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[发明专利]一种半导体封装结构以及半导体封装方法-CN202110483473.1有效
发明人：魏涛;唐兆云;赖志国;杨清华;王家友;王友良;钱盈;吴明 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装结构以及半导体封装方法。该半导体封装结构包括：N个垂直堆叠的半导体结构和N个相互绝缘的接地端，其中，N的取值包括大于或等于1的整数；半导体结构包括第一晶圆、待屏蔽元件和电磁屏蔽结构，电磁屏蔽结构包括第一电磁屏蔽结构；待屏蔽元件位于第一晶圆的第一表面；第一电磁屏蔽结构位于第一晶圆的第一表面，第一电磁屏蔽结构在第一晶圆的投影覆盖待屏蔽元件在第一晶圆的投影；第一电磁屏蔽结构与接地端电连接，不同第一电磁屏蔽结构与不同的接地端电连接。本发明实施例提供的技术方案在保证半导体封装结构高集成度的基础上，实现了一种电磁信号隔离度高的半导体封装结构。
一种半导体封装结构以及方法

[发明专利]射频模组及其制备方法-CN202110341325.6有效
发明人：唐滨;赖志国;唐兆云;刘海瑞;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频模组及其制备方法，射频模组包括沿射频模组厚度方向设置的至少两层衬底，相邻衬底具有间距并键合连接；衬底的第一表面、第二表面中的至少一者上设置有滤波器。射频模组中的滤波器在射频模组厚度方向上排布的垂直结构，而非平铺结构，使得射频模组所占用平面的面积会减小。射频模组中的各个滤波器均可将垂直结构的射频模组中最外侧的衬底作为盖板衬底，使得对于每个滤波器来说衬底数量可以减少，进而降低射频模组的成本，同时有利于减薄射频模组的厚度。另外，至少一个衬底的第一表面和第二表面均制备有滤波器，使得在同一衬底上可以设置两个滤波器，可以进一步减少衬底的数量，降低射频模组成本。
射频模组及其制备方法

[发明专利]滤波器及其制造方法-CN202111068413.X在审
发明人：吴明;唐兆云;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H03H9/56 文献下载
摘要：本公开提供了滤波器及其制造方法。根据本公开的滤波器包括：中心谐振器；以及围绕中心谐振器设置并且电连接到中心谐振器的至少一个环形谐振器，其中中心谐振器和至少一个环形谐振器均包括沿竖直方向依次设置的衬底、反射部件、下电极、压电层和上电极，并且其中上电极设置有用于减小与竖直方向垂直的水平方向上的机械波传播的微结构。根据本公开的滤波器及其制造方法，通过以嵌套的方式设置滤波器的多个谐振器，能够在不增加工艺复杂度的情况下提高滤波器的集成度并且减小滤波器的体积。此外，通过在滤波器的每个谐振器的上电极中设置微结构来减小横向机械波传播，能够少谐振能量的损失，从而提高声学谐振器的品质因数。
滤波器及其制造方法

[发明专利]谐振器及其制造方法-CN201910854492.3有效
发明人：王友良;唐滨;王家友;魏涛;赖志国;唐兆云;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种谐振器，包括：第一电极，位于基板上；压电层，位于第一电极上；第二电极，位于压电层上；框架图形，位于第二电极与压电层之间，其中第二电极在框架图形下方具有侧向突出部以围绕在框架图形与压电层之间的空气隙。依照本发明的谐振器，仅采用一次光刻‑蚀刻工艺、利用框架结构作为空气桥的掩模而侧向腐蚀，并利用上电极沉积的侧向填充能力形成有效框架结构，减少了与压电材料接触的工艺步骤，降低了对压电材料的损伤，提高了压电层表面洁净度，并解决了光刻对位偏移对于框架结构的影响。
谐振器及其制造方法

[发明专利]一种体声波谐振器纵波模式下材料参数的提取方法-CN201910716004.2有效
发明人：赖志国;唐兆云;蔡洵;吴昊鹏;杨清华;赖亚明;吴永乐;王卫民 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种体声波谐振器纵波模式下材料参数的提取方法，该提取方法包括：构建体声波谐振器的Mason模型；对Mason模型进行简化处理以得到体声波谐振器的SIR模型，SIR模型的谐振频率仅与体声波谐振器的材料参数和结构参数有关、且SIR模型的谐振频率与Mason模型的并联谐振频率相等；建立SIR模型的谐振频率与体声波谐振器的材料参数以及结构参数之间关系式；测量得到多个体声波谐振器的并联谐振频率以及结构参数；根据关系式、以及测量得到的并联谐振频率和结构参数拟合得到体声波谐振器的材料参数。实施本发明可以准确提取出体声波谐振器的材料参数，且操作简单、成本低廉。
一种声波谐振器纵波模式材料参数提取方法

