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[发明专利]防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置、防护膜组件的制造方法及半导体装置的制造方法-CN202180009908.7在审
发明人：大久保敦;高村一夫;石川比佐子;小野阳介;藤井泰久;吉川弥;松本信子;出口朋枝 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2021-02-16 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法以及防护膜组件的制造方法，所述防护膜包含碳纳米管，所述碳纳米管至少在表面层侧含有碳的至少一部分被硅取代的碳化硅层。
防护组件曝光原版装置制造方法半导体

[发明专利]防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法-CN201780035395.0在审
发明人：大久保敦;小野阳介;高村一夫;藤井泰久;吉川弥 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明提供尘埃等的附着降低了的EUV用防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。本发明提供防护膜组件的制造方法，在基板(200)上形成防护膜(202)，在上述基板的与形成有上述防护膜的面相反侧的面上形成金属的掩模(204)，从上述金属掩模侧除去上述基板的一部分，除去上述金属掩模。根据本发明的一个实施方式，本发明能够提供尘埃等的附着降低了的EUV用防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。
防护膜组件防护膜基板框体金属掩模制造附着掩模金属

[发明专利]等离子体处理装置及方法-CN201180032082.2有效
发明人：松本直树;吉川弥;濑尾康弘;加藤和行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置及方法。利用分流器（44）将自共用气体源（41）供给的共用气体分支成两个系统，将分支成两个系统的共用气体导入至设于处理容器（2）的电介质窗（16）的中央的中央导入口58（55）和在基板（W）的上方沿周向排列的多个周边导入口（62）。将添加气体添加至分支成两个系统的共用气体之中的任一系统的共用气体。自基板（W）的下方的排气口（11a）对被导入至处理容器（2）内的共用气体和添加气体进行排气，将处理容器（2）内减压至规定的压力。使用具有多个缝隙（21）的缝隙天线（20）将微波导入至处理容器（2）内，多个周边导入口（62）所设置的区域的电子温度比中央导入口（58、55）所设置的区域的电子温度低。
等离子体处理装置方法

[发明专利]天线、电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201210235937.8有效
发明人：松本直树;吉川弥;吉川润;茂山和基;石桥清隆;森田治;谷川雄洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够改善基板表面处理量的面内均匀性的天线、电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理方法。该天线具备电介质窗（16）和设置于电介质窗（16）一个表面上的槽板（20）。电介质窗（16）的另一个表面具有：平坦面（146），其被环状的第一凹部包围；和第二凹部（153），其以包围平坦面（146）的重心位置的方式在平坦面（146）内形成多个。当从与槽板的主表面垂直的方向观看时，各个第二凹部（153）的重心位置重叠位于槽板（20）中的各个槽（133）内。
天线电介质等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置用电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理装置用电介质窗的安装方法-CN201180013454.7无效
发明人： 吉川弥;松本直树;吉川润 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-24 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在等离子体处理装置用电介质窗（41）中，在生成等离子体的一侧的面的径向外侧区域，设置有排列成环状、向电介质窗（41）的板厚方向内侧凹入成锥形状的第一电介质窗凹部（47）。在第一电介质窗凹部（47）的径向内侧区域，设置有从生成等离子体的一侧的面朝向电介质窗（41）的板厚方向内侧凹入的多个第二电介质窗凹部（53a～53g）。多个第二电介质窗凹部（53a～53g），以电介质窗（41）的径向的中心（56）为中心具有旋转对称性地分别在周向上隔开间隔地配置。
等离子体处理装置用电介质安装方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201210125069.8有效
发明人：茂山和基;石桥清隆;森田治;谷川雄洋;松本直树;三原直辉;吉川弥 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子处理装置，其具备：处理容器；工作台；电介质部件；导入微波的单元；喷射器；和电场屏蔽部。处理容器在其内部划分形成处理空间。工作台设置在处理容器内。电介质部件面对工作台设置。导入微波的单元经由电介质部件将微波导入处理空间内。喷射器为电介质制，具有一个以上的贯通孔。喷射器例如由松散电介质材料构成。该喷射器配置在电介质部件的内部。喷射器与形成在电介质部件上的贯通孔一起划分形成用于向处理空间供给处理气体的路径。电场屏蔽部覆盖喷射器的周围。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201210082584.2无效
发明人：吉川润;松本直树;三原直辉;吉川弥;吉村正太;高桥和树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够降低被处理基体的中央部分的处理速度。一个实施方式的等离子体处理装置包括：处理容器、气体供给部、微波发生器、天线、同轴波导管、保持部、电介质窗以及电介质棒。气体供给部向处理容器内供给处理气体。微波发生器发生微波。天线将等离子体激励用的微波导入处理容器内。同轴波导管设置于微波发生器与天线之间。保持部用来保持被处理基体，在同轴波导管的中心轴线延伸的方向上与天线相对配置。电介质窗设置于天线与保持部之间，且使来自天线的微波透射到处理容器内。电介质棒在保持部与电介质窗之间的区域沿着同轴波导管的中心轴线设置。
等离子体处理装置

[发明专利]试样台和微波等离子体处理装置-CN201080047610.7有效
发明人： 吉川弥;茂山和基;冈山信幸;周藤贤治;大塚康弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供试样台和微波等离子体处理装置。试样台通过利用研磨加工使接触面具有平滑性并将接触面设成大致凹形状，能够稳定地保持半导体晶圆，微波等离子体处理装置具有该试样台。对要实施等离子体处理的半导体晶圆(W)进行保持的试样台(2)包括：吸附板，其具有被实施研磨加工的、与半导体晶圆面接触的接触面，并对与该接触面面接触的半导体晶圆进行吸附；支承基板，其具有与该吸附板的非接触面相粘接的凹面，上述凹面的大致中央部的深度同上述凹面的从该中央部远离的远离部位的深度之差大于上述吸附板的与该中央部接触的部位的厚度同上述吸附板的与上述远离部位接触的部位的厚度之差。另外，微波等离子体处理装置具有试样台。
试样微波等离子体处理装置

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