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[发明专利]一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法-CN202011397875.1有效
发明人：高东岳;张大华;叶枫叶;骆健 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件设计技术领域，具体涉及一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法，该方法依次制备了N型增强层、P型体区、N+区、介质层、发射极、P型集电区和集电极，制备出P型体区的底部和侧面为N型增强层的N‑P‑N结构，且P型体区底部和侧面的N型增强层不相连。本发明制备的低导通压降平面栅IGBT具有击穿电压高，反向传输电容低和导通压降较低的优点。
一种低导通压降平面 igbt 制备方法

[发明专利]一种PN结制备方法、半导体器件的制作方法-CN202310209451.5在审
发明人：高东岳;张大华;叶枫叶;周东海;钱培华 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了半导体功率器件领域的一种PN结制备方法、半导体器件的制作方法，旨在解决现有工艺制成的PN结漏电流偏大的技术问题。其包括在N型衬底表面生长牺牲氧化层；向含牺牲氧化层面的N型衬底注入P型杂质，并在氮气气氛中推进P型杂质形成PN结；腐蚀去掉N型衬底表面的牺牲氧化层，并在PN结的上表面生长氧化层；本发明方法制成的PN结可解决现有工艺制成PN结漏电流一致性差的问题。
一种 pn 制备方法半导体器件制作方法

[发明专利]一种沟槽型IGBT终端及其制造方法-CN202211382652.7在审
发明人：冯会会;李宇柱;郑婷婷;张大华;周东海;叶枫叶;严毅琳;史志扬;高晋文;杨阳 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型IGBT终端及其制造方法，本发明在相邻场限环之间、主结区和第一个场限环之间设置场限环沟槽，利用器件耐压时自然产生的高电位，在场限环沟槽附近引入电子聚集，从而对前一个场限环横向耗尽做截止，可在保证耐压要求的同时有效缩短环与环之间的间距，从而减少IGBT终端面积。
一种沟槽 igbt 终端及其制造方法

[发明专利]一种全封闭式IGBT沟槽栅结构-CN201911043146.3有效
发明人：郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城;叶枫叶;黄全全 -专利权人：国电南瑞科技股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种全封闭式IGBT沟槽栅结构，包括若干个排布的元胞区，元胞区包括两条相邻的有源沟槽，两条相邻的有源沟槽两端分别通过有源沟槽桥连形成第一封闭结构，第一封闭结构内具有两条相邻的虚拟沟槽，两条相邻的虚拟沟槽两端分别通过虚拟沟槽桥连形成第二封闭结构，第二封闭结构内形成浮空P阱区，将有源沟槽和虚拟沟槽分别设置为封闭结构，避免了单个尖端结构导致的电场集中问题，优化器件的性能，同时将虚拟沟槽设置为封闭结构，实现了虚拟沟槽内部浮空区的绝对浮空，增大了浮空区的空穴沿沟槽方向移动并从发射极排出的难度，使发射极与浮空区之间的电阻无穷大，抑制了浮空区电势因空穴排出而升高，避免引起输出曲线振荡，抑制IGBT的EMI噪声。
一种封闭式 igbt 沟槽结构

[发明专利]一种漏电低的功率器件保护环结构及其制备方法-CN202210866289.X在审
发明人：高东岳;叶枫叶;张大华 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种漏电低的功率器件保护环结构及其制备方法，N型保护环和P型保护环固定设置在N型漂移区正面，N型保护环位于P型保护环左侧，N型保护环和P型保护环之间有间距；将N型衬底作为N型漂移区；在N型漂移区正面进行光刻，形成N型保护环；向N型保护环中注入N型保护环杂质；在N型漂移区正面进行光刻，形成P型保护环；向P型保护环中注入P型杂质并在设定的温度范围内推进。本发明采用P型场限环和N型场限环相结合的结构，P型保护环上面的场板采用多晶硅和金属相结合的台阶形场板结构。
一种漏电功率器件保护环结构及其制备方法

