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[发明专利]互连结构及其形成方法-CN202310322526.0在审
发明人： 周沛瑜;黄玉莲;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种互连结构及其形成方法，互连结构包括设置于介电材料中的第一导电特征、设置于介电材料上第一蚀刻终止层、设置于第一蚀刻终止层上的第一介电层、及延伸穿过第一介电层和第一蚀刻终止层并电性连接第一导电特征的第二导电特征。第一蚀刻终止层包括硼基层及富氧含硼层，其中硼基层接触富氧含硼层。
互连结构及其形成方法

[发明专利]半导体元件及其形成的方法-CN202310074037.8在审
发明人： 周沛瑜;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体元件及其形成的方法，尤其提供一种包含蚀刻停止层的半导体元件以及一种形成方法。半导体元件可以包含源极/漏极区域和栅极结构，其中第一蚀刻停止层在到源极/漏极区域的导电插塞上方，且第二蚀刻停止层在栅极结构上方。第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层可以具有不同的厚度。介电层可以形成于第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层上方，且可以穿过介电层以及第一和第二蚀刻停止层而形成接触。
半导体元件及其形成方法

[实用新型]一种空气分配器起动试验平台-CN202223612885.X有效
发明人：洪晓露;朱鸿磊;徐国辉;张将;周沛瑜;徐英;刘永强;彭银江;陈大辉;侯林冲 -专利权人：中国兵器科学研究院宁波分院
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01M15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种空气分配器起动试验平台，包括空气分配器本体；电机，与空气分配器本体的驱动轴通过万向联轴器相连；进气装置，与空气分配器本体的进气孔相连通；进气压力传感器，设置在空气分配器主体的进气孔处，且用于检测进气压力；出气压力传感器，设置在空气分配器本体出气通道的出气口处，且用于检测出气压力；转速传感器，用于检测驱动轴的转速；控制器，其第一输入端、第二输入端、第三输入端分别与进气压力传感器、出气压力传感器、转速传感器电连接，其第一输出端、第二输出端分别与进气装置、电机电连接。具有试验成本低、工作量小、效率高的优点。
一种空气分配器起动试验平台

[发明专利]半导体器件的电介质层及其形成方法-CN202210916209.7在审
发明人：黄玉莲;李资良;李志鸿;张祺澔;张澔宇;周沛瑜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的电介质层及其形成方法。公开了形成改进的电介质层的方法和由其形成的半导体器件。在一个实施例中，一种半导体器件包括：晶体管结构，位于半导体衬底上；第一电介质层，位于晶体管结构上；第二电介质层，位于第一电介质层上，第二电介质层具有的第二氮浓度大于第一电介质层的第一氮浓度；第一导电结构，延伸穿过第二电介质层和第一电介质层，第一导电结构电耦合到晶体管结构的第一源极/漏极区域，第一导电结构的顶表面与第二电介质层的顶表面齐平；以及第二导电结构，物理和电耦合到第一导电结构，第二导电结构的底表面在第二电介质层的顶表面下方第一距离处。
半导体器件电介质及其形成方法

[发明专利]一种空气分配器起动试验平台及试验方法-CN202211734032.5在审
发明人：洪晓露;朱鸿磊;徐国辉;张将;周沛瑜;徐英;刘永强;彭银江;陈大辉;侯林冲 -专利权人：中国兵器科学研究院宁波分院
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01M15/02 文献下载
摘要：本发明公开一种空气分配器起动试验平台，包括空气分配器本体；电机，与空气分配器本体的驱动轴通过万向联轴器相连；进气装置，与空气分配器本体的进气孔相连通；进气压力传感器，设置在空气分配器主体的进气孔处，且用于检测进气压力；出气压力传感器，设置在空气分配器本体出气通道的出气口处，且用于检测出气压力；转速传感器，用于检测驱动轴的转速；控制器，其第一输入端、第二输入端、第三输入端分别与进气压力传感器、出气压力传感器、转速传感器电连接，其第一输出端、第二输出端分别与进气装置、电机电连接。具有试验成本低、工作量小、效率高的优点。本发明还公开一种空气分配器起动试验的方法，同样具有试验成本低、工作量小、效率高的优点。
一种空气分配器起动试验平台方法

