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[发明专利]一种水热法制备电子自旋共振标准物的方法-CN201210039105.9无效
发明人：罗林保;揭建胜;聂彪;吴春艳;王莉 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种水热法制备电子自旋共振标准物的方法，是将碲的化合物、还原剂和表面活性剂置于聚四氟乙烯反应釜中，加入去离子水，搅拌混合均匀，在密闭条件下于135-145℃反应110-180分钟，反应结束后降至室温，依次经离心、洗涤和干燥后得到电子自旋共振标准物。本发明制备的标准物的电子自旋共振谱中对应的g值是确定的，因此可用来作为未知物g值的的标定；另外，这种方法制备的碲纳米晶含有的固定的自由基浓度，这两个特点令利用到这种合成技术制备的标准物可以用于电子自旋共振的定量分析。
一种法制电子自旋共振标准方法

[发明专利]一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法-CN201210011537.9无效
发明人：罗林保;揭建胜;聂彪;吴春艳;于永强 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是以硅片为基底，将硅片表面清洗后取出晾干即为样品A，在样品A的表面旋涂光刻胶，烘干光刻胶层；按硅微/纳米线阵列的图形形式制接触式掩模板，利用该掩模板对光刻胶层进行曝光获得样品B，取下样品B在显影液中经4-6分钟显影洗去被曝光的光刻胶得样品C；在样品C的表面镀厚度为20～50纳米的金膜得到样品D；将样品D置于丙酮中去光刻胶及其上的金，保留与金接触的硅片即为样品E；将样品E浸入在刻蚀液中进行金催化化学刻蚀，在完成刻蚀后即得硅微/纳米线阵列。本发明用以获得可控直径、长度、晶向的匀质硅单晶微/纳米线阵列，使其能够在器件中得到实际应用。
一种尺寸可控纳米阵列制备方法

[发明专利]实现与p型ZnS准一维纳米材料欧姆接触的电极及其制备方法-CN201010592449.3无效
发明人：于永强;蒋阳;揭建胜;吴春艳;王莉;朱志峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现与p型ZnS准一维纳米材料欧姆接触的电极及其制备方法，其特征是电极是以Cu膜和A膜构成的Cu/A复合电极，其中A膜为Au膜、Ni膜或Pt膜，复合电极中与p型ZnS材料相接触的是Cu膜，外层为A膜。通过电子束蒸发的方式首先在p型ZnS材料上形成Cu膜，再在Cu膜的表面形成A膜。本发明方法解决了金属电极与p型ZnS准一维纳米材料直接形成欧姆接触的问题，可用于p型ZnS准一维纳米材料相关器件制备与研究，电极制备方法简单，可靠，易于操作。
实现 zns 准一维纳米材料欧姆接触电极及其制备方法

[实用新型]一种风电安装船桩腿锁紧装置-CN201120371976.1有效
发明人：唐文献;马宝;庄宏;李钦奉;吴春艳 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： E02B17/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种风电安装船桩腿锁紧装置，包括一与固定安装在所述风电安装船桩腿上的齿条相啮合的锁紧齿条，上基座，上楔块，四组螺旋移动装置，第一油缸，第二油缸，油缸安装座，第三油缸，下基座，下楔块，其中所述第二油缸一端安装在油缸安装座上，另一端与锁紧齿条相连接；所述上基座设有上T型轨道，所述第一油缸一端安装在油缸安装座上，另一端连接上楔块；所述下基座设有下T型轨道，所述第三油缸一端安装在油缸安装座上，另一端连接下楔块；所述螺旋移动装置为前后和上下对称安置在上楔块和下楔块一侧的支座中。本实用新型具有自锁性，而且结构简单、操作方便，工作效率高；可以避免累积齿距的误差影响。
一种风电安装船桩腿锁紧装置

[发明专利]软体土壤原位小扰动土壤样品采集器-CN201110374242.3无效
发明人： 吴春艳;唐旭;刘玉学;廖敏;陈义 -专利权人：浙江省农业科学院
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01N1/08 文献下载
摘要：本发明公开了软土原位小扰动土壤样品采集器，属于土壤实验工具技术领域。该采集器由T字型手柄(1)、三向阀门(2)、刻线(3)及下端无底、上端有顶层密封的圆筒型钻筒(4)组成；由于本发明在采集器上设置有三向阀门，可使采集器在按压取样过程中筒内的气体能顺利排出，当被贯入至预定深度后将三向阀门关闭，土样又被牢牢吸附在筒体内，当再次打开阀门时，土样凭借自身重力即能自行滑出筒体外。该装置有效解决了土壤水分处于饱和状态软土土壤常规土样采集的难题。本发明可在各类软土地区推广应用。
软体土壤原位扰动样品采集

