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[发明专利]半导体装置和电源转换装置-CN201910615173.7有效
发明人： 古川智康;守田俊章;川濑大助;田畑利仁 -专利权人：株式会社日立功率半导体
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置和电源转换装置，该半导体装置具有包含化学镀Ni层的电极，且化学镀Ni层中裂纹的产生少，可靠性高。半导体装置的特征在于，具备半导体元件和形成于前述半导体元件的第一表面的第一电极，前述第一电极为包含第一化学镀Ni层的层叠结构，前述第一化学镀Ni层含有Ni(镍)和P(磷)作为组成，前述第一化学镀Ni层的P(磷)浓度为2.5wt％以上6wt％以下，且前述第一化学镀Ni层中的Ni3P的结晶化率为0％以上20％以下。
半导体装置电源转换

[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置、半导体模块以及电力转换装置-CN202180070859.8在审
发明人： 古川智康;森塚翼 -专利权人：株式会社日立功率半导体
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供能够改善可使用大口径(8英寸以上)晶圆的IGBT及PIN二极管等立式半导体装置的场截止层(n缓冲层)的制造性的半导体装置以及使用该半导体装置的电力转换装置。本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具有：在形成第一导电型的漂移层(101)的主面侧的图案后，从第二主面侧照射离子至规定的深度的工序；在照射离子后，通过以300℃～450℃加热60秒以下的退火处理使离子供体化而形成场截止层(108)的工序；从第二主面侧将半导体基板的厚度降低至规定的值以便去除在照射离子的工序中产生的晶体缺陷的工序。
半导体装置制造方法模块以及电力转换

[发明专利]半导体装置以及功率变换装置-CN201980006058.8有效
发明人：三好智之;森睦宏;古川智康;竹内悠次郎;白石正树 -专利权人：株式会社日立功率半导体
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在功率变换装置中使用的电流切换用的半导体装置中，同时实现低的导通损失和低的切换损失。半导体装置(100)包括：IGBT(51)，仅具有Gc栅极(92)，p型集电极层(4A)的杂质浓度被设定得高；以及IGBT(52)，具有Gs栅极(91)和Gc栅极(92)，p型集电极层(4B)的杂质浓度被设定得低。并且，在使半导体装置(100)成为截止的情况下，从对Gs栅极(91)、Gc栅极(92)都施加小于阈值电压的电压的状态，先于Gs栅极(91)而对Gc栅极施加阈值电压以上的电压。
半导体装置以及功率变换

[发明专利]半导体装置-CN201880035215.3有效
发明人：三好智之;森睦宏;竹内悠次郎;古川智康 -专利权人：株式会社日立功率半导体
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供同时实现低导通损失和低开关损失的IGBT和应用其的电力变换装置。特征在于具备：半导体基板；第1导电类型的半导体层；第2导电类型的阱区域；第1栅电极及第2栅电极，隔着栅极绝缘膜而与所述半导体层及所述阱区域相接，夹着所述阱区域相互相邻地形成；第1导电类型的发射极区域；第2导电类型的供电区域；发射极电极；第2导电类型的集电极层；以及集电极电极，其中，所述第1栅电极及所述第2栅电极的间隔比与和各自相邻的其它栅电极之间的间隔窄，所述第1栅电极及所述第2栅电极各自与开关栅极布线或载流子控制栅极布线中的某一方电连接，与所述载流子控制栅极布线连接的栅电极的数量比与所述开关栅极布线连接的栅电极的数量多。
半导体装置

[发明专利]半导体装置和电力变换装置-CN201780083838.3有效
发明人： 古川智康;白石正树;守田俊章 -专利权人：株式会社日立功率半导体
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其在将作为导电部件的金属板烧结接合在IGBT那样的具有栅极构造的半导体芯片上时，即使在烧结接合过程中进行加压，也难以在半导体芯片的栅极配线部产生过剩的应力，从而减少了特性不良。本发明的半导体装置的特征在于，具备以IGBT为代表的具有栅极构造的半导体芯片(105)，并具有在半导体芯片表面形成的第一栅极配线(206)和第二栅极配线(202)，并且具有以覆盖第一栅极配线的方式配置的发射极电极(205)和在发射极电极上方配置的烧结层，在半导体芯片表面，在包含发射极电极连接触点(506)以及栅极配线区域(503、504)的整个范围内连续存在至少包含发射极电极和烧结层而成的多层构造。
半导体装置电力变换

[发明专利]半导体装置以及电力转换装置-CN202080061875.6在审
发明人： 古川智康;白石正树;渡边聪;三好智之;竹内悠次郎 -专利权人：株式会社日立功率半导体
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制由制造时的形状偏差、杂质偏差引起的IGBT单元间的电场偏差所导致的局部的电流电场集中、芯片终端部的电流集中的切断耐量高的半导体装置。其特征在于，具备：发射极电极，其经由层间绝缘膜形成于半导体基板的表面上；集电极，其形成于所述半导体基板的背面上；第一导电型的第一半导体层，其与所述集电极相接，形成于所述半导体基板的背面；第二导电型的第二半导体层，其形成于比所述第一半导体层更靠内侧处；中心区域单元，其沿着所述半导体基板的表面配置；外周区域单元，其在所述半导体基板的平面方向上，位于比所述中心区域单元更靠外侧处，配置在所述中心区域单元与芯片终端保护环区域之间。
半导体装置以及电力转换

