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[实用新型]一种芯片封装结构-CN202121694440.3有效
发明人：郜振豪;杨清华;唐兆云;赖志国 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种芯片封装结构，包括：基板，基板的表面设置有第一互联线路；衬底，衬底位于基板的表面，衬底远离基板的表面设置有第二互联线路；倒装芯片，倒装芯片位于衬底远离基板的表面，倒装芯片邻近衬底的表面设置有导电连接部，导电连接部位于第二互联线路远离基板的表面；导电连接结构，导电连接结构的第一端与第一互联线路连接，导电连接结构的第二端与第二互联线路连接。本实用新型实施例提供的技术方案可以通过合理设置衬底的厚度范围达到缩小芯片封装结构的厚度的效果。
一种芯片封装结构

[发明专利]滤波器的制备方法、滤波器和双工器-CN202111139235.5在审
发明人：吴明;唐兆云;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种滤波器的制备方法、滤波器和双工器，通过在第一保护衬底的一侧和/或第二保护衬底的一侧形成至少一层谐振器层，以使第一保护衬底与第二保护衬底之间形成沿滤波器厚度方向设置的至少两层谐振器层，至少两层谐振器层中的相对应的设定膜层的厚度不同，设定膜层为下电极层、上电极层、压电层中的至少一者。本发明技术方案，使得通过控制不同谐振器层沉积的设定膜层的厚度即可实现对质量负载层厚度的控制，以及通过测量不同谐振器层的设定膜层的厚度来计算出厚度差即可测量出质量负载层的厚度，因此可以精确控制和测量质量负载层的厚度，有利于对谐振器层的精确调频，进而可以精确控制滤波器的频率。
滤波器制备方法双工器

[发明专利]谐振器封装结构及其制造方法-CN201911245326.X有效
发明人：王家友;唐滨;唐兆云;赖志国;杨清华 -专利权人：北京汉天下微电子有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种滤波器封装结构，包括：谐振空腔，位于衬底中；压电膜，位于衬底上并覆盖谐振空腔；焊垫，位于衬底上且连接压电膜；沉积或涂布工艺制备的封盖层，位于衬底之上并至少覆盖焊垫。依照本发明的滤波器封装结构，采用沉积工艺制备的盖层替代Si盖板而取消了Au‑Au键合，降低了成本，简化了工艺，提高了封装可靠性。
谐振器封装结构及其制造方法

[实用新型]一种滤波器及双工器-CN202121666383.8有效
发明人：蔡洵;杨清华;唐兆云;赖志国 -专利权人：绍兴汉天下微电子有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种滤波器，包括：串联路径、一条或多条并联支路、以及跨接电容；串联路径包括输入端口、输出端口、以及串联在该输入端口和输出端口之间的一个或多个串联谐振器；一条或多条并联支路并联在串联路径和地之间；跨接电容的一端连接在串联路径的第一节点上、另一端连接在其中一条并联支路的第二节点上；其中，与跨接电容连接的并联支路包括并联谐振器和电感，并联谐振器的一端连接在串联路径的第三节点上、另一端通过电感接地，第三节点和第一节点是串联路径上的不同节点，第二节点位于并联谐振器和电感之间。本实用新型还提供了一种双工器。实施本实用新型可以有效加强滤波器右侧近阻带抑制以及改善双工器接收频段的隔离度。
一种滤波器双工器