[发明专利]一种缓冲式土壤气体取样装置-CN201110159118.5无效
发明人：陈义;吴春艳;唐旭;杨生茂 -专利权人：浙江省农业科学院
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G01N1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种缓冲式土壤气体取样装置，属于土壤实验装置技术领域。该装置由注射器，阀门，抽气口，抽气导管，箱体，气囊，水封槽，基座组成。由于其在箱体上增设了气囊，故在整个贮存、取样过程中箱体内外的气压通过气囊缓冲调节后始终保持平衡状态，防止了箱体向外或向内的漏气，保持了箱体内贮存气体的质量；同时也克服了土壤气体自然释放受抑制的难题，提高了对土壤释放气体测定数据的可靠性。本装置设计合理，操作简单，成本低廉，可广泛用于农田、裸地、草原等温室气体排放的收集作业。
一种缓冲土壤气体取样装置

[发明专利]金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法-CN201110197871.3无效
发明人： 吴春艳;揭建胜;王莉;于永强;胡治中;张梓晗;周国方 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法，是通过一次紫外光刻的方法在半导体纳米线上制备两对金属薄膜电极，其中一对金属薄膜电极通过所述半导体纳米线连通，与半导体纳米线呈欧姆接触；对另一对金属薄膜电极施加交流电场，金属纳米线被吸附到施加交流电场的金属薄膜电极对上，所述金属纳米线与所述半导体纳米线相交呈肖特基接触，形成金属/半导体纳米线交叉结构异质结。本发明制备方法简单易行，稳定可靠，可以应用到各种纳米尺寸的包括肖特基二极管或以金属纳米线作为栅极的金属-半导体场效应管在内的电子元件、光学元件中如纳米光电探测器、气体传感器、太阳能电池等。
金属半导体纳米交叉结构异质结制备方法

[发明专利]一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法-CN201110048502.8无效
发明人：揭建胜;王莉;于永强;吴春艳;彭强;卢敏;任勇斌 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法，是在水平管式炉中进行化学气相沉积方法，在1000-1100℃蒸发IIB-VIB族材料，在保温过程中引入硅烷，或同时引入III族或V族气态掺杂元素，由于硅与IIB-VIB族材料互溶性小，其通常生长在IIB-VIB族纳米结构的表面，形成IIB-VIB(核)-Si(壳)结构。而掺杂元素的引入使得Si(壳)与IIB-VIB(核)具有互补的掺杂类型，构成高质量纳米p-n结，即可一步法实现Si/IIB-VIB纳米p-n结的生长。另一方面，由于Si作为外包裹材料的径向生长限制作用，内核IIB-VIB纳米线的直径可以限制在10纳米以内，所以这种方法也可作为生长具有量子效应的小尺寸IIB-VIB纳米结构的方法。
一种一步法合成 si iib vib 半导体纳米方法

[发明专利]利用化学气相沉积原位掺杂制备p型IIB-VIA族准一维半导体纳米材料的方法-CN201110087016.7无效
发明人：揭建胜;张希威;彭强;王莉;于永强;吴春艳;朱志峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用化学气相沉积原位掺杂制备p型IIB-VIA族准一维半导体纳米材料的方法，包括蒸发、冷却和退火，首先将纯度≥99.9％的IIB-VIA族材料置于水平管式炉的中部，将纯度≥99.9％的VA族掺杂元素置于水平管式炉的前部，金膜厚度为1-100nm的蒸金硅片置于水平管式炉的后部，引入氩氢保护气并使炉内压力保持在5000-20000Pa，升温至700-1100℃并保温1-2小时后降至室温，然后在氩气气氛下退火即得p型掺杂IIB-VIA族准一维纳米材料。本方法工艺简单，可控性高，可用于合成大量均匀的p型掺杂IIB-VIA族纳米材料，为IIB-VIA族纳米光电子器件应用奠定了重要的基础。
利用化学沉积原位掺杂制备 iib via 族准一维半导体纳米材料方法

[发明专利]ZnSe纳米光电探测器及其制备方法-CN201110065092.8无效
发明人：王莉;揭建胜;吴春艳;于永强;卢敏;谢超;郭慧尔;任勇斌 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnSe纳米光电探测器及其制备方法，探测器的结构层自下而上依次为绝缘衬底、感光层和电极，其特征是感光层为n-型掺杂的ZnSe纳米线。本发明采用化学气相沉积法合成制备n型掺杂ZnSe纳米线，在合成过程中通过原位掺杂实现n型掺杂，以及利用光刻、电子束和脉冲激光沉积工艺制备源漏电极，从而制得ZnSe纳米光电探测器。本发明探测器中感光层采用n-型掺杂的ZnSe纳米线，能有效增强纳米光电探测器的电信号，提高其开关比；其制备方法简单，能使ZnSe纳米线平行排布，从而增加感光面积，进一步提高电信号。
znse 纳米光电探测器及其制备方法

