种能将杂质清理干净的五轴加工中心回转工作台。本发明的技术实施方案是：一种五轴加工中心回转工作台，包括有底座、五轴旋转装置和工作台面等，底座的上部中间位置转动式连接有五轴旋转装置，五轴旋转装置的上部转动式连接有工作台面。本发明通过鼓风机吹走工作台面上的杂质，并且第一固定杆可以挤压鼓风机，使得鼓风机吹风朝向发生改变，又通过第一海绵块擦拭工作台面上侧的杂质，并且在挤压块的挤压下，第一挤压件能在第一弹簧的作用下进行前后往复运动，从而使得第一海绵块将工作台面清理得更干净，如此就能实现将杂质清理干净的目的。
一种加工中心回转工作台

[发明专利]3D存储器件的制造方法及3D存储器件-CN201811389175.0有效
发明人：杨永刚;蒋阳波;徐融;夏余平;张珍珍;郑晓芬;刘开源 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D存储器件的制造方法及3D存储器件。该3D存储器件的制造方法包括：在衬底上方形成栅叠层结构；形成贯穿所述栅叠层结构的多个沟道孔，向所述多个沟道孔的侧壁和底部沉积沟道层；氧化部分厚度的所述沟道层，以形成氧化层；以及去除所述氧化层，其中，所述氧化层与氧化前的所述沟道层在各位置处的厚度变化趋势相同。该制造方法通过氧化部分厚度的沟道层，可以方便控制沟道层在各处的厚度，以提高沟道层厚度的相似度，避免出现沟道层厚度不均的问题，从而提高3D存储器件的良率和可靠性。
存储器件制造方法

[实用新型]一种草莓采摘装置-CN202320833931.4有效
发明人：罗哲;夏余平;唐志好;冯俊文;罗宇振;莫广曌;孙蕾 -专利权人：湖南科技学院
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： A01D46/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种水果采摘设备技术领域，尤其涉及一种草莓采摘装置。本实用新型提供一种可精确控制采摘草莓范围的草莓采摘装置，包括有机架、电动锯片、握把、控制按钮和第一收集框等；机架顶部向下安装有电动锯片，机架外长度方向上固接有握把，机架底部安装有第一收集框，握把上设置有控制按钮，控制按钮与电动锯片连接，使得控制按钮可控制电动锯片。移动握把带动机架移动，使得机架移动到需要采摘的草莓区域，电动锯片卡在草莓藤曼与草莓果实之间，打开控制按钮，电动锯片转动将草莓割落，从而实现精确控制采摘草莓范围的功能。
一种草莓采摘装置

[发明专利]智能多功能椅-CN202310432615.0在审
发明人： 夏余平;罗哲;顾晓猛;夏铁军 -专利权人：湖南科技学院
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： A47K3/12 文献下载
摘要：本发明公开了智能多功能椅，涉及功能椅子技术领域，其技术方案要点是：包括椅子主体，所述椅子主体由主体支架模块、坐下与站立辅助模块、靠背搓澡模块、如厕模块和扶手控制模块五个部分构成。本发明的智能多功能椅在椅子靠背处设计了靠背搓澡模块。其搓澡模块可以自动适应不同人体的背部形状，同时在清洗的过程可以实现简单的按摩功能；在坐垫处设计了坐下与站立辅助模块。在传统椅子的基础上加装了一组电机推杆，能够适当调节坐垫的倾斜角度，帮助老人坐下和起立，该功能能够有效解决老人在洗浴以及如厕时起身困难等问题；集成了洗浴和如厕两大功能。不仅能帮助老人独自完成洗浴，也能辅助老人进行如厕。
智能多功能

[发明专利]一种基于C/C-SiC材料的超硬磨料及砂轮高速精密磨削优化方法-CN202310026064.8在审
发明人：罗哲;张晓红;夏余平;顾晓猛;段志强;王鑫昱;唐志好;夏铁军 -专利权人：湖南科技学院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于C/C‑SiC材料的超硬磨料及砂轮高速精密磨削优化方法，包括以下步骤：S1：系统建立超硬磨料硬度自适应砂轮内外流道结构化理论，揭示流道的结构变化对混合液流动、填充效果、破障效果的影响规律；S2：通过软件仿真分析和3D打印砂轮内流道模拟混合液流动实验，分析内流道曲线形状、截面形状、内流道锥度变化与混合液流动效果之间的关系。该基于C/C‑SiC材料的超硬磨料及砂轮高速精密磨削优化方法，通过MoS2纳米颗粒定向润滑磨削力突变的砂轮表面机理，阐明超硬磨粒硬度自适应砂轮磨削C/C‑SiC材料磨屑形成机理，揭示流道结构对润滑液的有效润滑、除屑效果的影响规律，进入达到优化砂轮高速精密磨削优化的效果。
一种基于 sic 材料磨料砂轮高速精密磨削优化方法

