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[发明专利]一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法-CN202310666626.5在审
发明人： 周芸福;黎微明;许允昕;郭云飞;许所昌 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本申请涉及一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法。其中处理设备包括反应室、加热装置和真空室。反应室内形成反应腔。加热装置包括加热室。加热室套设于反应室外。真空室内形成真空腔，反应室和加热装置设置于真空腔内。该结构的设置，实现了待反应物从传片到进入反应腔内始终保持真空状态，无需破真空，进而待反应物无需与大气接触，以使得待反应物之间气体流阻更加一致，能够有效提高待反应物之间的膜厚均匀性。同时，能够避免反应腔内待反应物在发生反应时，不会受到大气压强以及大气温度的干扰，以保证反应腔内气体的均匀性，使得待反应物之间气体流阻的一致性更好，进而待反应物之间的膜厚均匀性也更好。
一种处理设备半导体镀膜及其方法

[实用新型]排气机构及气体加工设备-CN202320554316.X有效
发明人：张蕴瑜;周芸福;王新征 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种排气机构，包括气箱、连接管路及排气组件，气箱用于包围预设位置，连接管路一端与所述气箱连接；排气组件与所述连接管路的另一端连接，以通过所述连接管路抽出所述气箱内的气体。通过设置上述的排气机构，气箱将容易泄漏危险气体的预设位置包围起来，以在预设位置发生泄漏时接收泄漏的气体，然后排气组件通过连接管路将气箱内的气体抽出，并将气体按要求排放。由于气箱只需要包围预设位置，气箱的体积较小，有效地增加了排气压力，从而确保气体通过连接管路及排气组件排出，避免气体泄漏至外界，确保安全性。本实用新型还涉及一种气体加工设备。
排气机构气体加工设备

[发明专利]一种半导体用加热设备、半导体镀膜设备以及加热方法-CN202310692615.4有效
发明人： 周芸福;黎微明;许允昕;许所昌 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体用加热设备、半导体镀膜设备以及加热方法，该半导体用加热设备包括加热室、第一加热件以及第二加热件，加热室内形成工作腔，第一加热件套设于加热室的外壁，且第一加热件呈带状，呈首尾相接绕设于加热室外壁；第二加热件设置于加热室的一端，第二加热件与第一加热件相邻设置；其中，第一加热件包括：第一导热层，包裹设置于加热室外壁；第二导热层，与第一导热层层叠设置；加热丝，夹设于第一导热层和第二导热层之间。本申请的半导体用加热设备通过第一加热件和第二加热件对加热室进行加热，提高加热室内的温度均匀性的同时，做到紧靠加热室，以最短距离进行加热，减少热量损失，提高加热效率。
一种半导体加热设备镀膜以及方法

[发明专利]喷淋板、反应腔室、使用气体的处理设备及基片处理方法-CN202310489360.1在审
发明人： 周芸福;郭云飞;王新征;许允昕;许所昌;周仁;黎微明;吴飚;侯彬 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种喷淋板、反应腔室、使用气体的处理设备以及基片的处理方法，淋板一面为平面、另一面为非平面，可使得本体中部区域的厚度大于两侧区域的厚度，这样气道可以设置在本体的不同厚度处，使得位于中部的气道至喷淋面的距离大于两侧区域气道至喷淋面的距离，这样中部区域的喷淋路径较两侧区域的喷淋路径更长，而喷淋面的中部面向待加工基片的中部区域，喷淋面的两侧区域面向待加工基片的两侧区域，从而，可以通过喷淋路径长度不同，改善进气腔体的混气二次分配的效果，提高混气效率和均匀性，有利于镀膜均匀性的改善。
喷淋反应使用气体处理设备方法

[发明专利]一种旋转镀膜设备-CN202110897117.4有效
发明人：侯永刚;王新征;龚炳建;周芸福;刘强;黎微明;李翔;周仁 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种旋转镀膜设备，包括：反应组件，包括反应腔体和进气盘，反应腔体具有反应腔，进气盘置于反应腔内，并用于向反应腔输送反应气体；调整组件，包括被构造为可受控移动的调整台；加热台，可转动地连接于调整台上，且位于反应腔内，加热台具有用于承载工件的承载位，且用于对承载于承载位上的工件进行加热；其中，调整台在受控移动的过程中能够带动承载位上的工件靠近或远离进气盘。上述旋转镀膜设备，通过工件在加热的同时也能够进行旋转，使得反应气体能够更加均匀地沉积在工件上。同时，工件与进气盘的距离还能够通过调整台进行调整，使得工件一直能够与进气盘保证一个适合反应的距离，工件沉积成膜的厚度均匀性更好。
一种旋转镀膜设备