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202110714994.3在审
发明人：郜振豪;杨清华;唐兆云;赖志国 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体封装及其制造方法，包括：基板，包括围绕芯片安装区的多个阻挡结构；芯片，倒装焊接在芯片安装区上；第一密封剂，在芯片安装区上包覆芯片；第二密封剂，在基板上包覆第一密封剂。依照本发明的半导体封装及其制造方法，在基板上每个芯片周围采用阻挡结构防止湿气渗透、增强粘合力并同时防止密封剂溢流，从而有效地提高了封装的可靠性。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202110714998.1在审
发明人：郜振豪;杨清华;唐兆云;赖志国 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体封装及其制造方法，包括：基板，顶面具有多个基板焊盘；芯片，底面具有多个芯片焊盘；多个堆叠结构，每个堆叠结构包括凸块和焊球，分别将多个基板焊盘的一个与多个芯片焊盘的相对应一个电连接；多个第一柱体，在芯片底面的边缘处，与基板顶面上的多个对准标记或者多个第二柱体在竖直方向上对准；密封剂，包裹芯片、多个堆叠结构、多个第一柱体和/或多个第二柱体。依照本发明的半导体封装及其制造方法，在芯片底部设置定位柱体，与基板上的定位柱体结合使用，在回流焊接过程中有效地预防焊锡熔融过大，提高了焊接可靠性和对准精度。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装方法-CN202110781001.4在审
发明人：郜振豪;杨清华;唐兆云;赖志国 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种半导体封装方法，包括：提供基板，包括暴露在阻焊层外的至少一个芯片安装区和芯片安装区周围的多个焊盘区；在基板上贴合保护膜，覆盖至少一个芯片安装区、多个焊盘区和阻焊层；去除部分保护膜，暴露至少一个芯片安装区；在至少一个芯片安装区上涂覆粘结剂，放置芯片，并固化粘结剂；去除剩余的保护膜，暴露多个焊盘区；在多个焊盘区执行引线键合。依照本发明的半导体封装方法，在涂覆粘结剂之前贴合保护膜覆盖焊盘区，有效地避免粘结剂溢出到基板上的键合焊盘区，提高产品制程和良率。
半导体封装方法

[发明专利]声学谐振器及其制造方法以及包括该声学谐振器的滤波器-CN202110717075.1有效
发明人： 唐兆云;杨清华;赖志国 -专利权人：深圳汉天下微电子有限公司;苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本公开提供了声学谐振器及其制造方法以及包括该声学谐振器的滤波器。根据本公开的声学谐振器的制造方法包括：在衬底内部或表面上形成反射元件；在衬底上方沿竖直方向依次形成与反射元件交叠的下电极和压电层；在有效谐振区域的一端对压电层进行刻蚀以形成空隙；以及在压电层上方形成上电极和桥部，其中桥部覆盖空隙，下电极、压电层和上电极与反射元件交叠的区域构成有效谐振区域。根据本公开的声学谐振器及其制造方法，可以在不显著增加工艺复杂度的情况下在声学谐振器的有效谐振区域周围形成空隙以将谐振能量限制在有效谐振区域中，从而减少谐振能量的损失，提高声学谐振器的品质因数。
声学谐振器及其制造方法以及包括滤波器

[发明专利]用于双工器的封装基板和双工器-CN202110844363.3在审
发明人：王鑫;杨清华;唐兆云;赖志国 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于双工器的封装基板。双工器包括用于发射端的第一电感器和用于接收端的第二电感器。根据本公开的封装基板包括：用于形成第一电感器的第一子基板；用于形成第二电感器的第二子基板；以及用于支承第一子基板和第二子基板的支承子基板。根据本公开的实施方式，通过在不同的子基板上制造用于发射端的第一电感器和用于接收端的第二电感器，可以减小第一电感器和第二电感器之间的相互干扰，从而提高隔离度。
用于双工器封装

[发明专利]交叉耦合声学滤波器-CN202110835188.1在审
发明人：吴昊鹏;赖志国;杨清华;唐兆云;吴永乐;王卫民 -专利权人：北京中科汉天下电子技术有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种电容性交叉耦合声学滤波器，包括：串联主回路，在输入端子和输出端子之间，由m个第一声学谐振器串联构成；n个并联支路，一端连接至相邻的第一声学谐振器之间的m‑1个节点处和/或串联主回路首末端，另一端接地；n个并联支路依次编号，每个并联支路包括至少一个第二声学谐振器；至少2个耦合支路，连接n个并联支路的一端，第一端所连接的并联支路的编号与第二端所连接的并联支路的编号之间的差值大于等于2；至少一条耦合支路的的第一端连接在另一条耦合支路的第一端和第二端之间，且第二端连接在该另一条耦合支路的第一端和第二端之外。依照本发明的声学滤波器，增加额外的传输零点，通带两侧的抑制增加并且带内插损优化。
交叉耦合声学滤波器