[发明专利]一种铝合金的制备方法-CN202211626360.3在审
发明人：陈大辉;禹烨;朱鸿磊;洪晓露;徐英;张将;彭银江;刘永强;周沛瑜;吴良玉;王雷;侯林冲;刘辰;任政 -专利权人：中国兵器科学研究院宁波分院
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝合金的制备方法，其特征在于：该铝合金的质量百分比组成为Mg：5.0～6.0wt％，Si：2.3～3.3wt％，Mn：0.5～0.8wt％，Ti：0.01～0.2wt％，Hf：0.1～0.3wt％，Fe≤0.15wt％，Cu≤0.03wt％，Zn≤0.07wt％，余量为Al及不可避免的杂质，其中Mg、Si的质量比满足：1.8～2.1。通过控制铝合金的成分以及制备方法，实现Mg2Si相的面积占比控制在6.0％～9.5％；MgO、Al2O3等夹杂物的含量控制在1％以下；α‑Al相的呈球状，平均晶粒尺寸≤45μm；Mg2Si相的层片间距≤3μm。最终实现铝合金压铸件具有优异的高强度、延伸率、疲劳强度等性能。
一种铝合金制备方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210781059.3在审
发明人： 周沛瑜;许家铭;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：方法包括在衬底上方形成栅极结构；邻近栅极结构形成源极/漏极区域；在源极/漏极区域上方形成第一层间电介质(ILD)；形成延伸穿过第一ILD的接触插塞，该接触插塞电接触源极/漏极区域；在接触插塞上形成硅化物层；形成在第一ILD和硅化物层上方延伸的第二ILD；蚀刻延伸穿过第二ILD和硅化物层的开口以暴露接触插塞，其中，硅化物层在开口的蚀刻期间用作蚀刻停止；以及在开口中形成电接触该接触插塞的导电部件。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]一种高温工况燃气机用铝活塞-CN202221499808.5有效
发明人：朱鸿磊;洪晓露;徐英;彭银江;刘永强;张将;周沛瑜;刘瑞英 -专利权人：中国兵器科学研究院宁波分院
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： F02F3/14 文献下载
摘要：一种高温工况燃气机用铝活塞，包括活塞本体，活塞本体的顶部设置有燃烧室，活塞本体的上部外壁上依次设有为三道环槽，其特征在于：所述活塞本体内、环槽与燃油室之间设有冷却油腔，活塞本体顶部和燃烧室内表面设有热防护涂层，活塞本体的裙部销座处设有铜衬套以及与冷却油腔连通的进油孔和出油孔。本实用新型结构设计合理，具有冷却效率高、成本低、使用寿命长的优点。
一种高温工况燃气机用铝活塞

[发明专利]一种车铣复合加工活塞的配套工装及其方法-CN202210719046.3在审
发明人：朱鸿磊;楼波;张将;刘永强;洪晓露;彭银江;周沛瑜;刘瑞英 -专利权人：中国兵器科学研究院宁波分院
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B23P23/02 文献下载
摘要：一种车铣复合加工活塞的配套工装及方法，步骤：止口座定位安装活塞工件，活塞顶部钻中心孔；顶尖顶紧中心孔，拉杆前进推动内腔定位块顶尖活塞内腔，取出销棒，主轴摆动至垂直位置，主轴转动，镗削活塞销孔，切挡圈槽和铣削裙部面窗；销孔插入销棒，拉杆后退拉紧销棒，顶尖回退，车轴转动，主轴保持垂直，车削活塞环槽和外圆；车轴转动，主轴摆动至水平位置，车削燃烧室；车轴锁定，主轴保持水平位置，主轴转动，铣气门坑。优点为：一次定位装夹工件可完成活塞关键部位的加工，且形位精度高；加工柔性化程度高，更换止口座和内腔定位块即可实现不同型号活塞的换产，换产周期短；操作简单，自动化程度高，加工效率高，具有高的实际使用和推广价值。
一种复合加工活塞配套工装及其方法

[实用新型]一种用于将盐芯切割为半环形的切割夹具-CN202220508247.4有效
发明人：徐英;朱鸿磊;周沛瑜;张将;俞骏侠;洪晓露;刘永强;陈大辉;彭银江 -专利权人：中国兵器科学研究院宁波分院
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： B22C23/00 文献下载
摘要：一种用于将盐芯切割为半环形的切割夹具，包括底座、盐芯放置单元和盐芯夹具单元，盐芯放置单元设置在底座上，盐芯夹具单元可上下调节地设置在底座上、位于盐芯放置单元正上方，盐芯放置单元上端面开设有放置槽和切割缝，底座上对应于切割缝的前后两侧设置有刀具定位座，盐芯夹具单元包括左夹持部和右夹持部，左夹持部和右夹持部以切割缝对称设置、并可一定距离左右调节，当左夹持部和右夹持部对合靠拢时，二者之间存在供切割刀具穿过的缝隙，该缝隙与切割缝对应，且在盐芯夹具单元的中部形成对待切割盐芯在竖直方向上进行限位的圆形缺口。本实用新型结构简单合理，切割准确高效，使得盐芯能切成相等的两半，确保了活塞两个内冷油腔冷却均匀。
一种用于将盐芯切割环形夹具

