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[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201980013505.2有效
发明人：三岛良太;中野邦裕;口山崇 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：包括以下各个工序：在包括被选择性地除去的p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的晶体基板(11)的一主面上，形成n型半导体层(13n)的工序；通过除去剥离层(LF)，除去覆盖剥离层(LF)的n型半导体层(13n)的工序；以及分别在p型半导体层(13p)和n型半导体层(13n)上，形成透明电极层(17)的工序。在除去剥离层(LF)的工序中，除去剥离层(LF)，且保证在n型半导体层(13n)被除去的状态下，p型半导体层(13p)的一部分被剥离层(LF)覆盖。
太阳能电池制造方法

[发明专利]光电转换元件和光电转换装置-CN201880057729.9有效
发明人：吉河训太;口山崇 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明提供用于检测入射光的光点尺寸的光电转换元件。光电转换元件(20)包括具备两个主面的光电转换基板，包括分离的第1灵敏度部分(21)和第2灵敏度部分(22)，若将第1灵敏度部分(21)的显露在主面的灵敏度区域作为第1灵敏度区域，并将第2灵敏度部分(22)的显露在主面的灵敏度区域作为第2灵敏度区域，则对于第1灵敏度区域而言，接收向受光面入射的入射光的至少一部分，成为随着主面中的被照射入射光的照射区域R的增大而减小照射区域R中的第1灵敏度区域相对于第2灵敏度区域的比率的图案。
光电转换元件装置

[发明专利]带有透明电极的基板及其制造方法-CN201980050810.9有效
发明人： 口山崇 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供带有透明电极的基板及其制造方法，在具有透明膜基板的膜基材上形成如下的透明氧化物层而能够实现低电阻率：所述透明氧化物层具有非晶质的透明基底氧化物层和非晶质的透明导电性氧化物层，是从膜基材侧依次连续地通过溅射法进行制膜的，并且，形成透明基底氧化物层时的使用直流(DC)电源的放电电压(VU)的绝对值为255V以上且280V以下，且形成透明基底氧化物层时的直流电源的放电电压(VU)与形成透明导电性氧化物层时的直流电源的放电电压VC的比(VU/VC)的值为0.86以上且0.98以下。
带有透明电极及其制造方法

[发明专利]光电转换元件和光电转换装置-CN201880050811.9有效
发明人：吉河训太;口山崇 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明提供用于检测入射光的光点尺寸的光电转换元件。光电转换元件(20)包括具备两个主面的光电转换基板，其中，包括具有不同的光电转换特性的第1灵敏度部分(21)和第2灵敏度部分(22)，若将第1灵敏度部分(21)的在主面显露的灵敏度区域作为第1灵敏度区域，并将第2灵敏度部分(22)的在主面显露的灵敏度区域作为第2灵敏度区域，则第1灵敏度区域接收向受光面入射的入射光的至少一部分，并成为随着主面中的被照射入射光的照射区域(R)的增大而使照射区域(R)中的第1灵敏度区域相对于第2灵敏度区域的比率变小的图案。
光电转换元件装置

[发明专利]电缆连接件-CN202180017963.0在审
发明人： 口山崇;中村淳一;小泉玄介;中野邦裕 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H02G3/08 文献下载
摘要：本发明提供一种在出现了意外的电缆分离的情况下不容易再连接的电缆连接件。本发明的一个形态所涉及的电缆连接件(1)具备：连接部件(23)，供电缆(C1)电连接；壳体(H(10、12、21、22))，保持上述连接部件(23)；以及绝缘机构(M(13、24))，在因张力作用于上述电缆(C1)而导致上述电缆(C1)从上述连接部件(23)分离了的情况下，将上述电缆(C1)与上述连接部件(23)之间绝缘。
电缆连接

