专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种呼吸机面罩-CN202320136145.9有效
  • 朱柠;周代兵 - 复旦大学附属华山医院
  • 2023-02-07 - 2023-04-11 - A61M16/06
  • 本实用新型公开了一种呼吸机面罩,包括进气管道,所述进气管道的一端设置有固定装置,所述固定装置包括罩体,所述罩体的一侧所述罩体的一侧与进气管道的一端固定连接,所述罩体的一侧边缘处固定连接有橡胶软垫,所述罩体的底部固定连接有辅助块,所述罩体的一侧设置有便捷饮水装置,本实用新型通过设置罩体,在橡胶软垫的作用下,罩体的一侧能够贴合人的面部,罩体与面部会形成一个相对封闭的空间,能够在不降低氧浓度和氧流量的前提下,提高了舒适度,不会存在鼻部干燥的问题,进而防止鼻粘膜出血造成堵塞鼻孔,影响呼吸的问题,消除了此类的安全隐患,实用性能较高。
  • 一种呼吸面罩
  • [发明专利]天然气流场测试系统-CN201910690214.9有效
  • 陈荟宇;孔波;宋彬;李万俊;刘丁发;周代兵;张强;周刚;夏寿华;倪锐 - 中国石油天然气股份有限公司
  • 2019-07-29 - 2022-11-04 - G01M9/06
  • 本发明公开了一种天然气流场测试系统,包括:测试管道、加注装置和测试舱,测试管道包括相连通的测试区段和非测试区段,测试舱位于测试区段,加注装置位于非测试区段,测试区段为透光区段,加注装置包括:混合腔、加注管、加注喷头、驱动组件和控制器,加注管为可伸缩管,加注管的另一端位于非测试区段,加注喷头可转动地安装在加注管的另一端;驱动组件用于驱动加注管伸缩和驱动加注喷头转动;控制器用于控制驱动组件驱动加注管和加注喷头中的至少一个动作,测试舱上的透明视窗与测试区段相对,测试舱用于对测试区段进行粒子成像测速和激光多普勒测速。本发明能确保混合气体能充分地分散到测试管道内各处,提高流场测试结果的准确性。
  • 天然气流测试系统
  • [发明专利]可调谐电吸收调制激光器及其制备方法-CN202210670789.6在审
  • 周代兵;安欣;贺卫利;梁松;赵玲娟;王圩 - 中国科学院半导体研究所
  • 2022-06-14 - 2022-09-13 - H01S5/06
  • 本发明提供了一种可调谐电吸收调制激光器,包括:位于同一衬底、等高且依次贴合的第一调制器区、第一前光栅区、第一增益区、第一相位区、后光栅区、第二相位区、第二增益区、第二前光栅区和第二调制器区,其中,第一增益区和第二增益区,按照预设顺序均包括第一下波导层、第一有源层和第一上波导层,第一下波导层形成于衬底上;第一调制器区和第二调制器区,按照预设顺序均包括第二下波导层、第二有源层和第二上波导层,第二下波导层形成于衬底上;第一前光栅区、第二前光栅区、后光栅区、第一相位区和第二相位区,均包括无源层,无源层形成于衬底上,第一前光栅区、第二前光栅区和后光栅区在无源层上形成有光栅结构,光栅结构包括取样光栅。
  • 调谐吸收调制激光器及其制备方法
  • [发明专利]电吸收调制激光器各功能区电隔离的实现方法-CN202011542714.7有效
  • 周代兵;梁松;赵玲娟;王圩 - 中国科学院半导体研究所
  • 2020-12-23 - 2022-09-13 - H01S5/042
  • 本发明公开了一种电吸收调制激光器各功能区电隔离的实现方法,包括:在衬底表面上依次生长缓冲层和有源层,其中,有源层包括第一有源层和作为激光器区有源层的第二有源层;刻蚀掉第一有源层,并对接生长调制器区有源层;在作为激光器区有源层的第二有源层上制作光栅;在调制器区有源层上和作为激光器区有源层的第二有源层上依次生长包层和接触层,并利用包层和接触层制作脊型波导;刻蚀掉脊型波导两侧的调制器区有源层,得到刻蚀后剩余的调制器区有源层;刻蚀掉调制器区和激光器区之间的接触层,并进行氦离子注入,形成电隔离沟;制作调制器区和激光器区的P型电极,以及对衬底背面进行减薄后制作N型电极。