[发明专利]一种精密数控车床导轨-CN202310027367.1在审
发明人：夏铁军;罗哲;顾晓猛;夏余平 -专利权人：湖南科技学院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B23Q1/01 文献下载
摘要：本发明提供一种精密数控车床导轨，包括底座，所述底座的表面安装有固定支架，所述固定支架的内部及底座与固定支架相对一端的内部均连接有轴承，所述固定支架的表面还连接有两个加强柱，所述底座上还安装有传动机构；所述底座的表面还安装有线轨，所述线轨上还滑动连接有导块，所述导块的内部设置有滚动组件及润滑系统，所述导块的两端还连接有防尘组件。本发明通过导块、线轨、加强柱、滚珠和滚珠加固架之间的相互配合，采用哥德式接触角为45°结构，使其在四个方向上能够均匀受力，同时利用两个加强柱对于导块的支撑及进一步导向，可有效提高整个导轨的抗振性、受力强度和使用精度。
一种精密数控车床导轨

[发明专利]采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置和存储介质-CN202010188765.8有效
发明人：杨尊;任德营;顾立勋;夏余平;高翔 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置、存储介质和处理器。该方法包括：第一容器的第一清洗步骤，在第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理；第二容器的准备步骤，控制向存在处于预定状态的化学试剂的第二容器中通入化学试剂的原料；第二容器的清洗步骤，在第一容器中的化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且第二容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用第二容器中的化学试剂对晶圆进行处理。该方案缩短了混酸的时间，减少了暂停等待处理的时间，使得采用化学试剂对晶圆的处理时间大大缩短，从而提高了化学试剂对晶圆的处理效率，提高了WPH较低。
采用化学试剂处理方法装置存储介质

[发明专利]一种超硬磨料硬度自适应砂轮的制造方法-CN202310027137.5在审
发明人：罗哲;张晓红;顾晓猛;夏余平;夏铁军;唐志好;段志强;何永强 -专利权人：湖南科技学院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B24D18/00 文献下载
摘要：本发明提供一种超硬磨料硬度自适应砂轮的制造方法，包括以下步骤：第一步：准备65份的MoS2纳米颗粒和35份的羟基胍尔胶溶液，然后将MoS2纳米颗粒和羟基胍尔胶溶液充分搅拌混合，从而制备出混合液；第二步：将第一步当中制备成的混合液加入喷涂机当中；本发明随之混合液从砂轮内部经内流道向砂轮表面流动，羟基胍尔胶溶液裹挟MoS2纳米颗粒在喷出的过程中两次雾化破碎成小液滴，这些层卷曲并堆积形成石榴波纹结构，使MoS2具有一定程度的脆性和延展性，由于MoS2纳米颗粒的导热系数较低，因此可以提高润滑液的传热性能。同时羟基胍尔胶溶液恢复粘弹性将磨粒间的磨削产生的磨屑吸附然后通过离心作用带离砂轮，改善砂轮表面形貌，提升砂轮磨削效率。
一种磨料硬度自适应砂轮制造方法

[发明专利]一种五轴机床加工整体叶轮的后置处理方法及夹持装置-CN202310027773.8在审
发明人：夏铁军;潘海军;夏余平;顾晓猛;唐志好 -专利权人：湖南科技学院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B23Q3/08 文献下载
摘要：本发明提供一种五轴机床加工整体叶轮的后置处理方法及夹持装置，包括底座、支撑架和驱动电机，所述底座的表面安装有支撑架，所述支撑架的表面安装有驱动电机，所述支撑架的表面另一端安装有承接板，所述承接板与驱动电机之间转动连接有转向台，所述转向台的表面安装有工作台；所述转向台的表面安装有定位筒；本发明通过将整体叶轮放置在工作台的表面上，接着启动液压杆，带动立杆沿着定位筒表面的开口进行下降，接着通过承接块、立杆和压板之间的相互配合，将压板稳固在整体叶轮的表面上，方便对整体叶轮进行装夹锁紧，提高了装夹效率，同时提高了整体叶轮的切削效率。
一种机床加工整体叶轮后置处理方法夹持装置

[发明专利]一种自动售货机输送装置-CN202211345637.5在审
发明人：罗哲;杨钰;夏铁军;王林惠;刘志壮;夏余平;唐志好;陈涛;彭巧 -专利权人：湖南科技学院
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G07F11/16 文献下载
摘要：发明公开了一种自动售货机输送装置，包括：底座，所述底座上设有竖向布置的侧框架，所述侧框架上设有储存组件；接料组件，设置在侧框架一侧的底座上；安装座，所述安装座与底座之间设有挡板，所述挡板开设有供产品穿过的开孔；加热箱，所述加热箱内部设有加热托盘；取货箱；输送组件，所述取货箱与输送组件之间设有导料架。有益效果在于：采用接料组件调节移动平台的位置，从而能够对不同位置及高度的储存组件的内部产品进行收集，并送入输送组件内进行转运，能够实现自动接料并输送，定位精度高，通过输送组件将产品送入加热箱内升温，最终送入取货箱内部，通过内置式加热结构，无需客户利用外部设备加热，降低了操作难度，提升了设备的实用性。
一种自动售货输送装置

