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[发明专利]冲击吸收装置-CN201180039896.9有效
发明人：黄龙顺;金健泰;南京佑;金柱泰 -专利权人：新都产业株式会社
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： E01F15/14 文献下载
摘要：本发明的冲击吸收装置包括：在第一水平柱和第二水平柱之间设置有补强部件的多个支撑框架；具有垂直柱的后面支撑件；具有分别设置在支撑框架两侧面的护轨、和用于将所述护轨可移动地设置在支撑框架上的固定部件的护轨连接装置；以及具有设置在支撑框架前面的前部容器、和设置在支撑框架之间的多个垫层容器的缓冲容器。其中，通过线缆连接支撑框架和后面支撑件以用于引导所述多个支撑框架的直线运动。上述的冲击吸收装置，通过使用能够将线缆连接在支撑框架上的线绳夹持部，可以防止支撑框架各自分离或者解体的现象。
冲击吸收装置

[发明专利]多路径可访问半导体存储器设备及其邮箱访问控制方法-CN200810002992.6无效
发明人：吴致成;金容峻;南京佑;金镇国 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-15 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： G06F15/167 文献下载
摘要：提供了一种具有邮箱区域的多路径可访问半导体存储器设备及其邮箱访问控制方法。所述半导体存储器设备包括N个端口、位于存储器单元阵列中的至少一个共享存储器区域、以及用于消息通信的N个邮箱区域。所述至少一个共享存储器区域操作性地连接到所述N个端口，并且可通过多个数据输入/输出线来访问，以形成所述至少一个共享存储器区域和一个端口之间的数据访问路径，所述一个端口在所述N个端口中具有对所述至少一个共享存储器区域的访问权限。所述N个邮箱区域按与所述N个端口一一对应的方式而被提供，并且当所述至少一个共享存储器区域的预定区域的地址被应用于所述半导体存储器设备时，可通过所述多个数据输入/输出线访问所述N个邮箱区域。可以获得邮箱的高效布局和高效消息访问路径。
路径访问半导体存储器设备及其邮箱控制方法

[发明专利]包括存储器存取控制器和总线的存储器件的微处理器系统-CN200510106936.3无效
发明人：金时永;郑阳勋;南京佑;李钟元;李玧洙;元明圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-22 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G06F13/28 文献下载
摘要：提供一种具有存储器件和可切换连接在存储器和直接存储器存取控制器(DMAC)之间的内部总线的处理器系统，该存储器件包括(RAM)存储器和DMAC。存储器件内的总线开关(多路转换器)交替地建立在存储器和外部处理器之间的系统总线上的第一数据传输通路和在存储器和DMAC之间的内部总线上的第二数据传输通路。当第一数据传输通路通过总线开关建立时，其支持外部处理器对存储器的随机存取。当第二数据传输通路通过总线开关建立时，其支持在处理器完全独占使用系统总线时、RAM和连接到DMAC的外部存储器件(如非易失性存储器(NVM))之间的直接存储器存取(DMA)。
包括存储器存取控制器总线存储器件微处理器系统

[发明专利]具有可变存储大小的半导体存储器及其刷新方法-CN200510064048.X无效
发明人：李裕美;南京佑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-01-07 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：一种半导体存储设备，可在全容量模式下和至少一种减少容量模式下操作，并且包括具有多个存储块的存储器阵列，所述每一个存储块具有至少一个字线。地址生成电路生成具有逻辑值的第一多位地址信号，所述逻辑值在每一个连续的刷新周期内顺序地递增一。地址排序电路接收所述第一多位地址信号并输出第二多位地址信号，在所述地址排序电路中，所述第一多位地址信号的一个或多个最低有效位排列在所述第二多位地址信号中以指示所述存储器阵列中的存储块，所述第一多位地址信号的其余位排列在所述第二多位地址中以指示所选的存储块中的字线。依照所述第二多位地址信号刷新所述存储器阵列的字线。
具有可变存储大小半导体存储器及其刷新方法