[实用新型]一种便携式土壤耕层取样器-CN201020678723.4无效
发明人：陈义;吴春艳;唐旭 -专利权人：浙江省农业科学院
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： G01N1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便携式土壤耕层取样器，属于土壤实验工具技术领域。该取样器由扶手、钻杆、T字型滑杆、压板、钻筒、钻头、刻度及踏板组成。由于在取样器钻杆上设置有刻度，便于采样者了解所取土样土壤的耕层厚度；在钻杆与钻筒垂直连接处的外侧面设置有踏板，能将取样器轻松按压至所需的深度；设置有T字型滑杆能在完成取样后，仅需用脚压踏T字型滑杆即可将土样从钻筒内完整取出；该装置具有良好的减粘、降阻、脱土等功能，提高工时、工效几十倍。可在有关土壤取样领域中推广应用。
一种便携式土壤取样

[实用新型]一种微区可控纳米功能材料合成加热装置-CN200820211463.2无效
发明人：揭建胜;胡治中;吴春艳;王莉;于永强 -专利权人：揭建胜
申请日： 2008-12-22 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种微区可控纳米功能材料合成加热装置，解决了现有纳米功能材料合成设备存在的体积庞大、耗能、耗时、合成方法单一且可控性差的问题。本实用新型包括矩形盒体和盒盖，盒体相对应的两侧壁上分别设有进气接口和出气接口，另两侧壁上分别设有电线接口；盒体内由下至上依次设有冷却水管、散热基座、工作台、接线台、下平板和上平板，工作台中部设有上大下小的阶梯形孔，接线台上设有接线头和探针。本实用新型体积小，体积为240dm³，便于移动；抽真空耗时缩短至5-15分钟，升温与冷却时间高度可控，可在2-10分钟内完成整个升降温过程；可以在已做好外电路的硅衬底上制备纳米结构；可在同一衬底上集成多种纳米结构；水、电、气消耗减少至原先的5-10％。
一种可控纳米功能材料合成加热装置

[实用新型]一种超低功耗远程电子温度测量仪-CN200820173553.7无效
发明人：王凤瑛;郭银景;郝建军;颜斌;王立奎;吴春艳;李国伟 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： G01K1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种超低功耗电子温度测试测量仪，包括主控芯片，特征是所述主控芯片能够通过移动通信网络传递现场监控温度信息。诸如主控芯片连接温度传感器及手机模块。本实用新型可以将所测得现场的温度值通过现成的移动通信网络，实时地发送给想查看温度的手机用户。用户也可以使用手机查询，只要移动通信网络覆盖到的地方，就可以随时随地查看系统所测量的温度。
一种功耗远程电子温度测量仪

[发明专利]一种微区可控纳米功能材料合成加热装置-CN200810246105.X无效
发明人：揭建胜;胡治中;吴春艳;王莉;于永强 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2008-12-22 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微区可控纳米功能材料合成加热装置，解决了现有纳米功能材料合成设备存在的体积庞大、耗能、耗时、合成方法单一且可控性差的问题。本发明包括矩形盒体和盒盖，盒体相对应的两侧壁上分别设有进气接口和出气接口，另两侧壁上分别设有电线接口；盒体内由下至上依次设有冷却水管、散热基座、工作台、接线台、下平板和上平板，工作台中部设有上大下小的阶梯形孔，接线台上设有接线头和探针。本发明体积小，体积为240dm³，便于移动；抽真空耗时缩短至5-15分钟，升温与冷却时间高度可控，可在2-10分钟内完成整个升降温过程；可以在已做好外电路的硅衬底上制备纳米结构；可在同一衬底上集成多种纳米结构；水、电、气消耗减少至原先的5-10％。
一种可控纳米功能材料合成加热装置

[实用新型]限流断路器的暂稳态触头机构-CN200620125994.0无效
发明人：刘国兴;吴春艳;刘德英;马云龙 -专利权人： TCL低压电器(无锡)有限公司
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01H73/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种限流断路器的暂稳态触头机构，包括一对固定触头及在其上各自具有一个固定触点；一个旋转动触头，具有一个中心孔；一对固定在旋转动触头上动触点；一个旋转主轴，具有接纳旋转动触头的喇叭形支座；一个第一销；一个第二销；一个扭转弹簧，被第二销穿过，其一端固定在旋转动触头成一定角度的斜面上，另一端钩在上述第一销上。
限流断路器稳态机构