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[发明专利]获取方法、阻抗匹配器及其方法和半导体工艺设备-CN202310744728.4在审
发明人：卫晶;韦刚;华跃平 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种用于半导体工艺设备阻抗匹配的最优匹配路径的获取方法、应用于半导体工艺设备的阻抗匹配方法、阻抗匹配器和半导体工艺设备。该阻抗匹配方法包括：在工艺开始时，将阻抗匹配器的可调元件的参数值调节为预设的初始值；当射频电源开启时，按照预先存储的与工艺对应的最优匹配路径，调节可调元件的参数值；最优匹配路径包括预设匹配时段内的不同时刻对应的可调元件的参数值；在到达最优匹配路径的终点时刻之后，采用自动匹配算法调节可调元件的参数值，直至达到阻抗匹配。本发明实施例提供的应用于半导体工艺设备的阻抗匹配方法、阻抗匹配器和半导体工艺设备，可以提高工艺的可重复性和稳定性，从而可以提高工艺结果的一致性。
获取方法阻抗配器及其半导体工艺设备

[发明专利]半导体工艺设备及最优阻抗值获取方法、扫频匹配方法-CN202310802507.8在审
发明人：邹丽影;卫晶;韦刚;张晓博 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体工艺设备及最优阻抗值获取方法、扫频匹配方法，属于半导体工艺技术。该扫频匹配方法包括以下步骤：根据当前待执行的等离子体刻蚀工艺，获取可变阻抗器件的最优阻抗值；将该可变阻抗器件的阻抗固定在该最优阻抗值；开启射频电源的扫频模式，以实现等离子体起辉匹配。本技术方案，其可有效避免射频电源输出的信号震荡的问题，提高射频电源的扫频匹配成功率，进而提高工艺结果的可重复性和稳定性。
半导体工艺设备最优阻抗获取方法匹配

[发明专利]阻抗匹配方法、阻抗匹配器和半导体工艺设备-CN202011089179.4有效
发明人：卫晶;陈星;韦刚;华跃平 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种应用于半导体工艺设备的阻抗匹配方法、阻抗匹配器和半导体工艺设备。该阻抗匹配方法包括：在工艺开始时，将阻抗匹配器的可调元件的参数值调节为预设的初始值；当射频电源开启时，按照预先存储的与工艺对应的最优匹配路径，调节可调元件的参数值；最优匹配路径包括预设匹配时段内的不同时刻对应的可调元件的参数值；在到达最优匹配路径的终点时刻之后，采用自动匹配算法调节可调元件的参数值，直至达到阻抗匹配。本发明实施例提供的应用于半导体工艺设备的阻抗匹配方法、阻抗匹配器和半导体工艺设备，可以提高工艺的可重复性和稳定性，从而可以提高工艺结果的一致性。
阻抗匹配方法阻抗配器半导体工艺设备

[发明专利]滤波电路以及半导体设备-CN201911154502.9有效
发明人：王鹏一;韦刚;卫晶 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03H17/02 文献下载
摘要：本发明提供一种滤波电路以及半导体设备，该滤波电路包括阻抗传感器、可调电感、可调电感控制器，其中，所述可调电感包括：磁芯、线圈、第一调节结构、第二调节结构，所述线圈缠绕在所述磁芯上，所述第一调节结构用于调节所述线圈接入所述滤波电路的长度，所述第二调节结构用于调节所述磁芯以改变所述可调电感的磁阻；所述阻抗传感器用于检测所述滤波电路的总阻抗值，并将所述总阻抗值发送给所述可调电感控制器；所述可调电感控制器用于在所述总阻抗不等于所述总阻抗设定值时，先后调节所述第一调节结构与所述第二调节结构，使所述总阻抗达到所述总阻抗设定值。通过本发明提高了滤波电路的滤波效果。
滤波电路以及半导体设备

[发明专利]半导体晶圆的加工方法-CN201911032952.0有效
发明人：杨京;卫晶;韦刚;陈国动;李娟娟;魏晓;黄亚辉 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种半导体晶圆的加工方法，包括：开启射频源，使射频源输出第一射频功率，并将工艺腔室的腔室压力设为第一腔室压力；维持所述射频源开启，将所述射频源的输出功率调节至过渡射频功率；同时，将所述腔室压力调节至第一过渡腔室压力；在预定时间段内，使所述射频源持续输出所述过渡射频功率；同时，将所述腔室压力调节至第二过渡腔室压力；将所述射频源的输出功率调节至第二射频功率；同时，将所述腔室压力调节至所述第二腔室压力；以及，使所述射频源输出所述第二射频功率，并使所述腔室压力保持在所述第二腔室压力本发明在调节工艺条件期间，射频源维持输出射频功率，使得鞘层可维持在工作件(如晶圆)的上方，并借此改善工艺结果及提升良率。
半导体加工方法