[发明专利]带有透明电极的基板的制造方法-CN202080022321.5在审
发明人： 口山崇 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明提供能够在膜基材上形成作为低电阻率透明电极层的透明氧化物层的带有透明电极的基板的制造方法。该带有透明电极的基板的制造方法具备以下的工序：在成膜压力Pu、成膜时的氧分压Pou下通过溅射法形成透明基底氧化物层的透明基底氧化物层形成工序和在成膜压力Pc、成膜时的氧分压Poc下通过溅射法在透明基底氧化物层上形成透明导电性氧化物层的透明导电性氧化物层形成工序，其中，在Pu、Pc、Pou和Poc满足规定式的条件下，将透明基底氧化物层和透明导电性氧化物层制膜，在膜基材上形成包含透明基底氧化物层和透明导电性氧化物层的透明氧化物层。
带有透明电极制造方法

[发明专利]清洗浴槽-CN201980050101.0在审
发明人：渡边真悟;口山崇 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的清洗浴槽(21)对保持于盒(51)的半导体基板(57)进行超声波处理，并具备：底壁部(22)；筒状侧壁部(23)，从底壁部(22)立起并在内部存积处理液；以及制止部(30)，制止浸渍于上述处理液的上述盒(51)向上述底壁部(22)的面内方向以及相对于上述面内方向的交叉方向的移动。在上述筒状侧壁部(23)的与筒轴方向正交的截面中，上述筒状侧壁部(23)的内侧面的周向的一部分为曲线并且余下部分为直线。
洗浴

[发明专利]盒以及清洗浴槽套件-CN201980050155.7在审
发明人：渡边真悟;口山崇 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供盒以及清洗浴槽套件。在保持有至少一个半导体基板(57)的状态下被浸渍于清洗浴槽(21)内的处理液的盒(51)由筒状体(52)构成，并且具备向筒状体(52)的外侧露出的外周面(52a)、和将至少一个半导体基板(57)保持于筒状体(52)的内周面的保持部(保持用突起部(52e)、基板支承部(52f))。在筒状体(52)的与筒轴方向正交的截面中，外周面(52a)的周向的一部分为曲线，余部为直线。
以及洗浴套件

[发明专利]太阳能电池的制造方法及用于该方法中的承载装置-CN201980030910.5在审
发明人：中野邦裕;三岛良太;小西克典;口山崇 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：包括以下各个工序：在晶体基板(11)的一个主面(11S)上，形成第一导电型的第一半导体层(13p)的工序；在第一半导体层(13p)上形成剥离层(LF)的工序；选择性地除去剥离层(LF)和第一半导体层(13p)的工序；在包括剥离层(LF)和第一半导体层(13p)的一个主面(11S)上，形成第二导电型的第二半导体层(13n)的工序；使用蚀刻溶液除去剥离层(LF)，由此除去覆盖剥离层(LF)的第二半导体层(13n)的工序；以及使用冲洗液清洗晶体基板(11)的工序。蚀刻溶液或冲洗液的相对于剥离层(LF)的接触角比蚀刻溶液或冲洗液的相对于第二半导体层(13n)的接触角小，所述第二半导体层与所述蚀刻溶液或所述冲洗液的接触角在65°以上110°以下。
太阳能电池制造方法用于中的承载装置

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201980014438.6在审
发明人：中野邦裕;三岛良太;口山崇 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种太阳能电池的制造方法，包含：在晶体基板(11)的一个主面(11S)上形成p型半导体层(13p)的工序、在p型半导体层(13p)上层叠以氧化物为主成分的剥离层(LF)的工序、选择性地除去p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的工序，在选择性地除去p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的工序中，进行使用2种以上的不同蚀刻液的湿式蚀刻，以使从晶体基板(11)的表面垂直方向的一个主面侧观察，p型半导体层(13p)的蚀刻面积小于或等于剥离层(LF)的蚀刻面积。
太阳能电池制造方法