[发明专利]一种快恢复二极管结构及其制备方法-CN202210870462.3在审
发明人：高东岳;叶枫叶 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管结构及其制备方法，阳极区（2）和电阻区（3）均固定设置在N型漂移区（1）正面，阳极区（2）位于电阻区（3）左侧，多个电阻区（3）间隔分布，在N型漂移区（1）正面进行光刻形成阳极区（2）和电阻区（3），向阳极区（2）和电阻区（3）注入P型杂质进行杂质掺杂。采用本发明方法制备快恢复二极管结构，电阻区采用间隔开的多个注入条设计，与阳极区一起注入和推进，实现低电阻的同时减少了工艺步骤和时间，解决了现有技术工艺步骤多和工艺时间长的问题。
一种恢复二极管结构及其制备方法

[发明专利]一种IGBT栅极总线结构-CN202010557347.1有效
发明人：郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城;叶枫叶 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT栅极总线结构，包括衬底，沿衬底上表面一端从外到内依次设置的场氧化层和栅极多晶硅，场氧化层和栅极多晶硅之间留有空隙；还包括介质层，介质层覆盖于衬底的整个上表面以及场氧化层和栅极多晶硅的上表面，栅极多晶硅上表面的介质层内开设有栅极接触孔；使得栅极多晶硅的上表面避免出现台阶和不平整，当在栅极多晶硅上表面的介质层内刻蚀栅极接触孔时，不再受栅极多晶硅上表面不平整的影响，能够刻蚀出完整的栅极接触孔。
一种 igbt 栅极总线结构

[发明专利]一种低损耗IGBT芯片集电极结构及其制备方法-CN202111190246.6在审
发明人：张大华;高东岳;骆健;董长城;冯会会;叶枫叶;周东海 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损耗IGBT芯片集电极结构及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域。所述制备方法包括：在IGBT芯片的空间电荷区外的场截止层区域注入氢离子或氦离子，对所述氢离子或氦离子进行退火处理，形成空穴复合层。所述低损耗IGBT芯片集电极结构包括阳极、场截止层和空穴复合层。本发明可实现在降低器件关断损耗的同时，保证器件的漏电、导通压降和短路安全工作区。
一种损耗 igbt 芯片集电极结构及其制备方法

[实用新型]一种IGBT沟槽栅排布结构-CN202023214251.X有效
发明人： 叶枫叶;李宇柱;郑婷婷;李伟邦;骆健;董长城 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体器件技术领域的一种IGBT沟槽栅排布结构，旨在解决现有技术中输入电容和米勒电容较小，沟道电流分布不均导致小电流开通过程中发生栅极振荡的技术问题。在衬底的一个表面上依次设置有介质层和发射极金属；在衬底朝向介质层的表面上设置若干个有源沟槽栅和虚拟沟槽栅，且在相邻两个虚拟沟槽栅之间连续设置两个有源沟槽栅；在相邻两个有源沟槽栅之间依次设有P+接触区、P型阱区和N型CS层，P+接触区位于介质层一侧；在有源沟槽栅和虚拟沟槽栅之间依次设有N+发射区、P型阱区和N型CS层，N+发射区位于介质层一侧；每个P+接触区和每个N+发射区分别通过设置在介质层上的与P+接触区和N+发射区一一对应的接触窗口与发射极金属导通。
一种 igbt 沟槽排布结构

[发明专利]一种IGBT沟槽栅排布结构-CN202011578704.9在审
发明人： 叶枫叶;李宇柱;郑婷婷;李伟邦;骆健;董长城 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件技术领域的一种IGBT沟槽栅排布结构，旨在解决现有技术中输入电容和米勒电容较小，沟道电流分布不均导致小电流开通过程中发生栅极振荡的技术问题。在衬底的一个表面上依次设置有介质层和发射极金属；在衬底朝向介质层的表面上设置若干个有源沟槽栅和虚拟沟槽栅，且在相邻两个虚拟沟槽栅之间连续设置两个有源沟槽栅；在相邻两个有源沟槽栅之间依次设有P+接触区、P型阱区和N型CS层，P+接触区位于介质层一侧；在有源沟槽栅和虚拟沟槽栅之间依次设有N+发射区、P型阱区和N型CS层，N+发射区位于介质层一侧；每个P+接触区和每个N+发射区分别通过设置在介质层上的与P+接触区和N+发射区一一对应的接触窗口与发射极金属导通。
一种 igbt 沟槽排布结构