[发明专利]半导体装置及电力转换装置-CN202110541791.9在审
发明人： 古川智康;川濑大助 -专利权人：株式会社日立功率半导体
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置及电力转换装置，在具有利用护圈包围半导体有源区域的终端构造的半导体装置中，可抑制连接于护圈的金属层的腐蚀，可靠性高。半导体装置的特征在于，具备形成于半导体基板的主面的有源区域和以包围有源区域的方式形成于主面的护圈区域，护圈区域具有：护圈，其形成于半导体基板；层间绝缘膜，其以覆盖护圈的方式形成于半导体基板上；场板，其配置于层间绝缘膜上，经由贯通层间绝缘膜的触头与护圈电连接；以及保护膜，其覆盖场板，场板由与护圈接触的第一金属和接触地配置于第一金属上且标准电位比第一金属低的第二金属的层叠构造构成，第一金属的与保护膜的接触面积相对于第二金属的与保护膜的接触面积的比例为0.05以下。
半导体装置电力转换

[发明专利]半导体器件和使用其的电力转换装置及半导体器件的驱动方法-CN201980092895.7在审
发明人：三好智之;古川智康;竹内悠次郎;铃木弘;白石正树 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：为了提供一种能够实现低损失的性能和相对于温度、通电条件稳定的dvCE/dt的开关的半导体器件，半导体器件包括具有第1栅极端子和第2栅极端子的双栅极IGBT，第1栅极端子在双栅极IGBT从非导通状态向导通状态转移时，比第2栅极端子提前第1规定时间地被施加阈值电压以上的电压，第2栅极端子在双栅极IGBT从导通状态向非导通状态转移时，比第1栅极端子提前第2规定时间地被施加小于阈值电压的电压，第1规定时间和第2规定时间被可变地控制，以使得从非导通状态向导通状态转移时和从导通状态向非导通状态转移时产生的双栅极IGBT的集电极发射极间电压的随时间的变化大致一定。
半导体器件使用电力转换装置驱动方法

[发明专利]半导体装置以及电力变换装置-CN201980015848.2在审
发明人：森睦宏;三好智之;古川智康;白石正树 -专利权人：株式会社日立功率半导体
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供电力损失少的廉价的续流二极管。在由硅构成的半导体基体的阳极电极22侧的表面设置的栅电极23的半导体基体侧隔着栅极绝缘膜32而被p层13、n层14、p层15包围。另外，阳极电极22与p层15低电阻地接触，并且与n层14或者p层13也接触，在阳极电极22与n层14或者p层13之间形成有肖特基二极管。
半导体装置以及电力变换

[发明专利]半导体装置和其制造方法以及电力变换系统-CN201710803363.2有效
发明人：若木政利;新井大夏;森睦宏;古川智康 -专利权人：株式会社日立功率半导体
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置和其制造方法以及电力变换系统。【课题】实现了便宜但能抑制振荡现象的半导体装置。【解决手段】设置形成于硅半导体基板(100)的阳极电极(106)和阴极电极(107)、与阳极电极邻接形成的p型层(102，103)、与阴极电极邻接形成、使V族元素扩散而成的n型层(104)、形成于p型层与n型层之间的n－型层(101)、形成于n－型层与n型层之间、含有氧的n缓冲层(105)，从阴极电极的n型层侧的面向着阳极电极的至少30μm的宽度的区域内的氧浓度为1×1017cm‑3以上，并且与p型层相接的部位处的n－层的氧浓度小于3×1017cm‑3。
半导体装置制造方法以及电力变换系统

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力变换装置-CN201610104398.2在审
发明人： 古川智康;白石正树;中野广;守田俊章 -专利权人：株式会社日立功率半导体
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供能减低成膜的Ni电极膜的膜缺损的半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力变换装置。半导体装置(100)在形成半导体元件(150)的半导体基板(108)的n⁺型半导体层(108c)的第1表面(108d)具备：第1半导体芯片的电极结构体(151)，其与该半导体元件(150)电连接，按照Al或Al合金所构成的第1Al金属层(105)、Cu扩散防止层(107)、Al或Al合金所构成的第2Al金属层(106)、以及Ni层(104)的顺序将它们形成；和导电构件(102)，其配置在Ni层(104)的表面(104a)，经由铜烧结层(103)与第1半导体芯片的电极结构体(151)接合，第2Al金属层(106)的表面(106a)的Al晶粒的结晶面方位主要为(110)面。
半导体装置制造方法以及电力变换

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