[发明专利]带透明电极的基板及带透明电极的基板的制造方法-CN201680004428.0有效
发明人：早川弘毅;大本慎也;口山崇 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明提供一种带透明电极的基板，该带透明电极的基板(21)在透明基板(12)上具备金属氧化物透明电极层(13)。透明电极层的表面的平均最高曲率Ssc优选为5.4×10^‑4nm^‑1以下。例如，如果在制膜成透明电极层后，实施采用低放电功率的溅射的表面处理，则能够减小透明电极层的Ssc。对于本发明的带透明电极的基板而言，透明电极层(13)和设置于其上的金属引出配线(14)的密合性上优异。透明电极层(13)例如通过在施加第一放电功率，实施透明电极制膜工序后，施加第二放电功率，实施表面处理工序而得到。
透明电极制造方法

[发明专利]带有透明电极的基板及其制造方法-CN201580003181.6有效
发明人： 口山崇;早川弘毅;上田拓明;元原裕二;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供可以同时实现促进热处理时的结晶化和抑制常温环境下的结晶化的带有透明电极的基板。带有透明电极的基板是在膜基板(100)上形成了由透明导电性氧化物制成的透明电极薄膜(300)。在上述膜基板(100)与上述透明电极薄膜(300)之间形成了含有金属氧化物作为主成分的基底层(200)。上述基底层(200)与上述透明电极薄膜(300)相接触。上述透明电极薄膜(300)为非晶质，上述基底层(200)为介电体且为结晶质。 1
透明电极薄膜透明电极基底层基板结晶化膜基板金属氧化物透明导电性热处理常温环境非晶质结晶质介电体氧化物制造

[发明专利]透明导电膜及其制造方法-CN201580003746.0有效
发明人：早川弘毅;口山崇 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种在透明膜基板上具有非晶质的透明电极层的透明导电膜。透明电极层由铟·锡复合氧化物构成，氧化锡的含量为3～12质量％，膜厚为15～30nm。透明电极层中，通过X射线光电子能谱测定求出的锡3d5/2的结合能ESn和铟3d5/2的结合能EIn在下述分析范围中满足下述(1)和(2)。分析范围在包含40原子％以上铟的区域中，除去膜厚方向上的与透明电极层的表面的距离d为0～3nm的区域后的区域；(1)结合能ESn与EIn的结合能差ESn－EIn的最小值Emin与结合能差ESn－EIn的最大值Emax相比，存在于透明电极层的表面侧；(2)最大值Emax与最小值Emin之差Emax－Emin为0.1eV以上。
透明导电及其制造方法

[发明专利]带透明电极的基板的制造方法、以及带透明电极的基板-CN201380045444.0有效
发明人：早川弘毅;口山崇;上田拓明 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供带透明电极的基板的制造方法、以及带透明电极的基板，该带透明电极的基板在树脂基板上具备低电阻的透明电极。本发明的制造方法具有在透明薄膜基板上通过溅射法形成由氧化铟锡构成的透明电极层的制膜工序；以及将透明电极层结晶化的结晶化工序。在制膜工序中，使用含有氧化铟与氧化锡的溅射靶材，一般将含有氩气以及氧气的溅射气体导入腔室内，一边进行溅射制膜。优选根据导向腔室的溅射气体的导入量(Q)以及腔室内的压力(P)由式子S(L/秒)＝1.688×Q(sccm)/P(Pa)求出的有效排气速度(S)为1200～5000(L/秒)。本发明的带透明电极的基板优选透明电极层的电阻率不足3×10‑4Ωcm。
透明电极制造方法以及

[发明专利]带有透明电极的基板及其制造方法-CN201380006560.1有效
发明人： 口山崇;早川弘毅;上田拓明;藤本贵久;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有透明电极的基板，该基板在透明膜基材的至少一面具有透明电极层。透明膜基材在透明电极层侧的表面具有以氧化物为主成分的透明电介质层。在一个实施方式中，透明电极层为结晶度为80％以上的结晶质透明电极层。在该实施方式中，结晶质透明电极层的电阻率为3.5×10^‑4Ω·cm以下，膜厚为15nm～40nm，氧化铟的含量为87.5％～95.5％，载流子密度为4×10²⁰/cm³～9×10²⁰/cm³，且优选带有透明电极的基板的利用热机械分析测定的热收缩起始温度为75℃～120℃。
带有透明电极及其制造方法

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