[发明专利]一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构-CN202010557333.X在审
发明人：郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城;叶枫叶 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构，包括衬底，衬底的上表面上开设有交替平行排列的至少一条有源沟槽和至少两条虚拟沟槽；衬底上表面的一端设有栅极总线多晶硅；衬底上表面上设有多晶硅桥；介质层覆盖于衬底的整个上表面以及栅极总线多晶硅和多晶硅桥的上表面；多晶硅桥上表面的介质层内设有接触窗口；接触窗口远离栅极总线多晶硅的一端与虚拟沟槽靠近栅极总线多晶硅的一端之间的距离L20；由于多晶硅桥上表面较平整，使得在其上表面的介质层内刻蚀接触窗口时不会受到凹凸不平的虚拟沟槽多晶硅的影响，能够刻蚀出完整的接触窗口，另外接触窗口避开了虚拟沟槽的末端，使得刻蚀接触窗口时不会出现破坏虚拟沟槽结构的情况。
一种沟槽 igbt 芯片有源边缘结构

[发明专利]一种IGBT沟槽栅末端结构-CN201911043605.8在审
发明人：郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城;叶枫叶;黄全全 -专利权人：国电南瑞科技股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT沟槽栅末端结构，包括衬底、虚拟沟槽区、多晶硅块、介质层、接触窗口、发射极金属层。虚拟沟槽区设于衬底端面上，虚拟沟槽区包括两条以上相互平行的虚拟沟槽，虚拟沟槽内填充有多晶硅，多晶硅块设于衬底端面上，用于并联虚拟沟槽区内的虚拟沟槽，介质层覆设于衬底端面上，且多晶硅块位于衬底与介质层之间，接触窗口贯穿介质层并延伸至多晶硅块上，接触窗口中填充有导体，发射极金属层覆设于介质层外表面，并通过接触窗口中的导体使得位于介质层上方的发射极金属层和介质层下方的多晶硅块及虚拟沟槽相连。由于采用添加多晶硅块并直接在多晶硅块上方开接触窗口保证了足够的接触面积，使得电场更加分散，增加了门极击穿电压。
一种 igbt 沟槽末端结构

[发明专利]阴极界面修饰材料、太阳能电池及其制作方法与应用-CN201710325830.5在审
发明人：刘继翀;陈琪;叶枫叶;唐峰;陈立桅 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C08G61/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种阴极界面修饰材料、太阳能电池及其制作方法与应用。所述阴极界面修饰材料包括PFN和/或PFN衍生物。所述有机薄膜太阳能电池包括沿设定方向依次设置的顶电极层、阴极界面修饰层、光吸收活性层、空穴传输层以及底电极，所述阴极界面修饰层包括所述阴极界面修饰材料。本发明提供的阴极界面修饰材料，采用带有永久电偶极矩的PFN对有机薄膜太阳能电池的阴极进行界面修饰，即插入合适的电子传输层，能有效增强内建电场，从而改善载流子传输并减小复合损失，可以降低阴极功函数，降低电子注入势垒，提高电子注入效率，从而极大提高器件的发光效率、寿命和稳定性，进而提升电池效率。
修饰材料阴极界面有机薄膜太阳能电池阴极界面修饰层阴极太阳能电池电子注入势垒电子注入效率光吸收活性层永久电偶极矩电子传输层空穴传输层载流子传输电池效率顶电极层发光效率复合损失界面修饰内建电场依次设置底电极功函数减小制作应用

[发明专利]层状结构的钛铁钴酸钆铋陶瓷材料及其制备方法-CN201210382068.1有效
发明人：陆亚林;孙书杰;凌意翰;彭冉冉;叶枫叶;陈小兵 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有层状结构的钛铁钴酸钆铋陶瓷材料，以钆离子代替部分铋离子，以钴离子代替部分铁离子，得到Bi7-xGdxFe1.5Co1.5Ti3O21层状Aurivillius型多铁氧化物陶瓷。本发明所述陶瓷材料，一方面由于铁钴原子结构相近，部分钴离子替换部分铁离子的位置后，Fe-O八面体和Co-O八面体排列相对较为有序，局部可以产生Fe-O-Co之间的耦合，从而能够改善陶瓷材料的铁电性和铁磁性；另一方面由于以部分具有磁性的钆离子替换部分铋离子，不仅有效的降低了漏电流，提高了陶瓷材料的铁电性，而且由于局部存在Gd-O-Co/Fe之间的耦合，使得陶瓷材料的铁磁性增强。
层状结构钛铁钴酸钆铋陶瓷材料及其制备方法

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