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[发明专利]耐高压的半导体器件的制作方法及半导体器件-CN202311042816.6在审
发明人：王首明;单传海;张青;刘文虎 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种耐超高压的半导体器件的制作方法及半导体器件，制作方法包括：提供衬底，在衬底的顶面制作间隔设置的第一电极和第一互连金属层，其中，衬底内形成有与第一互连金属层连接的器件层；在衬底的顶面制作介质层，介质层将第一电极和第一互连金属层完全覆盖，并且介质层的厚度大于或等于4μm；在介质层上制作硬质掩膜层；以硬质掩膜层为掩膜，对介质层进行回刻，以制作连接第一互连金属层的过孔；在过孔中回填导电材料层；在介质层的顶面制作间隔设置的第二电极和第二互连金属层，其中，第二电极与第一电极正对，第二互连金属层通过导电材料层与第一互连金属层连接。本申请可以提高过孔的开口及侧壁形貌的完整及均匀性。
高压半导体器件制作方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法、半导体器件-CN202111630652.X在审
发明人：李兆松;李思晢;单传海;鲁周阳;毛晓明;高晶;刘静;霍宗亮;谢雷 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体芯片技术领域，旨在简化半导体结构的制作过程。半导体结构的制备方法包括：在衬底的切割道区形成第一凹槽；在衬底上形成第一叠层结构，并在第一叠层结构中形成第二凹槽和隔离凹槽；第一叠层结构包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层，第二凹槽在衬底上的正投影与第一凹槽重叠，隔离凹槽位于衬底的芯片区；在第一叠层结构远离衬底的一侧形成第二叠层结构，第二叠层结构中经过第二凹槽的部分形成凹陷，凹陷作为第一对位标记；第二叠层结构包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层。上述半导体结构应用于半导体器件中，以实现数据的读取和写入操作。
半导体结构及其制备方法半导体器件

[发明专利]半导体结构、三维存储器及其制造方法-CN202111420061.X在审
发明人：李兆松;鲁周阳;单传海;韩玉辉;高晶 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制造方法，该方法包括：在衬底上形成第一堆叠层，第一堆叠层中定义有多个芯片区域以及位于相邻的芯片区域之间的切割道区域；在切割道区域形成零层标记的开口，开口具有第一关键尺寸；以及在芯片区域形成底部选择栅切口，底部选择栅切口具有第二关键尺寸，其中，第一关键尺寸大于所述第二关键尺寸。本申请提供的三维存储器制造方法，可通过一次光刻工艺形成底部选择栅切口和延伸至衬底中的零层标记的开口，简化了工艺流程。
半导体结构三维存储器及其制造方法

[实用新型]万用器皿洗刷器-CN90219391.0无效
发明人：孟军;单传海 -专利权人：孟军;单传海
申请日： 1990-12-05 - 公布日： 1991-12-18 - 主分类号： B08B9/36 文献下载
摘要：本实用新型是一种万用器皿洗刷器，对玻璃器皿特别是异形玻璃器皿进行洗刷的装置。主要用在分析化学实验及生物检测工作中，对参与实验的器皿进行有效的洗刷，使其达到实验要求的纯度，解决了人工洗刷器皿精度不高的问题。该洗刷器由可变形的刷头和动力刷柄组成，电机开启后带动刷头旋转，由于刷头的形态可随器皿的形态而改变，故对各种异形玻璃器皿能够进行有效的洗刷，大大提高了洗刷精度和工作效率。
万用器皿洗刷