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[发明专利]一种热敏免处理的平版印刷版用的多功能保护材料组合物及其应用-CN202010342527.8有效
发明人：肖时卓;周树云;李娜;吴文垚;邹应全 -专利权人：浙江乾景新材料有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B41N3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种热敏免处理的平版印刷版用的多功能保护材料组合物，所述多功能保护材料组合物中包含热聚合液和显色液，所述热聚合液与显色液的质量比为50:1‑1:50；所述热聚合液中，按重量份计，包含40‑90份水溶性树脂、10‑60份亲水性交联剂、1‑30份产酸剂；所述显色液中，包含染料前体悬浮液和显色剂悬浮液。该多功能保护材料组合物可作为热敏免处理的平版印刷版材料中最上层的保护层使用，使得平板印刷版材料在曝光后可视反差清晰，且不褪色。本发明还公开了该组合物的应用。
一种热敏处理平版印刷多功能保护材料组合及其应用

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制备方法-CN202111351366.X有效
发明人：杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括半导体晶圆、正面金属层和第一背金层，在通孔中填充设置有导电导热层，导电导热层至少延伸至通孔的孔口处，用于封堵住通孔的孔口，以阻挡焊料进入到通孔内，避免了在焊接过程中和后续使用过程中焊料侵蚀背部通孔侧壁金属和正面金属，进而避免了焊料侵蚀通孔侧壁背金导致通孔电阻增大的问题，也防止了焊料穿过通孔到达第一表面，提高了芯片的可靠性，同时由于导电导热层填充在通孔内，避免通孔处于中空状态，提高背部通孔的导电、导热能力。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种空气场板结构及其制作方法-CN202111351570.1有效
发明人：杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请提供了一种空气场板结构及其制作方法，涉及半导体制造技术领域。该空气场板结构包括本体层，本体层设置有凹槽结构；隔离层，位于凹槽结构内与凹槽结构外，隔离层包括位于凹槽结构内的第一隔离层与位于凹槽结构外的第二隔离层，第一隔离层与第二隔离层连续，且第一隔离层与本体层连接，第二隔离层与本体层间隔设置；电极金属层，位于第一隔离层与第二隔离层的一侧。本申请提供的空气场板结构及其制作方法具有能够提升器件的性能和可靠性的优点。
一种空气板结及其制作方法

[发明专利]一种电极结构及其制作方法-CN202111351576.9有效
发明人：杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请提供了一种电极结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。该电极结构包括基板，位于基板一侧的第一介质层与接触金属层，其中，第一介质层环绕接触金属层，位于接触金属层一侧的第一阻挡金属层，位于第一阻挡金属层一侧的互连金属层。本申请提供的电极结构及其制作方法，能够用于制作金属结构平坦、可靠性更好的电极结构。
一种电极结构及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202111344792.0有效
发明人：杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括晶圆本体、导电金属层、背金导电层和金属遮挡层，通过设置金属遮挡层，并在通孔的孔口处形成遮挡结构，能够在芯片焊接或者使用时有效地防止焊料进入到通孔内部，也避免了焊料扩散穿过背金导电层到达第一表面，保证了背金导电层的完整性，进而保证了器件的可靠性。同时，本发明避免了焊料侵蚀通孔侧壁的背金导电层，从而避免了焊料与背金导电层互溶导致的电阻增大现象，也避免了焊料和通孔侧壁基材热膨胀系数差异大导致的芯片机械性能变差的问题。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111336210.4有效
发明人：杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本发明的半导体器件包括基底结构，基底结构具有相对的第一表面和第二表面，第一表面上设有功能结构，第二表面上设有条形凹槽，条形凹槽的延伸方向具有第一端部和第二端部，第一端部在第二表面的投影位于第二表面的内部，第二端部在第二表面的投影位于第二表面的边缘，条形凹槽的深度由第一端部向第二端部逐渐增加。本发明提供的半导体器件，通过条形凹槽使第二表面和焊料表面之间的气泡自动排出，制造工艺简单、成本较低，封装后第二表面与焊料之间的空洞减少、变小，保证了封装的可靠性。同时，焊料填充在条形凹槽中，也可以提高半导体器件焊接的力学稳定性。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制备方法-CN202111399766.8有效
发明人：杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件具有相对的第一表面和第二表面，通过在半导体圆片的第一表面设置正面金属层，在半导体圆片的第二表面设置贯通至正面金属层的通孔，在通孔的侧壁和第二表面设置有背面金属层，背面金属层通过通孔与正面金属层实现电学连接，焊料阻挡层设置在背面金属层的表面，并容置在通孔内，且焊料阻挡层受限于通孔的孔口，以阻挡进入通孔的焊料与背面金属层直接接触，从而避免了焊料侵入背面金属层和正面金属层，提升了芯片的可靠性和性能。同时，焊料阻挡层受限于通孔的孔口，使得焊料阻挡层不会增加通孔的接地串联电阻，不会影响芯片的性能。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111351375.9在审
发明人：杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本发明的半导体器件，包括衬底，以及设置于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和位于有源区外围的无源区；有源区包括:源极、栅极、漏极，无源区设置有栅极焊盘、漏极焊盘和温度监控焊盘，栅极与栅极焊盘连接，漏极与漏极焊盘连接，还包括设置在温度监控焊盘和源极之间的温度传感器，温度监控焊盘用于连接温度监控电路。本发明提供的半导体器件及其制备方法，能够使得温度传感器的温度变化与半导体器件结温同步，实现准确的温度监控。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN202111052909.8有效
发明人：林坤;杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、位于衬底上的半导体叠层、位于半导体叠层上且间隔排布的源极欧姆金属和漏极欧姆金属、与源极欧姆金属接触连接的源极互连金属、与漏极欧姆金属接触连接的漏极互连金属、位于源极互连金属与漏极互连金属之间且与半导体叠层接触连接的栅极金属，以及位于半导体叠层上且与源极互连金属形成金属互连的源场板；其中，源场板位于源极互连金属和漏极互连金属之间，源场板至漏极欧姆金属的距离小于源场板至漏极互连金属的距离。该半导体器件能够在不额外增加器件面积的条件下减小源极和漏极之间的寄生电容，从而提高器件的漏极效率。
半导体器件

[发明专利]一种抑制熔融硅液面振动的石英坩埚及其制备方法-CN201710394434.8在审
发明人：向真雄;吴文垚;司继成 -专利权人：德令哈晶辉石英材料有限公司
申请日： 2017-05-29 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：一种抑制熔融硅液面振动的石英坩埚，其壁部和弯曲部的内表面在垂直方向和水平方向分布有微凹槽，微凹槽的宽度为0～500μm，微凹槽的深度为0～500μm；垂直方向微凹槽之间的间隔为5～20mm，水平方向微凹槽之间的间隔为0.1～5mm；凹槽的横截面为半圆形、矩形或半椭圆形中的任意一种；所述的微凹槽形成方法为在坩埚制备的高温熔制工艺结束后，用二氧化碳气体激光器发射激光束对坩埚内表面特定区域加热使部分区域二氧化硅升华来形成凹槽；或者用钻石钻头在水冷的条件下对表面的特定区域加工形成凹槽；或者用氢氧焰对表面的特定区域局部加热使部分区域二氧化硅升华来形成凹槽；或者用加热到高温的等离子气体对表面的特定区域加热形成凹槽。此坩埚能够有效地保证拉晶工序的顺利进行，并提高成晶率。
一种抑制熔融液面振动石英坩埚及其制备方法

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