[发明专利]空气隙及其形成方法、体声波谐振器及其制造方法-CN202110734836.4在审
发明人： 唐兆云;杨清华;赖志国 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提供了一种空气隙的形成方法，该形成方法包括：在一空间内填充第一收缩材料，所述第一收缩材料在特定条件下具有收缩性；对所述第一收缩材料进行特定条件处理使其体积收缩，从而在所述空间内形成空气隙。相应地，本发明还提供了一种空气隙结构、半导体器件及其制造方法、以及体声波谐振器及其制造方法。实施本发明有利于简化空气隙的形成工艺。
空气及其形成方法声波谐振器制造

[发明专利]一种晶圆级封装结构及其制造方法-CN202110349000.2有效
发明人：魏涛;杨清华;唐兆云;赖志国;王家友;钱盈;王友良;于保宁 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级封装结构的制造方法，包括：提供正面形成有第一半导体器件的器件晶圆和封帽晶圆；在器件晶圆和封帽晶圆的正面分别形成第一键合结构和第二键合结构，第一键合结构仅包括第一键合材料层第二键合结构仅包括第二键合材料层，或第一键合结构和第二键合结构均包括交替设置的第一键合材料层和第二键合材料层、但第一键合结构和第二键合结构的顶层是不同的键合材料层，第一键合材料层和第二键合材料层中一个材料是Cu或Cu合金另一个材料是Ni或Ni合金；对第一键合结构与第二键合结构进行键合；将第一半导体器件的电信号引出至基板。本发明还提供了一种晶圆级封装结构。实施本发明可以有效降低晶圆级封装结构的制造成本。
一种晶圆级封装结构及其制造方法

[发明专利]一种双工器、多工器及其制备方法、通信设备-CN202110231419.8在审
发明人：吴明;魏涛;唐兆云;赖志国;王家友;王矿伟;唐滨;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H03H9/72 文献下载
摘要：本发明涉及一种双工器、多工器及其制备方法、通信设备，所述双工器包括层叠设置的发射滤波器和接收滤波器，所述发射滤波器与所述接收滤波器相向设置；所述发射滤波器或接收滤波器包括中心谐振器以及嵌套所述中心谐振器的至少一个环形谐振器，所述中心谐振器与所述至少一个环形谐振器之间形成并联或串联的电连接关系。本发明提供的双工器中采用特殊结构的滤波器，该滤波器将多个谐振器采用嵌套的方式进行设置，相较于现有技术中相同数量的谐振器，所占用的面积降低，集成度较高，双工器的体积较小，且具有优异的器件性能。
一种双工器多工器及其制备方法通信设备

[发明专利]一种滤波器及其制备方法-CN202110193994.3在审
发明人：吴明;魏涛;唐兆云;赖志国;王家友;王矿伟;唐滨;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种滤波器及其制备方法，所述滤波器包括中心谐振器以及嵌套所述中心谐振器的至少一个环形谐振器，所述中心谐振器与所述至少一个环形谐振器之间形成并联或串联的电连接关系。本发明将多个谐振器采用嵌套的方式进行设置，提高了集成度，减小了滤波器的体积。同时，保证中心谐振器以及各个环形谐振器相互之间存在间隔，可以减少横向波的传递，有利于提高Q值，即提高滤波器的性能。
一种滤波器及其制备方法

[发明专利]双工器-CN202010470400.4有效
发明人：蔡洵;赖志国;唐兆云;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H04L5/14 文献下载
摘要：一种双工器，包括：发送滤波器，连接在公共端子和发送端子之间；接收滤波器，连接在公共端子和接收端子之间，其中发送滤波器和接收滤波器均包括多个声学谐振器和多个电感器组成的串并联网络，其中至少一个声学谐振器与至少两个并联支路串联，每个并联支路包含串联至地电势的至少一个声学谐振器和至少一个电感器，相邻并联支路之间串联至少一个声学谐振器；其中发送滤波器的至少两个相邻并联支路之间存在互感。依照本发明的双工器，利用相邻并联支路中串联电感之间的互感效应，有效地提升Rx频段隔离度，可以避免在双工器中使用较大电感器，便于提升双工器性能，实现双工器的小型化及芯片集成。
双工器