[发明专利]滤波器及其制备方法、双工器-CN202110863077.1在审
发明人：吴明;王家友;王矿伟;杨清华;唐兆云;赖志国;李合景 -专利权人：绍兴汉天下微电子有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种滤波器及其制备方法、双工器，各谐振器层在衬底的一侧沿衬底厚度方向堆叠设置，各谐振器层形成垂直结构而非平铺结构，使得滤波器所占用平面的面积减小，提高滤波器的集成度，进而有利于实现包括本实施例的滤波器的通信系统的小型化。并且，本发明实施例的滤波器仅包括一个晶圆，进而使得滤波器中所需晶圆数量减少，有利于节约成本；且相邻谐振器层直接接触，因此直接在一谐振器层的一侧进行相邻谐振器层的沉积即可，无需采用键合工艺，使得滤波器的制备工艺也较为简化。
滤波器及其制备方法双工器

[发明专利]一种体声波滤波器、版图布局方法以及通信器件-CN202110801090.4在审
发明人：蔡洵;丁焱昆;杨清华;唐兆云;赖志国 -专利权人：绍兴汉天下微电子有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种体声波滤波器、版图布局方法以及通信器件。该体声波滤波器的版图布局方法包括：体声波滤波器包括多条串联支路和并联支路，串联支路包括串联连接的串联谐振单元，并联支路包括并联谐振单元，其特征在于，包括：控制第n条并联支路和第n+i条并联支路之间的布图距离，以使第n条并联支路和第n+i条并联支路之间的耦合电容小于预设电容值，其中，第n条并联支路和第n+i条并联支路与串联支路连接，n的取值包括大于或等于1的整数，i的取值包括大于或等于1的整数。本发明实施例提供的技术方案提高了体声波滤波器的传输零点的凹陷程度，增强了带外抑制性能。
一种声波滤波器版图布局方法以及通信器件

[发明专利]用于双工器的封装基板和双工器-CN202110844348.9在审
发明人：王鑫;杨清华;唐兆云;赖志国 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于双工器的封装基板。双工器包括用于发射端的第一电感器和用于接收端的第二电感器。根据本公开的封装基板包括：用于形成第一电感器和第二电感器的多个金属层；以及设置在多个金属层之间的多个介质层，其中，用于形成第一电感器的金属层和用于形成第二电感器的金属层之间的介质层的介质材料特性不同于用于形成第一电感器的金属层之间的介质层和用于形成第二电感器的金属层之间的介质层的介质材料特性。根据本公开的实施方式，通过叠加不同的介质材料来形成封装载板，可以减小用于发射端的第一电感器和用于接收端的第二电感器之间的相互干扰，从而提高隔离度。
用于双工器封装

[发明专利]一种体声波谐振器组件、制备方法以及通信器件-CN202110694766.4有效
发明人：丁焱昆;杨清华;唐兆云;赖志国 -专利权人：深圳汉天下微电子有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种体声波谐振器组件、制备方法以及通信器件。该体声波谐振器组件包括：基板；至少一个谐振单元，所述谐振单元位于所述基板的表面，所述谐振单元在垂直于所述基板的厚度方向上的尺寸小于所述谐振单元在平行于所述基板的厚度方向上的尺寸。本发明实施例提供的技术方案减小了体声波谐振器组件以及通信器件在垂直于基板厚度方向的尺寸。
一种声波谐振器组件制备方法以及通信器件

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN202110792961.0有效
发明人：王矿伟;杨清华;唐兆云;赖志国;吴明;王家友 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司;绍兴汉天下微电子有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体器件及其制作方法，该方法包括：在衬底上依次沉积第一掩膜层和第二掩膜层，对第一掩膜层和第二掩膜层进行刻蚀，形成暴露出衬底的凹槽，在凹槽暴露出的衬底以及第二掩膜层上形成金属层，并去除第一掩膜层、第二掩膜层以及第二掩膜层上的金属层，保留凹槽暴露出的衬底上的金属层。由于第一掩膜层和第二掩膜层是采用沉积工艺制作在衬底上的薄膜层，而并不是光刻胶层，因此，即便后续形成金属层的沉积工艺温度过高，也不会对第一掩膜层和第二掩膜层产生影响，即采用沉积工艺形成的第一掩膜层和第二掩膜层对金属层沉积温度要求不高，从而可以降低金属层的沉积难度。
一种半导体器件及其制作方法