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[发明专利]压电元件以及压电器件-CN202210744340.X在审
发明人： 原寿树;米村贵幸;加藤治郎 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10N30/857 文献下载
摘要：本申请公开了压电元件以及压电器件，其压电效应和逆压电效应较高。该压电元件的特征在于，具备：压电体，具有彼此不同的第一面和第二面；第一电极，设置于所述第一面；以及第二电极，设置于所述第二面，并且，所述压电体包含具有作为结晶轴的取向轴的螺旋手性高分子晶体，所述取向轴以与所述第一面和所述第二面双方都相交的方式进行了单轴取向，所述压电体中的所述取向轴的取向度为0.80以上。
压电元件以及器件

[发明专利]分散剂及印染油墨组合物-CN201810162643.4在审
发明人：伊藤佳史;藤田智博;原寿树;井伊由希子 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C09D11/328 文献下载
摘要：提供分散剂以及使用其的印染油墨组合物，即使长期暴露于高温保存下，分散染料的分散稳定性也优异。印染油墨组合物包含分散染料、水、分散剂，所述分散剂包含一个以上的下述式(1)表示的化合物。(式1中，Ar各自独立地表示碳原子数为6～24的芳香环，R1、R2各自独立地表示选自由H、OCH3、OH、COOH、SO3H、OSO3H、碳原子数为1～6的烷基及其盐组成的组的取代基(吸电子基团或供电子基团)，R3表示选自由OH、COOH、SO3H、OSO3H及其盐组成的组的取代基(吸电子基团)，R4表示选自由H、OCH3、OC2H5、碳原子数为1至3的烷基及其盐组成的组的取代基(供电子基团)，取代基导入数a、b、c以及d各自独立地表示1～8的整数，重复数m表示1～50的整数)。
分散剂碳原子数印染油墨式( 1 )烷基供电子基团吸电子基团分散染料自由分散稳定性高温保存芳香环重复数暴露

[发明专利]液体喷射头及液体喷射装置-CN201110005307.7有效
发明人：加藤治郎;原寿树;田村博明;传田聪;两角浩一 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2011-01-06 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：本发明提供一种液体喷射头及液体喷射装置，用于防止压电体层的驱动劣化、使耐久性提高。该液体喷射头具备：与喷嘴开口连通的压力产生室；以及具有第一电极、形成在该第一电极上的压电体层和形成在该压电体层上的第二电极的压电元件；所述压电体层由含有铅(Pb)、锆(Zr)及钛(Ti)的金属氧化物构成，且包括具有负电荷的Pb-O复合缺陷和具有正电荷的Pb-O复合缺陷，具有负电荷的Pb-O复合缺陷比具有正电荷的Pb-O复合缺陷更多地存在。
液体喷射装置

[发明专利]压电元件、压电执行器、液体喷射头及液体喷射装置-CN201010282918.1有效
发明人：两角浩一;原寿树;加藤治郎;傅田聪 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明提供压电体层的结晶质量良好且压电特性良好的压电元件、压电执行器、液体喷射头及液体喷射装置。本发明的压电元件100包括：第1导电层10；与第1导电层10相对向配置的第2导电层20；在第1导电层10和第2导电层20之间配置，由至少包含铅、锆、钛和氧的复合氧化物形成的压电体层30。压电体层30包括在压电体层30的第1导电层10侧的端配置的第1晶体层32和与第1晶体层32连续、与第1晶体层32相比靠第2导电层20侧配置的第2晶体层34。压电体层30的铅的浓度在第1晶体层32的第1导电层10侧比在第2晶体层34的第2导电层20侧低，压电体层30的氧的浓度在第1晶体层32的第1导电层10侧比在第2晶体层34的第2导电层20侧高。
压电元件执行液体喷射装置