[实用新型]一种用于测量活塞梯形槽半斜角的检测装置-CN202220388447.0有效
发明人：徐英;朱鸿磊;周沛瑜;张将;俞骏侠;洪晓露;刘永强;李维杰;王雷;陈大辉 -专利权人：中国兵器科学研究院宁波分院
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01B5/24 文献下载
摘要：一种用于测量活塞梯形槽半斜角的检测装置，包括基座，基座上固定有直线导轨、进给块和检测块，直线导轨上方设有滑块，滑块上设有支撑活塞工件的止口盘，进给块和检测块分别设置在直线导轨的右、左侧，在进给块上安装有进给螺钉，进给螺钉左端与止口盘右端相抵，检测块上穿置有限位尺，限位尺右端与止口盘左端相抵，限位尺左端设有弹簧，使限位尺具有始终向右移动与止口盘相抵的趋势，在限位尺的左侧安装有用于测量限位尺水平位移量的百分表，在检测块上端安装有用于测量活塞工件在移动过程中竖直位移量的杠杆千分表。本实用新型结构合理，操作便捷，测量精度高，同时提高检测效率，误差小，成本低，具有很好的实际使用和推广价值。
一种用于测量活塞梯形斜角检测装置

[发明专利]一种用于测量活塞梯形槽半斜角的检测装置-CN202210175389.8在审
发明人：徐英;朱鸿磊;周沛瑜;张将;俞骏侠;洪晓露;刘永强;李维杰;王雷;陈大辉 -专利权人：中国兵器科学研究院宁波分院
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01B5/24 文献下载
摘要：一种用于测量活塞梯形槽半斜角的检测装置，包括基座，基座上固定有直线导轨、进给块和检测块，直线导轨上方设有滑块，滑块上设有支撑活塞工件的止口盘，进给块和检测块分别设置在直线导轨的右、左侧，在进给块上安装有进给螺钉，进给螺钉左端与止口盘右端相抵，检测块上穿置有限位尺，限位尺右端与止口盘左端相抵，限位尺左端设有弹簧，使限位尺具有始终向右移动与止口盘相抵的趋势，在限位尺的左侧安装有用于测量限位尺水平位移量的百分表，在检测块上端安装有用于测量活塞工件在移动过程中竖直位移量的杠杆千分表。本发明结构合理，操作便捷，测量精度高，同时提高检测效率，误差小，成本低，具有很好的实际使用和推广价值。
一种用于测量活塞梯形斜角检测装置

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110478868.2在审
发明人： 周沛瑜;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及制造半导体器件的方法。一种方法，包括：在半导体鳍上形成虚设栅极堆叠，在虚设栅极堆叠的侧壁上形成栅极间隔件，形成第一层间电介质，其中，栅极间隔件和虚设栅极堆叠位于第一层间电介质中，去除虚设栅极堆叠以在栅极间隔件之间形成沟槽，在沟槽中形成替换栅极堆叠，以及沉积电介质帽盖层。电介质帽盖层的底表面接触替换栅极堆叠的第一顶表面和第一层间电介质的第二顶表面。在电介质帽盖层之上沉积第二层间电介质。形成延伸到第二层间电介质、电介质帽盖层和第一层间电介质中的源极/漏极接触插塞。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件的接触插塞结构及其形成方法-CN202110481923.3在审
发明人： 周沛瑜;李志鸿;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件的接触插塞结构及其形成方法。提供了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括位于衬底之上的栅极堆叠。第一电介质层位于栅极堆叠之上。第一电介质层包括第一材料。第二电介质层位于第一电介质层之上。第二电介质层包括与第一材料不同的第二材料。第一导电特征与栅极堆叠相邻。第二导电特征位于第一导电特征的最上表面之上并与该最上表面在物理上接触。第二导电特征的最下表面与第二电介质层的最上表面在物理上接触。
半导体器件接触结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202010825708.6在审
发明人：王朝勋;李振铭;赵高毅;王美匀;周沛瑜;陈国儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括：源极/漏极部件，设置于半导体层中、金属栅极堆叠，设置于第一层间介电层中并邻近源极/漏极部件、第二层间介电层，设置于金属栅极堆叠上方、以及源极/漏极接触件，设置于源极/漏极部件上方。所述半导体结构还包括气隙，设置于源极/漏极接触件的底部的侧壁与第一层间介电层之间，其中源极/漏极接触件的顶部的侧壁与第二层间介电层直接接触。
半导体结构

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