  • 吸收调制激光器功能隔离实现方法
  • [发明专利]电吸收调制激光器的制作方法-CN202011542742.9有效
  • 周代兵;梁松;赵玲娟;王圩 - 中国科学院半导体研究所
  • 2020-12-23 - 2022-03-11 - H01S5/068
  • 本发明提供了一种电吸收调制激光器的制作方法,包括:在同一衬底上依次生长缓冲层和有源层,有源层包括第一有源层、作为激光器区有源层的第二有源层和作为波长稳定区有源层的第三有源层;刻蚀掉第一有源层,并对接生长调制器区有源层;在作为激光器区有源层的第二有源层内制作光栅;在调制器区有源层上、作为激光器区有源层的第二有源层上和作为波长稳定区有源层的第三有源层上依次生长包层和接触层;刻蚀部分包层和接触层制作脊型波导;刻蚀掉调制器区与激光器区之间、激光器区与波长稳定区之间的接触层,并注入氦离子形成电隔离沟;制作调制器区、激光器区和波长稳定器区的P型电极;对衬底进行背面减薄,并在衬底背面制作大面积N型电极。
  • 吸收调制激光器制作方法
  • [发明专利]集成器件及其制备方法-CN202111450832.X在审
  • 周代兵;梁松;赵玲娟;王圩 - 中国科学院半导体研究所
  • 2021-11-30 - 2022-03-04 - H01S5/026
  • 本发明提供了一种集成器件及其制备方法,集成器件包括:衬底;调制器区和激光器区,调制器区和激光器区形成在衬底的同一表面并相邻设置;其中,调制器区上设有深脊波导,激光器区上设有浅脊波导;过渡区,形成于调制器区和激光器区之间并与调制器区和激光器区接触;过渡区的宽度沿激光器区指向调制器区方向上逐渐变小,以用于导引激光器区发射的激光进入调制器区。本发明通过激光器和调制器之间采用锥形结构过渡,实现了电吸收调制器的深脊波导用来降低电容,又满足了激光器区的浅脊波导保证激光器的性能,同时过渡区的锥形结构,降低了激光器和调制器的损耗,进而达到了高速率分布反馈激光器与电吸收调制器的单片集成。
  • 集成器件及其制备方法
  • [发明专利]一种反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法-CN202111035728.4在审
  • 周代兵;赵玲娟;梁松;王圩 - 中国科学院半导体研究所
  • 2021-09-03 - 2021-12-03 - C23C14/35
  • 本公开提供了一种反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法,包括:S1,将多个半导体激光器放置于真空环境中,并对多个半导体激光器的衬底进行加热处理后保持恒温;S2,采用磁控溅射设备在预置参数下对经过S1步骤处理后的每个半导体激光器的两端腔面上分别生长增透膜和高反膜,增透膜为氮化硅层,高反膜由二氧化硅层和氮化硅层交替生长形成;其中,预置参数包括单材料硅靶源的溅射功率为50W~200W,氮化硅层的生长条件:氮气流量为5sccm~200sccm、压强为0.05Pa~10.00Pa,二氧化硅层的生长条件:氧气流量为5sccm~200sccm、压强为0.05Pa~10.00Pa;通过调节氮气流量的大小以使生成不同折射率的氮化硅层,得到反射率可调节的增透膜和高反膜。
  • 一种反射率调节半导体激光器面膜制备方法

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