[发明专利]一种反应设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法-CN202310689192.0在审
发明人： 周芸福;黎微明;许允昕;郭云飞;许所昌 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本申请涉及一种反应设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法。其中反应设备包括反应室、第一盖板、进气组件和匀流板。其中反应室内形成反应腔，用于承载待反应物，反应室包括相对设置的第一端和第二端。第一盖板盖设于第一端。进气组件设置于第一盖板，进气组件与反应腔连通。匀流板设置于第一盖板和反应室之间。第一盖板与匀流板的排列方向和待反应物的垂直轴线相互垂直，匀流板朝向第一盖板一侧壁面呈隆起设置，第一盖板朝向匀流板一侧壁面呈凹陷设置。该结构的设置使得反应源在进入反应室的过程中扩散更加均匀，以使得待反应物上的反应源的分布更均匀，进而待反应物之间的膜厚均匀性更好。
一种反应设备半导体镀膜及其方法

[发明专利]一种基片支撑结构及沉积设备、沉积方法-CN202310482908.X在审
发明人： 周芸福 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供基片支撑结构以及具有该基片支撑结构的沉积设备，对用于静电吸附的凸点布局设计，将三个杆孔以基座圆心为中心呈等边三角形排布，同时基座的圆心处设置一凸点，不在同一直线上的三个相邻凸点呈等边三角形排布，且两个相邻的凸点的连线与三个杆孔构成的等边三角形的一边平行，各相邻两凸点之间的间距相等，该布局下凸点呈三点支撑，使得基片局部变形小，同时在该整体布局下，吸附力更为均匀，可以克服高温过程中由于局部温差而导致的基片局部塌陷问题，提升基片加工良率。
一种支撑结构沉积设备方法

[发明专利]输送装置及自动输送系统-CN202211389712.8在审
发明人：许所昌;龚炳建;王新征;周芸福 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本申请涉及一种输送装置及自动输送系统，包括主体及旁通管，主图内部具有用于输送第一介质的输送通道，输送通道的出口与反应装置连通，旁通管与树洞通道连通且用于输送第二介质。其中，输送通道具有用于产生负压的第一功能段，旁通管与功能段连通，第二介质在功能段产生的负压作用下通过旁通管被吸入输送装置。如此，旁通管内的第二介质，在第一功能段产生的负压作用下，被自动且快速的吸入输送通道内并随第一介质一起从输送通道的出口进入反应装置内，以满足反应装置的后续工艺要求。
输送装置自动系统

[发明专利]半导体加工设备-CN202210444943.8在审
发明人：王新征;龚炳建;周仁;侯永刚;周芸福 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体加工设备，包括：反应腔模组，反应腔模组包括反应腔体和反应腔机架；气体传输模组，气体传输模组为至少一个，且气体传输模组与反应腔模组可拆卸连接；配电箱模组，配电箱模组为至少一个，且配电箱模组与气体传输模组和/或反应腔模组可拆卸连接。其将多个功能组件模块化，各模组之间可拆卸连接，拆卸和装配更加灵活，使得在不同的使用场景中，各模组可以根据使用需要进行不同组合，灵活性更好。同时，气体传输模组独立设置，并可以直接连接反应腔模组，降低了工艺气体传输管路的长度和复杂程度，传输管路得以缩短。并且，各模组直接连接，显著降低了设备的总体高度，增大了维护空间，降低了维护难度和维护成本。
半导体加工设备

[发明专利]半导体设备及反应腔-CN202210443035.7在审
发明人： 周芸福;周仁;黎微明;王新征 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备及其反应腔，反应腔包含腔体、盖体、气体传输装置、晶圆载盘，腔体包括底板，晶圆载盘和底板之间形成密封结构，密封结构包括：第一缓冲槽，所述第一缓冲槽开设于底板与晶圆载盘的周向拼接处；阶梯槽组，所述阶梯槽组开设于所述底板与所述晶圆载盘的周向拼接处，且沿反应气体的气流方向位于所述第一缓冲槽的下游，并与所述第一缓冲槽相连通；通气孔，所述通气孔与所述阶梯槽组相连通，且所述通气孔与惰性气体源相连通；排气槽，所述排气槽与所述阶梯槽组相连通。该反应腔解决了现有技术中存在的不同反应气体流出率难以控制的技术问题，提高了腔体对于不同反应气体的适应性，使加工设备能够适应不同的反应场景。
半导体设备反应