[发明专利]一种便携可调式多光轴一致性检测装置及检测方法-CN202210996320.1在审
发明人：包新雷;刘国栋;时圣星;卫晶;卢国忠 -专利权人：哈尔滨工业大学（鞍山）工业技术研究院
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种便携可调式多光轴一致性检测装置及检测方法，包括可见光光源、第一分光棱镜、后镜组、前镜组、小量程面阵CCD相机、第二分光棱镜、第三分光棱镜、第四分光棱镜、平面反射镜、大量程面阵CCD相机和红外波段光源。所述的可见光光源、第一分光棱镜、后镜组、前镜组、小量程面阵CCD相机、第二分光棱镜、第三分光棱镜、第四分光棱镜、大量程面阵CCD相机和红外波段光源均安装在同一旋转轴上，能够随旋转轴旋转。平面反射镜与第四分光棱镜之间通过伸缩装置安装在一起。拥有独特的绕光轴旋转机械结构和可线性移动反射镜结构，适应不同轴间距和轴方向的多光轴光学系统；兼容长焦和短焦两种模式，保证测量精度前提下增加了角度测量范围。
一种便携调式光轴一致性检测装置方法

[发明专利]射频阻抗匹配方法及系统、半导体工艺设备-CN202211073347.X在审
发明人：卫晶;邹丽影;陈星;韦刚;王威威;张晓博 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种射频阻抗匹配方法及系统、半导体工艺设备。该射频阻抗匹配方法用于通过射频电源及匹配器实现半导体工艺设备的工艺腔室起辉，其包括：获取工艺配方中的匹配参数及初始扫频参数；控制匹配器中电容器组件的参数为匹配参数；控制射频电源以初始扫频参数开始自动扫频，用于使射频电源的阻抗与匹配器及工艺腔室的阻抗相等，以使工艺腔室起辉。本申请实施例实现了射频电源能从最优初始扫频参数的调用以实现工艺腔室的快速起辉及匹配，从而不仅能大幅提高工艺腔室的起辉效率，而且还能避免起辉匹配失败的情况发生，进而确保起辉及匹配的可重复性和稳定性，以大幅提高工艺结果的一致性。
射频阻抗匹配方法系统半导体工艺设备

[发明专利]射频电源的校准方法、半导体工艺方法及设备-CN202110760450.0有效
发明人：卫晶;陈星;韦刚;张建坤;王月姣;刘宁;郝亮 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种射频电源的校准方法、半导体工艺方法及设备，该方法包括：对于一个工艺步骤，获取该工艺步骤中上射频电源与下射频电源的共同激励锁相角度的设定值；根据预设的共同激励锁相角度的校准值对设定值进行校准，以确定共同激励锁相角度的实际值，校准值为在预设工艺条件下晶圆表面的偏压值最小时对应的共同激励锁相角度的值。本发明提供的半导体工艺设备中射频电源的校准方法、半导体工艺方法及半导体工艺设备，可以实现不同的工艺腔室之间的工艺结果一致性。
射频电源校准方法半导体工艺设备

[发明专利]ICP刻蚀工艺中降低反射功率的方法及装置-CN201911089142.9有效
发明人：杨京;卫晶;韦刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种ICP刻蚀工艺中降低反射功率的方法及装置，方法包括：检测上射频电源的反射功率值，判断反射功率值是否大于第一预设阈值并持续第一预设时长；若是，则关闭上射频电源并持续第二预设时长；关闭上射频电源第二预设时长后，开启上射频电源。本发明中，上射频电源监测到反射功率值过大后，会通过关闭上射频电源输出功率并持续预设时长，以达到衰减反射功率的目的，有效防止了反射功率过大对硬件的损坏。
icp 刻蚀工艺降低反射功率方法装置

[发明专利]半导体工艺设备的上电极机构及半导体工艺设备-CN202010419642.0有效
发明人：卫晶;韦刚;杨京;牛晨;茅兴飞 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01J37/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体工艺设备的上电极机构及半导体工艺设备，所述上电级机构包括：射频线圈、电流传感器、电流调整装置，其中，所述射频线圈包括至少两条并联的支路；每条所述支路上均设置有一所述电流传感器，用于检测该支路的支路电流；所述电流调整装置设置在所述射频线圈上，用于调整每个所述支路的支路电流，以使各所述支路的支路电流均相等。这样，通过电流调整装置，可以使射频线圈中每个支路的支路电流相等，实现刻蚀的均匀性。
半导体工艺设备电极机构