[发明专利]布线基板及其制造方法、和电子设备-CN200710186378.5无效
发明人： 原寿树 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2007-11-14 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种布线基板的制造方法，可防止转录时对置的两个基板在像素区域接触，并能可靠地将外围电路转录到基板上。本实施方式的布线基板的制造方法具有：贴合工序，其将在像素区域(101)中形成突起部(12)的可挠性基板(11)、与配置了构成外围电路的电子元件(15)的基板(40)贴合，以使电子元件(15)面对像素区域(101)的周围；和分离工序，在可挠性基板(11)中残留电子元件(15)，从可挠性基板(11)分离基板(40)，在贴合可挠性基板(11)与基板(40)的工序中，将电子元件(15)按压在可挠性基板(11)上，在像素区域(101)中，使突起部(12)接触基板(40)。
布线及其制造方法电子设备

[发明专利]半导体基板制造方法及半导体装置制造方法、半导体装置-CN200710003793.2无效
发明人： 原寿树 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种能够制造较小的半导体基板的大小(面积)的半导体基板的制造方法以及半导体装置的制造方法、半导体装置。半导体基板(41)的制造方法，首先，在第一元件分离层(12)和SOI元件形成区域(13)的边界上形成第一支承体孔(21)以及第二支承体孔(22)。接着，形成支承体形成层(27)以覆盖支承体孔(21、22)中以及硅层(16)上，之后形成支承体(26)。通过在边界上形成第一支承体孔(21)以及第二支承体孔(22)，能够减小支承体孔(21、22)在SOI元件形成区域(13)中所占的面积。
半导体制造方法装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN200610091231.3无效
发明人：加藤树理;冈秀明;金本启;原寿树;酒井彻志 -专利权人：精工爱普生株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2006-06-07 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置在单晶半导体基板(11)上形成埋入氧化膜(12)，在埋入氧化膜(12)上形成有构成背栅电极的第1单晶半导体层(13)。并且，第1单晶半导体层(13)上形成埋入氧化膜(14)，在埋入氧化膜(14)上，堆积被台面隔离的第2单晶半导体层(15a、15b)，使第2单晶半导体层(15a、15b)的膜厚比第1单晶半导体层13的膜厚更厚，并且在第2单晶半导体层(15a、15b)上形成SOI晶体管。这样，能够抑制形成场效应晶体管的半导体层的结晶性能下降，并且在形成场效应晶体管的半导体层下面，配置低电阻化的背栅电极。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN200610101942.4无效
发明人： 原寿树 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-07-11 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供无需特殊的制造装置，而抑制制造时的结晶缺陷的产生的具有DSOI晶体管的半导体装置的制造方法以及半导体装置。首先，在Si基板(1)上形成SiGe层(3)，并对SiGe层(3)中的源极形成区域和漏极形成区域所夹持的部分进行蚀刻并去除，形成沟。接着，按照埋入该沟且覆盖SiGe层(3)上的方式，在Si基板(1)上形成Si层(10)。并且，通过依次对位于晶体管形成区域的外侧的Si层(10)和位于该外侧的SiGe层(3)进行蚀刻并去除，沿晶体管形成区域的周围露出SiGe层(3)的侧面。其后，通过从该露出的侧面对SiGe层(3)进行蚀刻并去除，而在晶体管形成区域Si层(10)下面形成空洞部(15)，在该空洞部(15)内形成SiO₂膜(17)。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610101956.6无效
发明人： 原寿树 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-07-11 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低自发热效应，也能解除基板悬浮效应的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置的特征在于，具有SDON晶体管(100)，其包括在Si基板(1)上的Si层(10)上介由栅极氧化膜(21)形成的栅极电极(23)、夹持栅极电极(23)而在Si层(10)上形成的源极层(27a)以及漏极层(27b)，在源极层(27a)与Si基板(1)之间以及漏极层(27b)与Si基板(1)之间分别存在空洞部(15)，且在栅极电极(23)下面的Si层(10)与Si基板(1)之间不存在空洞部(15)。由于栅极电极(23)下面的Si层(10)与Si基板(1)连接，因此与SON晶体管相比，能够降低自发热效应。此外，由于体电位固定在Si基板(1)上，因此能够解除基板悬浮效应。
半导体装置及其制造方法

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