[实用新型]声学谐振器、包括其的滤波器和包括其的双工器和多工器-CN202121904631.8有效
发明人：赖志国;唐滨;刘海瑞;杨清华;唐兆云 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本公开提供了声学谐振器、包括其的滤波器和包括其的双工器和多工器。根据本公开的声学谐振器包括：衬底，在其内部或表面上设置有反射元件；以及压电叠层，其设置在衬底上方与反射元件交叠以构成有效谐振区域，压电叠层包括沿竖直方向依次设置的下电极、压电层和上电极，其中下电极和/或上电极的至少一个表面上设置有保护层。根据本公开的声学谐振器，通过在下电极和/或上电极的上表面和/或下表面上形成保护层，能够抑制声学谐振器中的电迁移问题，从而提高声学谐振器的可靠性。
声学谐振器包括滤波器双工器多工器

[发明专利]一种薄膜谐振器的晶圆级封装方法及结构-CN202110145337.1有效
发明人：钱盈;唐兆云;赖志国;杨清华;王家友 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜谐振器的晶圆级封装方法及结构。该方法包括：制备第一晶圆，第一晶圆具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第一晶圆的第一表面设置有至少一个薄膜谐振器单元和至少两个焊盘，焊盘和薄膜谐振器单元的电极电连接；制备第二晶圆，第二晶圆具有第三表面以及与第三表面相对的第四表面；将第一晶圆的第一表面放置在第二晶圆的第三表面侧；在第二晶圆形成沟槽，沟槽暴露焊盘的部分或者全部；在沟槽的底面和侧壁形成布线层，其中，布线层与焊盘电连接；沿沟槽，对第二晶圆和第一晶圆进行切割。本实施例提供的技术方案，提高了薄膜谐振器的封装方法的封装效率。
一种薄膜谐振器晶圆级封装方法结构

[实用新型]一种体声波谐振器以及通信器件-CN202122197818.5有效
发明人：唐滨;赖志国;杨清华;唐兆云 -专利权人：北京中科汉天下电子技术有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种体声波谐振器以及通信器件。该体声波谐振器包括：基底，所述基底的表面或者内部设置有声反射结构；支撑层，所述支撑层位于所述基底的表面，覆盖所述声反射结构；谐振单元，所述谐振单元包括依次叠层设置的底电极、压电层和顶电极，所述底电极包括N边形，所述N的取值大于或等于3，所述底电极至少有一个第一边，所述第一边在所述基底的投影位于所述声反射结构在所述基底的投影之内。本实用新型实施例提供的技术方案，提高了体声波谐振器的品质因数、机电耦合系数，并增强了其结构稳定性。
一种声波谐振器以及通信器件

[发明专利]滤波器的制备方法、滤波器-CN202110341609.5有效
发明人：吴明;唐兆云;王家友;赖志国;唐滨;王矿伟;刘海瑞;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种滤波器的制备方法、滤波器。滤波器的制备方法包括：提供衬底，所述衬底包括中心区和环绕所述中心区的边缘区；形成位于所述衬底中心区的至少两个薄膜谐振器单元；形成覆盖所述薄膜谐振器单元的空腔牺牲层；在所述空腔牺牲层远离所述衬底的表面生长形成封装层，所述封装层覆盖所述空腔牺牲层和所述衬底的边缘区；释放所述空腔牺牲层以形成空腔。本发明实施例能够节约滤波器生产时所需的材料，减少生产周期，节约成本。
滤波器制备方法

[实用新型]一种封装基板以及封装器件-CN202122047190.0有效
发明人：王鑫;赖志国;杨清华;唐兆云 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-08-28 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种封装基板，包括：基板本体，该基板本体包括顶金属布线层、至少一个中间金属布线层、底金属布线层、以及设置在各金属布线层之间的介电层，其中，所述顶金属布线层、至少一个中间金属布线层以及底金属布线层沿所述基板本体厚度方向从上至下排列；至少一个LC结构，该至少一个LC结构形成在所述基板本体内，每一所述LC结构均包括第一电感和电容，该第一电感和电容串联或并联连接。相应地，本实用新型还提供了一种封装器件。实施本实用新型有利于封装器件的小型化。
一种封装以及器件