[发明专利]一种下射频电源的电压控制方法及半导体工艺设备-CN202210748872.0在审
发明人：杨波;卫晶;韦刚;陈星;宋博文;阮永豪;钟晨玉 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种下射频电源的电压控制方法及半导体工艺设备，预先获取馈电至静电卡盘的下射频电源的电压设定值，并根据预设电压修正策略对电压设定值进行修正，得到目标电压值；获取与静电卡盘连接的射频电压传感器输出的第一电压信号，并根据第一电压信号，及表征射频电压传感器的平均输入输出对应关系的传感器变换系数，得到射频电压传感器理论上输入的第二电压信号；比较目标电压值和第二电压信号，并根据比较结果调整下射频电源的输出功率，以使第二电压信号等于目标电压值。可见，本申请对下射频电源的电压设定值进行修正，以使下射频电源达到稳态时，静电卡盘上的实际电压值等于未修正的电压设定值，从而提高了下射频电源的电压控制精度。
一种射频电源电压控制方法半导体工艺设备

[发明专利]一种三维形貌的快速测量仪-CN202210545259.9在审
发明人：卢国忠;刘国栋;卫晶;包心雷;时圣星;刘芳 -专利权人：哈尔滨工业大学（鞍山）工业技术研究院
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01B11/25 文献下载
摘要：本发明提供一种三维形貌的快速测量仪，包括左侧投光系统、右侧投光系统、受光远心镜头、受光端滤光片、CMOS芯片、驱动采集单元和控制处理单元。左侧投光系统和右侧投光系统从左右两侧向被测物表面投射颜色结构光条纹，含有被测物表面信息的结构光条纹经过受光远心镜头至受光端滤光片上，在CMOS芯片上完成对结构光图像的采集，并通过驱动采集单元上传至控制处理单元。左侧投光系统、右侧投光系统以及驱动采集单元均受所述的控制处理单元控制。采用的是封装在一个壳体内的左右两套投影组件和一套采集组件，在解决阴影问题的前提下，保证了结构光条纹质量，减少了环境光影响，保证了在不同环境下仪器的测量精度及稳定性。
一种三维形貌快速测量仪

[发明专利]一种校准值确定方法和半导体工艺设备-CN202210490450.8在审
发明人：钟晨玉;卫晶 -专利权人：西安北方华创微电子装备有限公司;北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种校准值确定方法，应用于半导体工艺设备，半导体工艺设备包括目标工艺腔室、上射频电源和下射频电源，目标工艺腔室中设置有用于承载晶圆的基座，上射频电源用于激发目标工艺腔室中的工艺气体形成等离子体，下射频电源用于向基座加载射频偏压，该方法包括：获取在预设工艺条件下，多个共同激励CEX锁相角度的预设值对应的等离子体偏压VDC的实测值；对预设值和实测值进行数据拟合，确定实测值随预设值变化的连续函数；根据连续函数，确定CEX锁相角度的校准值，校准值为在预设工艺条件下晶圆表面的VDC值最小时对应的CEX锁相角度值。根据本发明的实施例，可以提升校准值确定的准确性。
一种校准确定方法半导体工艺设备

[发明专利]半导体工艺腔室及半导体工艺方法-CN202210073203.8在审
发明人：杨京;王炳元;韦刚;卫晶;王景远 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺方法，半导体工艺腔室的多个电源一一对应的与多个匹配部件电连接，负载与至少一个匹配部件电连接，电源用于通过对应的匹配部件向负载输出电能；至少一个匹配部件和负载之间设置有对应的检测部件，检测部件分别与对应的匹配部件和负载电连接，且与控制单元电连接，检测部件用于对自对应的负载耦合向对应的匹配部件的电能进行检测，并将检测结果传输向控制单元；控制单元和与检测部件对应的匹配部件电连接，用于接收并根据检测结果控制与检测部件对应的匹配部件中的可变电容的位置。本发明提供的半导体工艺腔室及半导体工艺方法能够提高射频稳定性，从而提高等离子体稳定性，提高半导体工艺稳定性。
半导体工艺方法

[发明专利]偏压控制方法及装置、半导体加工设备-CN201911059873.9有效
发明人：卫晶;韦刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种偏压控制方法及装置、半导体加工设备，该方法包括：实时采集下电极上的射频偏压的模拟信号；将射频偏压的模拟信号转换为数字信号；对数字信号进行处理，以获得射频偏压的幅值检测值和相位检测值；将幅值检测值和相位检测值分别与预设的幅值设定值和相位设定值进行比较，并根据各自的比较结果分别控制与所述下电极电连接的偏压电源的功率输出值和相位输出值，本发明提供的偏压控制方法及装置、半导体加工设备的技术方案，既可以提高控制偏压电源输出功率大小的精确性，又可以更精确地控制晶片上方的离子能量，从而可以进一步保证工艺结果一致性。
偏压控制方法装置半导体加工设备

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