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[发明专利]单晶硅的制造方法和硅晶片-CN201910789918.1在审
发明人：梶原薰;原田和浩 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供提拉速度容限宽、氧浓度为4×1017atoms/cm3以下、电阻率的面内偏差小、不仅没有检测到原生缺陷而且在氧沉淀评价热处理后也没有检测到氧沉淀物的单晶硅的制造方法。通过提拉法制造氮浓度为1×1014atoms/cm3以上且5×1015atoms/cm3以下、氧浓度为1×1017atoms/cm3以上且4×1017atoms/cm3以下的单晶硅3的方法，生成添加了氮的硅熔液2，将会切磁场的垂直方向的磁场中心位置设定在硅熔液2的上方，边对硅熔液2施加会切磁场边以不会产生原生缺陷的提拉速度来提拉单晶硅3。
单晶硅制造方法晶片

[发明专利]单晶硅提拉装置的热屏蔽部件-CN201810360522.0在审
发明人： 原田和浩;铃木洋二;符森林;降屋久 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C30B15/16 文献下载
摘要：本发明提供一种阻止从硅熔液提拉中的单晶硅棒的外周部的急剧的温度下降，并抑制单晶硅棒中的热应力的产生的单晶硅提拉装置的热屏蔽部件。设置于腔室内的石英坩埚中储存有硅熔液，并且设置有具有筒部的热屏蔽部件，所述筒部包围从硅熔液提拉的单晶硅棒的外周面且下端与硅熔液的表面隔开间隔而位于上方。在筒部的下部设置有隆起部，隆起部由以下构成：环状的底壁，与筒部的下缘连接并到达单晶硅棒的外周面附近；筒状的纵壁，与单晶硅棒的外周面隔开指定的间隔而与底壁的内缘连接设置；及上壁，与纵壁的上缘连接设置且以随着朝向上方而直径变大的方式形成，并且上缘与筒部的内周面抵接。在隆起部的内部填充有蓄热部件。
单晶硅棒筒部硅熔液热屏蔽部件外周面隆起单晶硅连接设置提拉装置底壁上缘提拉纵壁隔开间隔内部填充石英坩埚蓄热部件内周面热应力外周部抵接隔开内缘上壁筒状下端下缘室内包围

[发明专利]单晶硅锭及其制造方法以及单晶硅晶片-CN201810360583.7在审
发明人： 原田和浩;降屋久 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种没有由晶体引起的缺陷、且如铁元素那样的金属元素的污染度小、电气特性优异的单晶硅锭及其制造方法以及单晶硅晶片。所述单晶硅锭通过CZ法培育，并且不存在空位型点缺陷的凝集体及间隙硅点缺陷的凝集体，所述单晶硅锭的特征在于，铁污染浓度为2×10⁹atoms/cm³以下。
单晶硅锭单晶硅晶片点缺陷凝集体电气特性金属元素空位间隙硅铁污染铁元素污染度制造培育

[发明专利]石英玻璃坩埚及其制造方法-CN201510368268.5在审
发明人： 原田和浩;佐藤忠广;佐藤贤 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2009-03-23 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种石英玻璃坩埚及其制造方法，该石英玻璃坩埚用于硅单晶的提拉中，内面层的均质性优异，且内面层的气泡含有率较低。在硅单晶的提拉中所使用的石英玻璃坩埚的制造方法中，当由合成石英粉形成内面层30时，由具有比形成该内面层30的内侧部分31的第1合成石英粉小的平均粒度的第2合成石英粉形成该内面层30的表面侧部分32。相对于形成内面层30的内侧部分31的第1合成石英粉的平均粒径，形成该内面层30的表面侧部分32的第2合成石英粉的平均粒径小10μm以上。
石英玻璃坩埚及其制造方法

[发明专利]石英玻璃坩埚及其制造方法-CN200980112152.8无效
发明人： 原田和浩;佐藤忠广;佐藤贤 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2009-03-23 - 公布日： 2011-03-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种石英玻璃坩埚及其制造方法，该石英玻璃坩埚用于硅单晶的提拉中，内面层的均质性优异，且内面层的气泡含有率较低。在硅单晶的提拉中所使用的石英玻璃坩埚的制造方法中，当由合成石英粉形成内面层30时，由具有比形成该内面层30的内侧部分31的第1合成石英粉小的平均粒度的第2合成石英粉形成该内面层30的表面侧部分32。相对于形成内面层30的内侧部分31的第1合成石英粉的平均粒径，形成该内面层30的表面侧部分32的第2合成石英粉的平均粒径小10μm以上。
石英玻璃坩埚及其制造方法

[发明专利]石英玻璃坩埚及其制造方法-CN200980109021.4无效
发明人： 原田和浩;佐藤忠广 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2009-03-10 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供一种石英玻璃坩埚及其制造方法，其可充分兼顾促进硅单晶提拉时的内表面的结晶化与维持坩埚的强度。石英玻璃坩埚10的特征在于：在至少直体部(10A)的自坩埚内表面起算的0.3mm～3mm的区域中所含的OH基浓度以及OH基浓度梯度越接近坩埚内表面则越大，而越远离坩埚内表面则越小。该石英玻璃坩埚是通过如下方法制造，即，在将沿着旋转的塑模的内表面堆积的石英粉加热熔融而使之玻璃化来制造玻璃坩埚的方法中，可在熔融时或熔融结束后立即导入包含水蒸汽的空气，或者可在熔融冷却后再次在包含水蒸汽的环境下进行热处理。
石英玻璃坩埚及其制造方法