[实用新型]ALD喷淋组件及ALD镀膜设备-CN202120612864.4有效
发明人：黎微明;李翔;周芸福;王新征;许所昌 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种ALD喷淋组件，包括基板、盖板及第一进气件。盖板密封连接于基板且覆盖开口，待加工件放置于反应腔内，反应气体从第一进气孔进入进气腔后，进气腔会提供给反应气体一个缓冲空间，经过进气腔缓冲后的气体分布更加均匀。同时，从第一出气口排出的反应气体通过多个第一连通孔进入反应腔，进一步地提高了进入反应腔内的反应气体的均匀性，从而确保了反应腔内的反应气体与待加工件之间的接触更加均匀，使得最终反应气体在待加工件上生成的薄膜更加均匀，提高了薄膜的质量。本实用新型还涉及一种ALD镀膜设备。
ald 喷淋组件镀膜设备

[发明专利]工艺管道加热装置-CN202110545307.X在审
发明人：王新征;龚炳建;侯永刚;周芸福;黎微明;李翔 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种工艺管道加热装置，其包括真空腔体、加热器及工艺气氛管道，所述真空腔体包括相对的真空侧和大气侧，所述真空侧承受真空，所述大气侧承受标准大气压，所述加热器包括密封筒体和位于所述密封筒体内的发热元件，所述工艺气氛管道穿设于所述密封筒体，所述密封筒体的内壁和所述工艺气氛管道外壁之间为大气状态，所述密封筒体包括相对的真空端和密封端，所述真空端与所述密封筒体密封连接，所述密封端和所述真空腔体密封连接，防止发热元件材料污染真空腔体，改善镀膜质量，降低颗粒物生成的风险，防止堵塞工艺管道。
工艺管道加热装置

[发明专利]ALD喷淋组件及ALD镀膜设备-CN202110317891.3在审
发明人：黎微明;李翔;周芸福;王新征;许所昌 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种ALD喷淋组件，包括基板、盖板及第一进气件。盖板密封连接于基板且覆盖开口，待加工件放置于反应腔内，反应气体从第一进气孔进入进气腔后，进气腔会提供给反应气体一个缓冲空间，经过进气腔缓冲后的气体分布更加均匀。同时，从第一出气口排出的反应气体通过多个第一连通孔进入反应腔，进一步地提高了进入反应腔内的反应气体的均匀性，从而确保了反应腔内的反应气体与待加工件之间的接触更加均匀，使得最终反应气体在待加工件上生成的薄膜更加均匀，提高了薄膜的质量。本发明还涉及一种ALD镀膜设备。
ald 喷淋组件镀膜设备

[实用新型]晶圆真空传送机构-CN202022632399.9有效
发明人：侯永刚;刘强;黎微明;李翔;王新征;龚炳建;周芸福 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种晶圆真空传送机构，其包括传输腔体、门阀、长导向伸缩波纹管、机械手臂及驱动模组，所述传输腔体包括前后相对的前开口和后开口，所述门阀配置为工艺腔体和所述传输腔体的通断阀，所述波纹管连接所述传输腔体和所述驱动模组，所述机械手臂穿设于所述波纹管中，所述机械手臂的后端与所述驱动模组固定连接，所述机械手臂经过所述后开口伸入所述传输腔体，所述驱动模组配置为驱动所述波纹管伸缩及所述机械手臂经过所述前开口伸进与退出所述工艺腔体，机械手臂与波纹管同步运动，传输腔体内无摩擦，有效减少了对晶圆的颗粒污染。
真空传送机构

[实用新型]ALD镀膜反应腔-CN202021426558.3有效
发明人：王新征;周芸福;龚炳建 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2020-07-19 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种ALD镀膜反应腔，其包括内腔体及外腔体，所述内腔体容纳于所述外腔体中，所述内腔体连接一个第一抽真空口，所述外腔体连接一个第二抽真空口，所述第一抽真空口和所述第二抽真空口分别独立设置，并且延伸至所述外腔体的外侧，第一抽真空口和第二抽真空口分别独立控制内腔体、外腔体的压力，可以精确控制内腔体与外腔体的压差值，有利于控制反应过程。
ald 镀膜反应

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