[发明专利]一种婴儿车的防倒溜移动结构-CN202211354287.9在审
发明人：罗哲;谭永宏;周学斌;杨钰;夏余平;陈爱武;王林惠;王振宇;龙天翔 -专利权人：湖南科技学院
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B62B9/06 文献下载
摘要：发明公开了一种婴儿车的防倒溜移动结构，包括：中心轴，所述中心轴的中部设有换挡齿轮，所述中心轴的两端分别设置有中心轮；安装筒，套装在换挡齿轮的外侧，所述安装筒的两侧分别设有安装支架；调节踏板，用于与换挡齿轮配合实现对中心转轴的限位；中央行星架板，所述中央行星架板的内侧设有内行星架板，所述中央行星架板的外侧设有外行星架板。有益效果在于：采用翻转式行星轮结构的设计，配合离合器外壳和转换卡套实用，能够根据不同的实用需要利用换挡把手对婴儿车移动结构的档位进行调节，能够满足婴儿车的平面移动需求，同时在爬楼过程中进行自锁档位的调节，能够避免移动结构在爬楼过程中发生溜车的风险，提升婴儿车的使用安全性。
一种婴儿防倒溜移动结构

[发明专利]晶圆清洁装置-CN201910840186.4有效
发明人：朱焜;顾立勋;夏余平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆清洁装置，该晶圆清洁装置包括：晶圆放置机构，用于夹持晶圆的边缘并带动晶圆旋转；第一喷头，位于晶圆放置机构的一侧，用于向上喷射清洁剂至晶圆的背面；以及清洁刷和导轨，位于晶圆放置机构的一侧，清洁刷与导轨活动连接，清洁刷可相对导轨移动，用于清洁晶圆的背面。通过该晶圆清洁装置对晶圆背面进行清洗，可以使得晶圆背面的污染物同时受到清洁刷的剪切力与自身的重力影响，从而更加容易被移出晶圆背面，增强了清洁效果。
清洁装置

[实用新型]一种三辊闸机芯-CN202121033079.X有效
发明人：顾晓猛;罗哲;夏余平;梁许健 -专利权人：湖南科技学院
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： E06B11/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三辊闸机芯，包括:基座，所述基座上设置有通孔，所述通孔内安装有轴承，所述轴承上安装有转动轴，所述转动轴的一侧设置有驱动电机；所述驱动电机的输出轴上设置有主动带轮，所述转动轴上设置有从动带轮，所述主动带轮通过同步带驱动从动带轮转动；所述从动带轮的外侧设置有安装板，所述转动轴穿过安装板，所述转动轴的端部设置有限位轮，所述限位轮的左右两侧都设置有限位磁铁，所述限位磁铁连接有限位机构；所述限位轮一侧设置有限位传感器，所述从动带轮与转动轴之间设置有单向轴承。本实用新型无需行人推动才能通过，同时，由于单向轴承具有单向可超越性，行人推动闸杆即可快速通过，从而提高了闸机的同行效率。
一种三辊闸机芯

[发明专利]半导体湿法刻蚀装置和半导体设备-CN202111298903.9在审
发明人：祝君龙;夏余平;苏界;朱焜 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：该发明公开了一种半导体湿法刻蚀装置和半导体设备，所述半导体湿法刻蚀装置包括：内槽，所述内槽用于容纳刻蚀溶液以对晶圆进行刻蚀；外槽，所述外槽与所述内槽连通，以使所述外槽内的刻蚀溶液与所述内槽的刻蚀溶液循环流动；加热组件，所述加热组件用于对所述内槽内的刻蚀溶液进行加热，所述加热组件包括多个加热器，多个所述加热器沿上下方向分布以在上下方向上对所述内槽进行分区域温控。根据发明实施例的半导体湿法刻蚀装置能够通过温控的方式对刻蚀速率的上下差异进行分级补偿，以分区域调控对晶圆的刻蚀速率，提高刻蚀工艺中刻蚀速率的均一性。
半导体湿法刻蚀装置半导体设备

[发明专利]三维存储器及其形成方法-CN202111419741.X在审
发明人：朱焜;夏余平;罗佳明 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：该发明公开了一种三维存储器的形成方法和三维存储器，所述形成方法包括：提供一基底，基底自下而上依次包括第一衬底、底部氧化层、多晶硅层、顶部氧化层和叠层结构；于基底内形成共源极沟槽，共源极沟槽贯穿底部氧化层、多晶硅层、顶部氧化层和叠层结构，并向下延伸至第一衬底内；于共源极沟槽底部以形成填充层，填充层的上表面高于多晶硅层的上表面且低于顶部氧化层的上表面；于共源极沟槽内形成位于填充层表面的共源极结构；去除第一衬底和部分填充层以暴露底部氧化层；去除底部氧化层；于多晶硅层和填充层的表面形成半导体衬底。根据本发明实施例的形成方法能够防止导电层与共源极结构导通以提高三维存储器的性能。
三维存储器及其形成方法

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